长晶炉及长晶炉均匀散热的控制方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103741211103741211A(43)申请公布日2014.04.23(21)申请号201310702144.7(22)申请日2013.12.19(71)申请人镇江环太硅科技有限公司地址212216江苏省镇江市扬中市化工园区(72)发明人吕学旻王禄堡(74)专利代理机构上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙)31258代理人季萍(51)Int.Cl.C30B28/06(2006.01)C30B29/06(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书3页说明书3页附图1页附图1页(54)发明名称长晶炉及长晶炉均匀散热的控制方法(57)摘要本发明公开了一种长晶炉，包括：炉体；位于所述炉体内的坩埚；形成于所述炉体内壁上的保温板，所述的保温板包括水平设置于所述坩埚顶端的上保温内侧板，以及竖直分布于所述坩埚四周的下保温板，所述下保温板贴近所述坩埚底端边缘处的厚度小于下保温内板其他位置的厚度。本发明还公开了一种长晶炉均匀散热的控制方法。本发明通过长晶炉下保温内侧板几何形状的变更设计，我们就可利用保温板厚度变薄，保温效果变差的原理，将固有硅碇底侧边散热较慢的情形加以改善，而达到整体硅碇底部均匀散热的目的。避免定向垂直长晶时局部区域晶体结构错位(Dislocation)缺陷的增加，使硅碇整体转换效率得以提升。CN103741211ACN103742ACN103741211A权利要求书1/1页1.一种长晶炉，其特征在于，包括：炉体；位于所述炉体内的坩埚；形成于所述炉体内壁上的保温板，所述的保温板包括水平设置于所述坩埚顶端的上保温内侧板，以及竖直分布于所述坩埚四周的下保温板，所述下保温板贴近所述坩埚底端边缘处的厚度小于下保温内板其他位置的厚度。2.根据权利要求1所述的长晶炉，其特征在于：所述下保温板贴近所述坩埚底端边缘处的厚度比下保温内板其他位置的厚度小0.5~1cm。3.根据权利要求1所述的长晶炉，其特征在于：所述下保温板设置为两层，包括下保温内侧板以及位于所述下保温内侧板与炉体内壁之间的下保温外侧板。4.根据权利要求3所述的长晶炉，其特征在于：所述下保温内侧板贴近所述坩埚底端边缘处的厚度比下保温内侧板其他位置的厚度小0.5~1cm。5.根据权利要求4所述的长晶炉，其特征在于：所述下保温内侧板贴近所述坩埚的一面开设有矩形凹槽。6.根据权利要求5所述的长晶炉，其特征在于：所述矩形凹槽的左右宽度为0.5~1cm。7.根据权利要求6所述的长晶炉，其特征在于：所述矩形凹槽的上下高度为17~20cm。8.根据权利要求1所述的长晶炉，其特征在于：所述保温板的材质为石墨硬毡。9.一种长晶炉均匀散热的控制方法，其特征在于，对坩埚底端边缘处对应的保温板的厚度进行减薄，达到整体硅碇底部均匀散热。10.根据权利要求9所述的长晶炉均匀散热的控制方法，其特征在于：所述保温板减薄的厚度为0.5~1cm。2CN103741211A说明书1/3页长晶炉及长晶炉均匀散热的控制方法技术领域[0001]本申请属于太阳能光伏产业领域，特别是涉及一种长晶炉及长晶炉均匀散热的控制方法。背景技术[0002]现阶段，由于光伏产业界营运艰困，各制造商无不挖空心思去降本、增加铸碇可利用率及最重要的提升硅片转换效率。于此之时，各多晶炉设备商无法提供简易、平价而有效的硅碇底部散热均匀性改善的技术服务。[0003]现有的GT长晶炉，多晶硅碇的成长，主要是透过硅碇底部的石墨散热块以热幅射及对流方式来排除热量，便于形成硅碇晶粒成长所需的过冷区。由于长晶炉设计先天上的缺陷，故现有GT炉的铸碇技术都普遍的存在底部散热不均的现象。如此一来，往上进行定向垂直长晶时，晶粒成长方向定会杂乱无章，形成局部区域晶体结构错位(Dislocation)缺陷的增加，最终导致硅碇整体转换效率的下降。发明内容[0004]本发明的目的提供一种长晶炉及长晶炉均匀散热的控制方法，解决了现有技术中底部散热不均的问题。[0005]为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种长晶炉，包括：炉体；位于所述炉体内的坩埚；形成于所述炉体内壁上的保温板，所述的保温板包括水平设置于所述坩埚顶端的上保温内侧板，以及竖直分布于所述坩埚四周的下保温板，所述下保温板贴近所述坩埚底端边缘处的厚度小于下保温内板其他位置的厚度。[0006]优选的，在上述的长晶炉中，所述下保温板贴近所述坩埚底端边缘处的厚度比下保温内板其他位置的厚度小0.5~1cm。[0007]优选的，在上述的长晶炉中，所述下保温板设置为两层，包括下保温内侧板以及位于所述下保温内侧板与炉体内壁之间的下保温外侧板。[0008]优选的，在上述的长晶炉中，所述下保温内侧板贴近所述坩埚底端边缘处的厚度