SiC化学气相沉积装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111349908A(43)申请公布日2020.06.30(21)申请号201911239990.3(22)申请日2019.12.06(30)优先权数据2018-2398792018.12.21JP(71)申请人昭和电工株式会社地址日本东京都(72)发明人梅田喜一奥野好成金田一麟平(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人苏琳琳李慧(51)Int.Cl.C23C16/32(2006.01)C23C16/455(2006.01)C30B29/36(2006.01)C30B25/14(2006.01)权利要求书1页说明书8页附图4页(54)发明名称SiC化学气相沉积装置(57)摘要本发明提供一种SiC化学气相沉积装置，上述SiC化学气相沉积装置具有：炉体，其在内部构成沉积空间；和载置台，其位于上述沉积空间内，且在载置面载置SiC晶片，上述炉体具有：第1孔，其位于与上述载置面对置的上部，向上述沉积空间内导入原料气体；第2孔，其位于上述炉体的侧壁，供吹扫气体流入上述沉积空间内；以及第3孔，其位于上述炉体的侧壁的比上述第2孔靠下方的位置，将上述沉积空间内的气体排出，在上述第2孔的下端具备突出部，该突出部朝向上述沉积空间突出，调整上述原料气体的流动。CN111349908ACN111349908A权利要求书1/1页1.一种SiC化学气相沉积装置，其中，具有：炉体，其在内部构成沉积空间；和载置台，其位于所述沉积空间内，且在载置面载置SiC晶片，所述炉体具有：第1孔，其位于所述炉体的与所述载置面对置的上部，向所述沉积空间内导入原料气体；第2孔，其位于所述炉体的侧壁，供吹扫气体流入所述沉积空间内；以及第3孔，其位于所述炉体的侧壁的比所述第2孔靠下方的位置，将所述沉积空间内的气体排出，在所述第2孔的下端具备突出部，该突出部朝向所述沉积空间突出，调整所述原料气体的流动。2.根据权利要求1所述的SiC化学气相沉积装置，其中，所述炉体从上方开始具备第1部分、第2部分以及第3部分，所述第1部分的内径比所述第3部分的内径小，所述第2部分将所述第1部分与所述第3部分接合，所述第1孔位于所述第1部分，所述第2孔和所述突出部位于所述第2部分，所述第3孔位于所述第3部分。3.根据权利要求1所述的SiC化学气相沉积装置，其中，所述突出部遍及所述炉体的侧壁的整周呈圆环状地存在。4.根据权利要求1所述的SiC化学气相沉积装置，其中，所述突出部相对于所述载置面平行。5.根据权利要求1所述的SiC化学气相沉积装置，其中，所述突出部从所述炉体的侧壁朝向所述沉积空间相对于所述载置面向上倾斜。6.根据权利要求1所述的SiC化学气相沉积装置，其中，在俯视观察所述载置面时，所述突出部的所述成膜空间侧的第1端位于比载置于所述载置面的SiC晶片的外周靠外侧的位置。7.根据权利要求1所述的SiC化学气相沉积装置，其中，所述第2孔位于所述炉体的侧壁的整周上。2CN111349908A说明书1/8页SiC化学气相沉积装置技术领域[0001]本发明涉及SiC化学气相沉积装置。[0002]本申请根据在2018年12月21日向日本申请的特愿2018-239879号要求优先权，在此引用其内容。背景技术[0003]碳化硅(SiC)与硅(Si)相比具有以下特性：绝缘击穿电场大1个数量级，带隙大3倍，热导率高3倍左右等。碳化硅具有这些特性，因此可期望应用于功率器件、高频器件、高温工作器件等。因此，近年来，在上述那样的半导体器件中使用SiC外延晶片。[0004]对SiC外延晶片而言，作为用于使SiC外延膜形成的基板，通常使用由利用升华法等制作的SiC的块状单晶进行加工而成的SiC单晶晶片(SiC晶片)而形成。具体而言，在上述基板之上，通过利用化学气相沉积法(ChemicalVaporDeposition：CVD)使成为SiC半导体器件的活性区域的SiC外延膜生长，从而制造SiC外延晶片。此外，在本说明书中，SiC外延晶片是指形成SiC外延膜后的晶片。SiC晶片是指在其上形成SiC外延膜前的晶片。[0005]SiC半导体器件因生长的SiC外延膜的厚度、组成、添加的杂质的浓度等偏差，其性能发生变化。因此，要求在SiC晶片等被处理体上均匀地形成薄膜。[0006]为了在被处理体上均匀地形成薄膜，重要的是，相对于被处理体均匀地供给原料气体，并抑制在晶片产生缺陷等的附着物的产生。因此，进行了各种研究。[0007]例如，专利文献1记载有将原料气体一次供给到处理室，进而经由喷淋部件向炉内均匀地供给原料气体的单片炉形的CVD处理装置。另外，也记载有为了减小从该喷淋部件向炉内导入的原料气体的动压不均，将朝向处理室的原料气体的导入口