薄膜沉积装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110004432A(43)申请公布日2019.07.12(21)申请号201811548590.6(22)申请日2018.12.18(30)优先权数据10-2017-01748802017.12.19KR(71)申请人TES股份有限公司地址韩国京畿道龙仁市处仁区阳智面中部大路2374-36(72)发明人李洪宰(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205代理人杨贝贝臧建明(51)Int.Cl.C23C16/455(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图4页(54)发明名称薄膜沉积装置(57)摘要本发明涉及一种薄膜沉积装置，包括：腔室，提供在基板上沉积薄膜的沉积空间；气体供给部，具备至少一个向所述基板供给原料气体与反应气体且排出残留气体的气体供给模块，具备到所述沉积空间的上部；以及基板支撑部，具备到所述沉积空间的下部，安装基板且与所述气体供给部进行相对移动；且所述气体供给模块具备向所述基板供给原料气体的一对原料气体供给通道、及相隔具备到所述一对原料气体供给通道的一侧而向所述基板供给反应气体的反应气体供给通道，且包括在所述一对原料气体供给通道之间排出残留气体的第一排气通道。本发明的薄膜沉积装置在通过原子层沉积法沉积薄膜时，可最大限度地抑制在供给处理气体的气体供给部产生粉末。CN110004432ACN110004432A权利要求书1/2页1.一种薄膜沉积装置，其特征在于，包括：腔室，提供在基板上沉积薄膜的沉积空间；气体供给部，具备至少一个向所述基板供给原料气体与反应气体且排出残留气体的气体供给模块，具备到所述沉积空间的上部；以及基板支撑部，具备到所述沉积空间的下部，安装所述基板且与所述气体供给部进行相对移动；且所述气体供给模块具备向所述基板供给所述原料气体的一对原料气体供给通道、及相隔具备到所述一对原料气体供给通道的一侧而向所述基板供给所述反应气体的反应气体供给通道，且包括在所述一对原料气体供给通道之间排出所述残留气体的第一排气通道。2.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述气体供给模块还具备向所述基板供给吹扫气体的一对第一吹扫气体供给通道，在所述一对原料气体供给通道的外侧配置所述一对第一吹扫气体供给通道。3.根据权利要求2所述的薄膜沉积装置，其特征在于，在所述原料气体供给通道与所述第一吹扫气体供给通道之间无排出所述残留气体的排气通道。4.根据权利要求2所述的薄膜沉积装置，其特征在于，在所述反应气体供给通道与所述第一吹扫气体供给通道之间具备第二排气通道。5.根据权利要求4所述的薄膜沉积装置，其特征在于，在所述气体供给模块的两侧边缘的至少一侧还具备外部排气通道。6.根据权利要求5所述的薄膜沉积装置，其特征在于，在所述外部排气通道的外侧还具备吹扫气体供给通道。7.根据权利要求4所述的薄膜沉积装置，其特征在于，在所述反应气体供给通道的一侧具备所述一对原料气体供给通道与所述一对第一吹扫气体供给通道，在所述反应气体供给通道的另一侧还具备第三排气通道与第二吹扫气体供给通道。8.根据权利要求7所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述一对第一吹扫气体供给通道及所述第二吹扫气体供给通道中的至少一个通道的宽度相对宽于所述原料气体供给通道及所述反应气体供给通道。9.根据权利要求7所述的薄膜沉积装置，其特征在于，在所述气体供给模块的两侧边缘的至少一侧还具备外部排气通道。10.根据权利要求9所述的薄膜沉积装置，其特征在于，在所述反应气体供给通道与所述第一吹扫气体供给通道之间还具备第三吹扫气体供给通道。11.根据权利要求10所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述一对第一吹扫气体供给通道、所述第二吹扫气体供给通道及所述第三吹扫气体供给通道中的至少一个通道的宽度相对宽于所述原料气体供给通道及所述反应气体供给通道。12.根据权利要求1至11中任一项所述的薄膜沉积装置，其特征在于，在所述一对原料气体供给通道的端部还具备对所述原料气体的供给方向进行导引的2CN110004432A权利要求书2/2页导引部。13.根据权利要求12所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述导引部以从所述一对原料气体供给通道供给的所述原料气体朝向所述第一排气通道的方式进行导引。3CN110004432A说明书1/11页薄膜沉积装置技术领域[0001]本发明涉及一种薄膜沉积装置，更详细而言，涉及一种在通过原子层沉积法沉积薄膜时，可最大限度地抑制在供给处理气体的气体供给部产生粉末(powder)的薄膜沉积装置。背景技术[0002]作为用以在半导体晶片等基板(以下，称为“基板”)上形成薄膜的沉积法，一直以来使用化学气相沉积法(ChemicalVaporDeposition，CVD)、原子层沉积法