沉积装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102938389A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102938389A(43)申请公布日2013.02.20(21)申请号201210472763.7(22)申请日2012.11.20(71)申请人上海宏力半导体制造有限公司地址201203上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号(72)发明人王硕许忠义(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人骆苏华(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)C23C16/44(2006.01)权利要求书权利要求书1页1页说明书说明书66页页附图附图33页(54)发明名称沉积装置(57)摘要一种沉积装置，包括：外炉管；位于外炉管内的内炉管，所述内炉管的底部固定于所述外炉管的底部，所述内炉管的顶部为开口，且所述内炉管的顶部与所述外炉管的顶部不接触；位于所述内炉管内底部的基座；固定于所述基座表面的若干重叠设置的晶舟；自所述外炉管外部伸入所述内炉管内部的送气管道，所述送气管道自所述内炉管的底部向所述内炉管的顶部延伸；固定设置于所述内炉管的侧壁的固定装置，用于固定所述自内炉管底部向顶部延伸的送气管道；位于所述外炉管与内炉管之间的排气管道。所述沉积装置能够避免因此送气管道内的气体瞬间流速过快而产生歪倒，或避免所述送气管道因碰撞所述内炉管侧壁或晶舟而产生碎屑，从而使所形成的薄膜质量好。CN102938ACN102938389A权利要求书1/1页1.一种沉积装置，其特征在于，包括：外炉管；位于外炉管内的内炉管，所述内炉管的底部固定于所述外炉管的底部，所述内炉管的顶部为开口，且所述内炉管的顶部与所述外炉管的顶部不接触；位于所述内炉管内底部的基座；固定于所述基座表面的若干重叠设置的晶舟；自所述外炉管外部伸入所述内炉管内部的送气管道，所述送气管道自所述内炉管的底部向所述内炉管的顶部延伸；固定设置于所述内炉管的侧壁的固定装置，用于固定所述自内炉管底部向顶部延伸的送气管道；位于所述外炉管与内炉管之间的排气管道。2.如权利要求1所述沉积装置，其特征在于，所述固定装置为固定于所述内炉管内侧壁表面的固定件，自内炉管底部向顶部延伸的送气管道由所述固定件固定于所述内炉管内侧壁表面。3.如权利要求2所述沉积装置，其特征在于，所述固定件为环形，所述送气管道嵌套于所述环形的固定件内。4.如权利要求2所述沉积装置，其特征在于，所述固定件为环形，所述固定件的材料为半导体材料，所述半导体材料包括石英或碳化硅。5.如权利要求1所述沉积装置，其特征在于，所述固定装置为位于所述内炉管侧壁的凹槽，所述凹槽由所述内炉管内侧壁表面向外炉管的方向凹陷，自内炉管底部向顶部延伸的送气管道嵌于所述凹槽内。6.如权利要求1所述沉积装置，其特征在于，所述送气管道自外炉管外部水平伸入所述内炉管内部，且所述水平伸入的送气管道靠近所述内炉管的底部，所述送气管道自位于内炉管内部的一端向所述内炉管顶部方向垂直延伸。7.如权利要求6所述沉积装置，其特征在于，所述送气管道的数量为1-5根。8.如权利要求7所述沉积装置，其特征在于，所述固定装置的数量等于或少于所述送气管道的数量，且每个固定装置固定至少一根送气管道。9.如权利要求7所述沉积装置，其特征在于，当所述送气管道大于1根时，各送气管道的长度不一致。10.如权利要求1所述沉积装置，其特征在于，所述基座与驱动装置连接，所述驱动装置用于控制所述基座和重叠设置的晶舟旋转。11.如权利要求1所述沉积装置，其特征在于，所述排气管道靠近所述内炉管和外炉管的底部，且所述排气管道的一端与抽气泵连接，用于将内炉管和外炉管内的气体排出，并用于控制内炉管和外炉管内的压力。2CN102938389A说明书1/6页沉积装置技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种沉积装置。背景技术[0002]化学气相沉积(Chemicalvapordeposition，简称CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体薄膜材料的工艺技术，其工艺通过化学气相沉积装置得以实现。具体地，化学气相沉积装置通过进气装置将反应气体通入腔室中，并控制腔室的压强、温度等反应条件，使得反应气体发生反应，从而完成沉积工艺步骤。[0003]现有技术中，直立式沉积炉管为一种常用的化学气相沉积装置，如图1所示，包括：腔室100，所述腔室100包括：外炉管101、以及位于所述外炉管101内的内炉管102，所述内炉管102的顶部为开口，且所述内炉管102的顶部不与所述外炉管101的顶部接触；设置于所述内炉管102底部的基座103，所述基座103能够绕其中心轴线旋转；固定于所述基座103表面重叠的晶舟104，所述晶舟104用于装