化学气相沉积装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109778144A(43)申请公布日2019.05.21(21)申请号201811323045.7(22)申请日2018.11.08(30)优先权数据2017-2180612017.11.13JP(71)申请人昭和电工株式会社地址日本东京都(72)发明人石桥直人深田启介梅田喜一儿玉友弘(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所11247代理人刘航段承恩(51)Int.Cl.C23C16/455(2006.01)H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称化学气相沉积装置(57)摘要一种化学气相沉积装置，具备在内部进行气相生长的反应炉和从所述反应炉排出气体的排气配管，所述排气配管具有至少1个弯曲部，在所述弯曲部具备从所述弯曲部向不同的方向延伸出且在内部具有堆积物的存积空间的至少1个配管延长部。CN109778144ACN109778144A权利要求书1/1页1.一种化学气相沉积装置，具备：在内部进行气相生长的反应炉；和从所述反应炉排出气体的排气配管，所述排气配管具有至少1个弯曲部，在所述弯曲部具备从所述弯曲部延伸出且在内部具有堆积物的存积空间的至少1个配管延长部。2.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，所述配管延长部位于向所述弯曲部流入的气体的流动方向的延长线上。3.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，相对于一个所述弯曲部，包含多个所述配管延长部。4.根据权利要求3所述的化学气相沉积装置，所述配管延长部分别位于向所述弯曲部流入的气体的流动方向的延长线上、和与从所述弯曲部流出的气体的流出方向相反的一侧。5.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，所述配管延长部的长度为5cm以上且30cm以下。6.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，在所述反应炉中进行的气相生长为SiC的外延生长。7.根据权利要求6所述的化学气相沉积装置，所述SiC的外延生长为使用了Cl系气体的外延生长。8.根据权利要求6所述的化学气相沉积装置，使用时的所述反应炉内的压力为2kPa以上且50kPa以下。2CN109778144A说明书1/5页化学气相沉积装置技术领域[0001]本发明涉及化学气相沉积装置。[0002]本申请基于在2017年11月13日在日本申请的专利申请2017-218061号要求优先权，将其内容援引于此。背景技术[0003]化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition：CVD)装置被广泛地用作为各种各样的层的成膜手段。例如，在碳化硅(SiC)的外延膜的生长中也利用化学气相沉积装置。[0004]在使用了CVD法的成膜中，向反应炉内供给气体，来在基板表面生长出结晶。[0005]供给至反应炉内的气体之中的未反应的气体从排气配管排出。该未反应的气体在排气配管内发生反应从而以副产物的形式堆积，有时阻塞排气配管。[0006]排气配管的阻塞是CVD装置的不良情况的原因的之一。为了防止排气配管的阻塞，需要进行定期性的清扫。清扫的期间不能够开动CVD装置，因此使CVD装置的生产能力大幅地降低。[0007]在专利文献1中记载了一种在排气配管的弯曲部具备具有堆积物除去单元的配管延长部的化学气相沉积装置。在专利文献1中记载了能够通过利用堆积物除去单元击溃堆积物来除去堆积物。[0008]在先技术文献[0009]专利文献[0010]专利文献1：日本特开2009-94194号公报发明内容[0011]然而，专利文献1中记载的化学气相沉积装置，存在堆积物堵塞在配管延长部与堆积物除去单元之间从而堆积物除去单元变得不能发挥作用的情况。另外，存在在推顶堆积物的前方再次产生堆积物的问题。[0012]本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的是提供抑制了排气配管的阻塞的化学气相沉积装置。[0013]本发明人进行了深入研究的结果，并不是想要除去堆积物的构思，而是研究了使堆积物选择性地产生于规定的位置。其结果，本发明人发现：若限定堆积物的产生部位，则能抑制在其他部分上的堆积物的产生，能够防止排气配管的阻塞。[0014]即，本发明为了解决上述课题而提供以下的方案。[0015](1)第1方式涉及的化学气相沉积装置，具备在内部进行气相生长的反应炉和从上述反应炉排出气体的排气配管，上述排气配管具有至少1个弯曲部，在上述弯曲部具备从上述弯曲部延伸出且在内部具有存积空间的至少1个配管延长部。[0016]上述第1方式的装置，优选地包含以下的特征。也优选以下的特征相互组合。[0017](2)在上述方式涉及的化学气相沉积装置中，上述配管延长部可以位于向上述弯3CN109778144A说明书2/5页曲部流入的气体的流动方向的延长线上。[0018](3)在上述方式涉及的化学气相沉积装置中