一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111719059A(43)申请公布日2020.09.29(21)申请号202010527438.0C23C14/34(2006.01)(22)申请日2020.06.11B22D11/00(2006.01)B22D11/119(2006.01)(71)申请人新疆众和股份有限公司地址830000新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市高新区喀什东路18号众和公司科技管理办公室(72)发明人马小红徐亚军元鹏超白毅张博刘江滨马青(74)专利代理机构北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙)11348代理人孟阿妮张小勇(51)Int.Cl.C22C1/03(2006.01)C22C1/06(2006.01)C22C21/02(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图3页(54)发明名称一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法(57)摘要本发明为一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法。一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法，包括：S10配制中间合金：所述的中间合金为铝铜中间合金和铝硅中间合金；S20：将所述的中间合金与99.9995％纯度的高纯铝在真空熔炼炉中熔融，完全熔融后，得合金液；所述的合金液中硅含量为0.9‑1.1wt％，铜含量为0.45‑0.55wt％；S30：将所述的合金液采用高纯氩气进行在线精炼；S40：将经过在线精炼的合金液进行双极过滤；S50：将经过双级过滤的合金液进行φ120‑164mm棒材坯料铸造，得所述的溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料。本发明所述的一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法，制备的溅射用高纯AL‑1wt％Si‑0.5wt％Cu靶材坯料中微量杂质元素含量极低，溅射成膜性能好，且成分均匀。CN111719059ACN111719059A权利要求书1/1页1.一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S10配制中间合金：所述的中间合金为铝铜中间合金和铝硅中间合金；配制铝硅中间合金：将99.9995％纯度的高纯铝与不小于99.999％纯度的高纯硅在真空熔炼炉中熔融，控制熔融温度在800-850℃，完全融化，进行搅拌后，浇铸为重熔锭，得铝硅中间合金：所述的铝硅中间合金中硅元素的含量为7-13wt％；配置铝铜中间合金：将99.9995％纯度的高纯铝与不小于99.999％纯度的高纯铜在真空熔炼炉中熔融，控制熔融温度在800-850℃，完全融化，进行搅拌后，浇铸为重熔锭，得铝铜中间合金：所述的铝铜中间合金中铜元素的含量为20-25wt％；S20：将所述的中间合金与99.9995％纯度的高纯铝在真空熔炼炉中熔融，控制熔炼温度为730-745℃，完全熔融后，得合金液；所述的合金液中硅含量为0.9-1.1wt％，铜含量为0.45-0.55wt％；S30：将所述的合金液采用高纯氩气进行在线精炼；S40：将经过在线精炼的合金液进行双极过滤；S50：将经过双级过滤的合金液进行φ120-164mm棒材坯料铸造，得所述的溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的制备方法中，铸造产线中接触铝液部分内衬材料中氧化铝含量需高于90wt％。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤S10中：所述的配制铝硅中间合金中：完全融化后使用石墨转子搅拌铝液15min；所述的配制铝铜中间合金中：完全融化后使用石墨转子搅拌铝液15min。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤S10中：浇铸为重熔锭前，要对中间合金液进行中间合金成分检测，使用辉光放电质谱仪检测配置铝硅及铝铜中间合金成分，控制中间合金中金属元素杂质总含量＜5ppm。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤S20中，所述的中间合金采用两次添加工艺，第一次添加量为总添加量的80wt％。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的S30中，氩气流量为2-5m3/h，精炼时间20min，精炼温度730-740℃。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的S40中，采用两块过滤板进行在线过滤；其中第一级过滤采用国产50PPI过滤板，第二级过滤采用进口50PPI过滤板或国产70PPI过滤板。8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的S50中，采用半连续铸造机水冷进行φ120-164mm棒材坯料铸造，控制结晶器内合金液温度为655-665℃，铸造速度100-120mm/min，冷却水流量15-20m3/h。9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述的S50中，采用光滑的铝合金结晶器模具进行铸造。2CN111719059A说明书1/7页一种溅射用细晶高纯