

沉积装置及沉积方法.pdf
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相关资料
沉积装置及沉积方法.pdf
本发明提供能够以规定的涂覆组成和速度连续涂覆的装置及方法,作为一个实施例,本发明提供一种沉积装置,其为在基板上涂覆2种以上的化合物或元素的沉积装置,包括:供应单元,将所述2种以上的化合物或元素以多个固体形式供应;加热单元,使从所述供应单元供应的固体熔融并蒸发,以形成蒸气;缓冲单元,与所述加热单元连接,并且所述蒸气停留在其中并,与之前生成的蒸气混合;以及喷嘴,与所述缓冲单元连接,并朝向基板形成开口。
薄膜沉积方法以及薄膜沉积装置.pdf
本申请涉及一种薄膜沉积方法以及薄膜沉积装置。薄膜沉积方法包括:将基片放入炉管内,炉管包括用于放置基片的第一区段,第一区段具有反应气体的进气口;在第一预设时间内,将对第一区段进行加热的第一加热模块从第一初始温度加热至第一预设温度,第一加热模块包围第一区段;在第二预设时间内,保持第一加热模块持续处于第一预设温度;在第三预设时间内,将反应气体由进气口通入炉管内,且将第一加热模块由第一预设温度升温至第二预设温度,以于放置于第一区段的基片表面形成目标薄膜。本申请可以通过升温过程中的基片边缘与中央的升温速率差异,平衡
膜层沉积装置及膜层沉积方法.pdf
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种膜层沉积装置及膜层沉积方法。所述膜层沉积装置包括:承载部,用于承载晶圆;喷头,设置于所述承载部上方,用于向所述位于所述承载部的表面的所述晶圆喷射反应气体,所述反应气体用于在所述晶圆表面形成膜层;遮蔽结构,用于遮蔽所述喷头的边缘区域,以降低所述晶圆的边缘区域的所述反应气体浓度。本发明一方面,提高了膜层厚度的均匀性;另一方面,使得在后续刻蚀过程中,边缘区域的膜层能够充分被刻蚀,避免了膜层残留,改善了刻蚀质量。
一种沉积装置和沉积方法.pdf
本发明公开了一种沉积装置和沉积方法。根据本发明实施例的沉积装置包括沉积腔;支撑架,位于所述沉积腔中;以及第二喷头,位于所述沉积腔中,且位于所述支撑架的第一侧,用于提供反应气体,其中,所述支撑架包括边框和与所述边框相连接的多个支撑部;所述多个支撑部分别连接在所述边框的不同位置处,且分别从所述边框的内表面朝向所述边框的中心突出;所述多个支撑部之间形成通过所述反应气体的气体通道。根据本发明实施例的沉积装置和沉积方法,能够同时在晶圆边缘和晶圆背面沉积薄膜,节约了资源。
沉积源及沉积装置.pdf
本发明的沉积源在真空中被电子束加热,使沉积材料蒸发或升华,在移动的基板的表面上通过共沉积形成包含锂的化合物膜,所述沉积源包括:具备冷却部的炉缸内衬;以及收纳在所述炉缸内衬中且内部被放入所述沉积材料的多个内衬。