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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号(10)授权公告号CNCN102925864102925864B(45)授权公告日2014.07.16(21)申请号201210468515.5(56)对比文件CN202022972U,2011.11.02,(22)申请日2012.11.19US2008254202A1,2008.10.16,(73)专利权人深圳先进技术研究院CN101599515A,2009.12.09,地址518055广东省深圳市南山区西丽大学朱洪,姜恩永,李建新.用高精度天平称重法城学苑大道1068号实时监测真空镀膜.《第四届全国磁性薄膜与纳专利权人香港中文大学米磁学会议论文集》.2004,第235-237页.(72)发明人罗海林杨春雷顾光一肖旭东审查员张杰(74)专利代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司44224代理人刘诚吴平(51)Int.Cl.C23C14/24(2006.01)C23C14/54(2006.01)C23C14/56(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书6页说明书6页附图3页附图3页(54)发明名称蒸发镀膜装置及获得其源炉的工作温度的方法(57)摘要一种蒸发镀膜装置,包括:进样室;镀膜工艺室,与进样室真空相连,镀膜工艺室包括提供铜、铟、镓或硒蒸气的源炉、薄膜生长过程中固定衬底的样片台、加热源炉和衬底的加热装置;称重室,与镀膜工艺室真空相连,用于分别称量所述衬底的重量、制备有铜、铟、镓或硒薄膜的衬底的重量;出样室,与镀膜工艺室真空相连;及衬底传输系统,用于将衬底在进样室、镀膜工艺室、称重室及出样室之间传递。该蒸发镀膜装置设置了称重室,镀膜和称重都是在真空状态下进行,避免了普通称重法中因衬底和膜层的吸湿性以及膜层在空气中发生化学反应带来的误差,获得的束流与源炉的温度关系较精准。本发明还提供一种利用该装置获得镀膜时源炉的工作温度的方法。CN102925864BCN10295864BCN102925864B权利要求书1/1页1.一种获得蒸发镀膜装置的源炉的工作温度的方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一种蒸发镀膜装置,所述蒸发镀膜装置包括:进样室;镀膜工艺室,与所述进样室真空相连,所述镀膜工艺室包括提供铜、铟、镓和硒蒸气的源炉、薄膜生长过程中固定衬底的样片台、加热源炉和衬底的加热装置;称重室,与所述镀膜工艺室真空相连,用于分别称量所述衬底的重量、制备有铜、铟、镓或硒薄膜的衬底的重量;出样室,与所述镀膜工艺室真空相连;及衬底传输系统;用于将所述衬底在所述进样室、镀膜工艺室、称重室及出样室之间传递;并将所述镀膜工艺室和所述称重室维持在相同的真空状态;将衬底放置在所述进样室内,抽真空,然后对所述衬底加热以去除水汽,然后冷却至室温;使用衬底传输系统将所述衬底传输到所述称重室,称量所述衬底的初始重量,记作w;使用衬底传输系统将所述衬底传输到镀膜工艺室中,设置源炉工作温度为T,在时间t内打开源炉盖板,在所述衬底上制备薄膜;使用衬底传输系统将制备有薄膜的衬底传输到称重室,称量所述制备有薄膜衬底的重量,记作W;按照下式计算该源炉的束流S:S=(W-w)/t;改变源炉工作温度T并计算相应的束流S,得到一系列源炉工作温度T和相应的束流S值,作图得到该源炉的束流S与对应工作温度T的关系图;及根据预定的镀膜时间和所需的镀膜重量,换算成所需的源炉的束流S,对照该源炉的束流S与工作温度T的关系图获得所述源炉的工作温度T。2.根据权利要求1所述的获得蒸发镀膜装置的源炉的工作温度的方法,其特征在于,根据铜铟镓硒太阳能电池光吸收层的总重量和化学计量比分别计算其中铜、铟、和镓的重量作为所需的镀膜重量,结合预定的镀膜时间换算成所需的源炉的束流S,再分别对照该源炉的束流S与工作温度T的关系图,分别获得铜、铟、和镓源炉的工作温度T。3.根据权利要求1所述的获得蒸发镀膜装置的源炉的工作温度的方法,其特征在于,根据铜铟镓硒太阳能电池光吸收层的总重量和化学计量比计算硒的重量,再以所述硒的重量的10倍作为所需的镀膜重量,结合预定的镀膜时间换算成所需的源炉的束流S,对照该源炉的束流S与工作温度T的关系图获得硒源炉的工作温度T。2CN102925864B说明书1/6页蒸发镀膜装置及获得其源炉的工作温度的方法技术领域[0001]本发明涉及真空镀膜领域,特别是涉及蒸发镀膜装置及获得其源炉的工作温度的方法。背景技术[0002]真空镀膜可以获得多种薄膜功能材料,例如薄膜太阳能电池,发光二极管(Light-EmittingDiode,LED),薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)显示屏等。真空镀膜有三种形式,即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。蒸发镀膜是将待镀材料和被镀基板于真空室内,采用一定方法加热