一种碲化镉的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106495107A(43)申请公布日2017.03.15(21)申请号201610967139.2(22)申请日2016.10.28(71)申请人乐山凯亚达光电科技有限公司地址614000四川省乐山市夹江县新场镇红旗村5社(72)发明人郭春雨陈俊陈云博于平于清炎干大强(74)专利代理机构成都华风专利事务所(普通合伙)51223代理人徐丰(51)Int.Cl.C01B19/04(2006.01)权利要求书1页说明书2页(54)发明名称一种碲化镉的制备方法(57)摘要本发明公开了一种碲化镉的制备方法，其特征在于顺次包括以下步骤：1）首先碲粉和镉粉按1:1.2~1.25的比重进行混合；2）将混合后的原料进行研磨、搅拌使碲粉和镉粉混合均匀；3）将均匀混合后的原料装入石墨舟中，然后将石墨舟置于合成炉中进行合成；4）将生成的碲化镉材料再次进行研磨，混合；5）经研磨后的碲化镉材料置于加热炉中进行退火处理，温度控制在450~500℃之间，退火时间为1~1.5小时。本发明提高了合成产品的纯度及原料的利用率。CN106495107ACN106495107A权利要求书1/1页1.一种碲化镉的制备方法，其特征在于顺次包括以下步骤：1）首先碲粉和镉粉按1:1.2~1.25的比重进行混合；2）将混合后的原料进行研磨、搅拌使碲粉和镉粉混合均匀；3）将均匀混合后的原料装入石墨舟中，然后将石墨舟置于合成炉中进行合成；所述合成是先通入氮气赶走合成炉内的空气，然后缓慢加热合成炉至150～175℃，保温5～6小时；快速升温至410～480℃,而后停止通入氮气，开始通入氢气；快速升温至950～1000℃,保温1～1.5小时；温度降至30℃后停止通入氢气，出炉；4）将生成的碲化镉材料再次进行研磨，混合；5）经研磨后的碲化镉材料置于加热炉中进行退火处理，温度控制在450~500℃之间，退火时间为1~1.5小时。2.根据权利要求1所述的一种碲化镉的制备方法，其特征在于，所述加热炉的内壁涂覆石墨层。3.根据权利要求1所述的一种碲化镉的制备方法，其特征在于，所述碲粉和镉粉按1:1.22~1.24的比重进行混合，经研磨后的碲化镉材料置于加热炉中进行退火处理，温度控制在460~490℃之间，退火时间为1~2小时。2CN106495107A说明书1/2页一种碲化镉的制备方法技术领域[0001]本发明涉及半导体材料技术领域，具体而言，涉及一种碲化镉的制备方法。背景技术[0002]碲化镉是由镉与碲合成的一种半导体化合物，为棕黑色晶体粉末，不溶于水和酸，能被硝酸分解，其密度为6.20，熔点为1041℃,禁带宽度为1.46eV,是理想的光电转换材料。[0003]目前，碲化镉的合成方法有多种多样，较早的碲化镉的合成方法是将热棒插入磅和镉的混合粉末中，加热到500℃,而生成。该方法采用热棒加热的方式，温度不够均匀，反应不够充分。公开号为CN1380246A的中国发明专利公开了一种磅化镉粉末的制备方法，该方法采用镉粉和碲粉在真空条件的坩埚内合成，合成的温度是在镉的熔点下进行反应的，合成后经过研磨退火处理，其不足之处是合成率难以保证。发明内容[0004]本发明的目的在于提供一种碲化镉的制备方法，以解决现有技术的不足。[0005]为实现本发明目的，采用的技术方案为：一种碲化镉的制备方法，其特征在于顺次包括以下步骤：1）首先碲粉和镉粉按1:1.2~1.25的比重进行混合；2）将混合后的原料进行研磨、搅拌使碲粉和镉粉混合均匀；3）将均匀混合后的原料装入石墨舟中，然后将石墨舟置于合成炉中进行合成；所述合成是先通入氮气赶走合成炉内的空气，然后缓慢加热合成炉至150～175℃，保温5～6小时；快速升温至410～480℃,而后停止通入氮气，开始通入氢气；快速升温至950～1000℃,保温1～1.5小时；温度降至30℃后停止通入氢气，出炉；4）将生成的碲化镉材料再次进行研磨，混合；5）经研磨后的碲化镉材料置于加热炉中进行退火处理，温度控制在450~500℃之间，退火时间为1~1.5小时。[0006]进一步地，所述加热炉的内壁涂覆石墨层。[0007]进一步地，所述碲粉和镉粉按1:1.22~1.24的比重进行混合，经研磨后的碲化镉材料置于加热炉中进行退火处理，温度控制在460~490℃之间，退火时间为1~2小时。[0008]本发明的有益效果是：本发明先将碲粉末和镉粉末进行均匀混合处理，使两种原料充分混合均匀，有利于后续反应的进行，同时还能够克服镉粉末易被氧化的缺陷，使两种原料能够在较低的温度下进行初步合成，同时提高了合成产品的纯度及原料的利用率。具体实施方式[0009]下面通过具体的实施例子对本发明做进一步的详细描述。[0010]实施例1：