一种碲化镉的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112194105A(43)申请公布日2021.01.08(21)申请号202011088154.2(22)申请日2020.10.13(71)申请人昆明理工大学地址650093云南省昆明市一二一大街文昌路68号(72)发明人蒋文龙李家荣徐宝强杨斌刘大春李一夫田阳杨佳陈秀敏郁青春王飞孔令鑫熊恒(74)专利代理机构北京高沃律师事务所11569代理人赵琪(51)Int.Cl.C01B19/04(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种碲化镉的制备方法(57)摘要本发明涉及半导体材料技术领域，提供了一种碲化镉的制备方法，将碲和镉混合进行熔炼，得到碲化镉粗品；所述熔炼的保温温度为450～500℃；所述熔炼的压力为0.4～0.6MPa；然后进行真空净化，得到碲化镉。本发明通过采用加压熔炼的方式，降低了碲镉的合成反应温度，且原料利用率同样较高。实施例结果显示，熔炼温度在470℃情况下，即使通过真空提纯后(纯度为99.999％)，产物的收率仍然高达98.5％以上(间接表明粗产物的收率更高)。上述实验结果表明，本发明在降低碲化镉合成温度的情况下，同样具有较高的产率。CN112194105ACN112194105A权利要求书1/1页1.一种碲化镉的制备方法，包括以下步骤：(1)将碲和镉混合后进行熔炼，得到碲化镉粗品；所述熔炼的保温温度为450～500℃；所述熔炼的压力为0.4～0.6MPa；(2)将所述步骤(1)得到的碲化镉粗品进行真空净化，得到碲化镉。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的碲和镉的纯度均为5N或以上。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的碲和镉的物质的量的比为1︰(0.94～1.06)。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的熔炼在惰性氛围下进行。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的惰性氛围包括氮气和/或氩气。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的熔炼的升温速率为250～350℃/h。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的熔炼的保温时间为60～150min。8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中的真空净化的真空度为1～20Pa。9.根据权利要求1或8所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中的真空净化的温度为450～500℃，真空净化的时间为30～90min。2CN112194105A说明书1/4页一种碲化镉的制备方法技术领域[0001]本发明涉及半导体材料技术领域，尤其涉及一种碲化镉的制备方法。背景技术[0002]碲化镉(化学式：CdTe)是一种重要的半导体材料，在光谱分析、太阳能电池、红外调制器、红外窗场致发光器件、光电池、红外探测、X射线探测、核放射性探测器、接近可见光区的发光器件等方面有着重要应用，因此碲化镉的制备显得尤为重要。[0003]目前碲化镉的制备方法主要是采用碲粉和镉粉混合合成。例如，专利CN108069456公开了一种碲化镉制备方法，该方法包括合成和净化两个步骤，首先将碲、镉原料混合装入石英舟中，再将石英舟放入石英管装入到区域熔炼炉中进行加热合成反应，反应完成后再将粗品破碎装入石英管中，封管抽真空装进垂直凝固炉中，加热去除杂质后即得产品。专利CN106495107A同样公开了一种碲化镉的制备方法，该方法包括以下步骤：1)首先碲粉和镉粉按1:1.2～1.25的比重进行混合；2)将混合后的原料进行研磨、搅拌使碲粉和镉粉混合均匀；3)将均匀混合后的原料装入石墨舟中，然后将石墨舟置于合成炉中进行合成；4)将生成的碲化镉材料再次进行研磨，混合；5)经研磨后的碲化镉材料置于加热炉中进行退火处理，即得产品。虽然上述方法均可以在原料利用率较高的情况下，实现碲化镉的制备，但是上述方法均需要在800℃及以上的高温条件下进行。发明内容[0004]鉴于此，本发明的目的在于提供一种碲化镉的制备方法，本发明提供的制备方法原料利用率同样较高，且碲化镉的合成温度在800℃以下。[0005]为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：[0006]本发明提供了一种碲化镉的制备方法，包括以下步骤：[0007](1)将碲和镉混合后进行熔炼，得到碲化镉粗品；所述熔炼的保温温度为450～500℃；所述熔炼的压力为0.4～0.6MPa；[0008](2)将所述步骤(1)得到的碲化镉粗品进行真空净化，得到碲化镉。[0009]优选地，所述步骤(1)中的碲和镉的纯度均为5N或以上。[0010]优选地，所述步骤(1)中的碲和镉的物质的量的比为1︰(0.94～1.06)。[001