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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号(10)授权公告号CNCN102951619102951619B(45)授权公告日2014.11.05(21)申请号201110255504.4VerticallyAlignedCadmiumChalcogenideNanowireArraysonMuscoviteMicaA(22)申请日2011.08.31DemonstrationofEpitaxialGrowthStrategy.(73)专利权人深圳光启高等理工研究院《NanoLetters》.2010,第11卷第3051–3057地址518000广东省深圳市南山区高新区中页.区高新中一道9号软件大厦G.DanielLilly,etal..MediaEffecton专利权人深圳光启创新技术有限公司CdTeNanowireGrowth&#8201(72)发明人刘若鹏赵治亚缪锡根熊晓磊:MechanismofSelf-Assembly,Ostwald(74)专利代理机构深圳中一专利商标事务所Ripening,andControlofNWGeometry.《The44237JournalofPhysicalChemistryC》.2007,第代理人张全文112卷(第2期),第370-377页.(51)Int.Cl.审查员杨坤C01B19/04(2006.01)B82Y40/00(2011.01)(56)对比文件姜海涛等.碲化镉纳米线的制备和生长机理分析.《新疆大学学报(自然科学版)》.2005,第22卷(第4期),第425-429页.MuhammadIqbalBaktiUtama,etal..权权利要求书1页利要求书1页说明书3页说明书3页附图1页附图1页(54)发明名称一种碲化镉纳米线及其制备方法(57)摘要本发明提供了一种碲化镉纳米线的制备方法。具体步骤如下:S1.加工基材:洗涤并干燥沸石,在沸石表面镀一层金属膜,将处理过的沸石保存于干燥箱中;S2.将石英管水平放置在高温管式炉中,取纯碲化镉粉末置于气流上风口,处理过的沸石置于气流下风口;S3.将高温管式炉抽成真空,通入惰性气体洗气;S4.继续通入惰性气体,加热碲化镉粉末、沸石;S5.继续通入惰性气体,将碲化镉粉末与沸石一同冷却到室温,生成的碲化镉纳米线附着在沸石表面。本发明制备碲化镉纳米线的方法可操作性强,对实验设备的要求较低,实验过程易控制,通过上述方法制备的碲化镉纳米线表面光滑,形貌较好,具有良好的应用前景。CN102951619BCN102956BCN102951619B权利要求书1/1页1.一种碲化镉纳米线的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1.加工基材:洗涤并干燥沸石,在沸石表面镀一层金属膜,将处理过的沸石保存于干燥箱中;其中,所述沸石表面所镀金属膜为金膜或铋膜;S2.将石英管水平放置在高温管式炉中,取纯碲化镉粉末置于气流上风口,处理过的沸石置于气流下风口;S3.将高温管式炉抽成真空,通入惰性气体洗气;S4.继续通入惰性气体,加热碲化镉粉末、沸石;其中,加热碲化镉粉末的温度控制在600-1000℃,加热沸石的温度控制在400-800℃;S5.继续通入惰性气体,将碲化镉粉末与沸石一同冷却到室温,生成的碲化镉纳米线附着在沸石表面。2.根据权利要求1所述的一种碲化镉纳米线的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述沸石为4A沸石或天然丝光沸石。3.根据权利要求1所述的一种碲化镉纳米线的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,所述纯碲化镉粉末为10-15克。4.根据权利要求1所述的一种碲化镉纳米线的制备方法,其特征在于,所述步骤S3中,所述惰性气体为氩气或氩气、氢气混合气体。5.根据权利要求1所述的一种碲化镉纳米线的制备方法,其特征在于,所述步骤S3中,将所述高温管式炉内气压控制在1×10-4torr-5×10-5torr。6.根据权利要求1所述的一种碲化镉纳米线的制备方法,其特征在于,所述步骤S4中,通入所述惰性气体的流速控制在20-80sccm。7.根据权利要求1所述的一种碲化镉纳米线的制备方法,其特征在于,所述步骤S4中,将高温管式炉内压力控制在0.1-0.2atm。8.根据权利要求1所述的一种碲化镉纳米线的制备方法,其特征在于,所述步骤S4中,所述加热碲化镉粉末、沸石的时间控制在1-2小时。2CN102951619B说明书1/3页一种碲化镉纳米线及其制备方法【技术领域】[0001]本发明涉及纳米线领域,具体地涉及碲化镉纳米线的制备方法。【背景技术】[0002]纳米线是一种二维(横向)长度被限制在一百纳米以下,一维(纵向)相对无限大,拥有显著不同于其块体的电学性能、光学性能的一维材料。碲化镉是II-VI半导体化合物,能对可见光产生良好的光响应,