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本发明公开了一种高纯铜靶材的制备方法及靶材的用途,所制备的铜靶材平均晶粒尺寸≤1μm,且分布均匀。制备步骤包括:将纯度≥4N的铜原料依次进行1)连续铸造;2)坯料切割;3)等通道侧向挤压;4)轧制;5)热处理,制得高纯铜靶材。该方法制备的高纯铜靶材具有晶粒尺寸均匀细小、取向较为一致、靶材尺寸较大且较厚等特点,可应用于大规模集成电路互连线的溅射镀膜。