长晶炉校验系统和长晶炉校验方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109023512A(43)申请公布日2018.12.18(21)申请号201810997982.4(22)申请日2018.08.29(71)申请人上海新昇半导体科技有限公司地址201306上海市浦东新区泥城镇云水路1000号(72)发明人凌志鹏朴星昱车贤湖(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人刘翔(51)Int.Cl.C30B15/20(2006.01)C30B15/32(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图3页(54)发明名称长晶炉校验系统和长晶炉校验方法(57)摘要本发明提供了一种长晶炉校验系统和一种利用所述校验系统的长晶炉校验方法。所述校验系统包括设置于基座上表面中心点的第一激光源以及水平设置于基座上方的半透明挡板，打开第一激光源且令基座绕旋转轴旋转，通过第一激在半透明挡板上形成的第一光斑的运动轨迹来调整基座的水平程度。所述校验系统还可用于校验基座与籽晶夹头的同心程度，设置于籽晶夹头上的第二激光源在半透明挡板上形成第二光斑，通过第一光斑和第二光斑的重合程度调整基座与籽晶夹头的同心程度。本发明的长晶炉校验方法利用上述校验系统，由于激光束的位置和运动轨迹较容易分辨，因而可提高校验的准确性和效率。CN109023512ACN109023512A权利要求书1/1页1.一种长晶炉校验系统，用于校验位于长晶炉腔室内的基座的水平程度，所述基座可绕纵向设置的旋转轴旋转，其特征在于，所述校验系统包括：第一激光源，所述第一激光源设置于所述基座的上表面中心点，由所述第一激光源发出的第一激光束沿远离所述基座的方向并与所述基座的上表面垂直；以及半透明挡板，所述半透明挡板沿水平方向设置于所述基座的上方；其中，校验时，打开所述第一激光源，且令所述基座绕所述旋转轴旋转，所述第一激光束在所述半透明挡板上形成第一光斑，通过所述第一光斑的运动轨迹来调整所述基座的水平程度。2.如权利要求1所述的校验系统，其特征在于，所述旋转轴的延长线与所述半透明挡板所在平面相交于一垂点，所述半透明挡板上设置有以所述垂点为中心的对位标记。3.如权利要求2所述的校验系统，其特征在于，所述对位标记包括三角形、方形、菱形、五边形、六边形、十字形、米字形、弧形、圆形、椭圆形中的一个或者多个的组合。4.如权利要求2所述的校验系统，其特征在于，所述对位标记为以所述垂点为圆心的圆形，在校验时，当所述第一光斑的运动轨迹位于所述圆形范围内时，判断所述基座的水平程度通过校验。5.如权利要求1所述的校验系统，其特征在于，还用于校验所述基座与位于长晶炉腔室内的籽晶夹头的同心程度，所述半透明挡板位于所述籽晶夹头的下方，所述校验系统还包括：第二激光源，所述第二激光源设置于所述籽晶夹头上，所述第二激光源所发出的第二激光束沿所述籽晶夹头的纵向轴线朝向所述半透明挡板，所述第二激光束在所述半透明挡板上形成第二光斑；其中，校验时，打开所述第一激光源和所述第二激光源，通过所述第一光斑和所述第二光斑的重合程度来调整所述基座与所述籽晶夹头的同心程度。6.如权利要求5所述的校验系统，其特征在于，所述第二光斑与所述第一光斑均位于所述半透明挡板的远离所述基座的表面。7.如权利要求5所述的校验系统，其特征在于，所述第一激光束和所述第二激光束的波长差大于或等于30nm。8.如权利要求5所述的校验系统，其特征在于，所述第一激光源和所述第二激光源均为激光笔。9.如权利要求5所述的校验系统，其特征在于，所述半透明挡板对于所述第一激光束和/或所述第二激光束的透光率为40％～60％。10.一种长晶炉校验方法，利用如权利要求5至9任一项所述的校验系统，用于校验所述基座的水平程度以及所述基座与所述籽晶夹头的同心程度，其特征在于，所述校验方法包括：打开所述第一激光源，且令所述基座绕所述旋转轴旋转，以在所述半透明挡板上显示出所述第一光斑的运动轨迹，通过所述第一光斑的运动轨迹来调整所述基座的水平程度；以及打开所述第二激光源，以在所述半透明挡板上同时显示出所述第一光斑和所述第二光斑，通过所述第一光斑和所述第二光斑的重合程度来调整所述基座与所述籽晶夹头的同心程度。2CN109023512A说明书1/6页长晶炉校验系统和长晶炉校验方法技术领域[0001]本发明涉及半导体设备技术领域，特别涉及长晶炉校验系统和长晶炉校验方法。背景技术[0002]长晶炉是一种用于合成晶体的设备，通过在一定温度、真空度等条件下使原料在固相、液相和固相之间转换，形成具有特定线度尺寸的晶体。常用的长晶炉有单晶硅长晶炉、蓝宝石长晶炉等。[0003]图1是现有的一种长晶炉的示意图。如图1所示，所述长晶炉包括腔室(或炉腔)100，在腔室100内部的下方设置有基座110