内容提供者
一种高纯铜靶材的制备方法及靶材的用途.pdf
2023-05-13
10金币
692KB
8页
一条****然后
实名认证
内容提供者
1/8
2/8
3/8
4/8
5/8
6/8
7/8
8/8
在线预览结束，喜欢就下载吧，查找使用更方便
相关资料
一种高纯铜靶材的制备方法及靶材的用途.pdf
本发明公开了一种高纯铜靶材的制备方法及靶材的用途,所制备的铜靶材平均晶粒尺寸≤1μm,且分布均匀。制备步骤包括:将纯度≥4N的铜原料依次进行1)连续铸造;2)坯料切割;3)等通道侧向挤压;4)轧制;5)热处理,制得高纯铜靶材。该方法制备的高纯铜靶材具有晶粒尺寸均匀细小、取向较为一致、靶材尺寸较大且较厚等特点,可应用于大规模集成电路互连线的溅射镀膜。
2023-05-13
10
692KB
一种高纯铜靶材的制备方法.pdf
本发明公开了属于溅射靶材技术领域的一种高纯铜溅射靶材的制备方法。该方法主要包括：高纯铜靶材坯料在高温下进行镦粗拔长的塑性变形。经过多轮次的镦粗拔长变形后，将靶材坯料冷却。对冷却后的高纯铜靶材坯料进行压延变形制备成高纯铜靶坯。然后对靶坯进行热处理，得到组织细小均匀的高纯铜靶材。本发明的优点在于：采用塑性变形与热处理相结合的方法制备高纯铜靶材，该方法制备的靶材晶粒细小，分布均匀，完全满足溅射的需求。同时通过采用可控性的塑性加工设备使得加工工艺的一致性、重复性得到保证。该方法工艺简单，设备操作灵活，生产效率高，
2023-10-13
10
2.4MB
高纯钽靶材制备方法.pdf
本发明提供的高纯钽靶材制备方法，包括：将钽粉混合均匀；将混合好的钽粉装入模具；冷压成型；真空热压烧结。与传统的通过高真空电子束熔炼炉获得高纯钽锭、然后对钽锭反复进行塑性变形和退火制得钽靶坯的工艺相比，本发明通过粉末冶金的真空热压烧结技术直接由粉末制得钽靶坯，消除钽的“固有织构带”，获得内部织构均匀的可用于半导体靶材制造用的钽靶坯。
2023-06-20
10
328KB
高纯钴靶材的制备方法.pdf
本发明提供的高纯钴靶材的制备方法，包括：将钴粉装入模具；冷压成型；真空热压烧结。与传统的通过高真空电子束熔炼炉获得高纯钴锭、然后对钴锭反复进行塑性变形和退火制得钴靶坯的工艺相比，本发明通过粉末冶金的真空热压烧结技术直接由粉末制得钴靶坯，获得致密且分布均匀的可用于半导体靶材制造用的钴靶坯，克服了钴靶材由于质地坚硬易碎，而在塑性变形加工过程中容易产生裂纹而导致报废率高的问题。
2023-06-20
10
340KB
一种高纯铜系靶材的焊接方法.pdf
本发明提供一种高纯铜系靶材的焊接方法,所述方法包括以下步骤:(1)将铜靶坯加工成台阶状,台阶厚度与铜背板槽深度一致,对铜背板焊接面进行车削螺纹处理;(2)将加工后的所述铜靶坯以及铜背板进行清洗和干燥处理;(3)将所述铜靶坯以及铜背板进行装配,并依次进行电子束焊接以及热等静压焊接。所述焊接方法简化了焊接流程,降低成本,简化操作,同时保证了焊接质量。
2023-05-18
10
343KB