一种用于快速降温的炉体.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN104561456A(43)申请公布日2015.04.29(21)申请号201510032496.5(22)申请日2015.01.22(71)申请人北京七星华创电子股份有限公司地址100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号(72)发明人孙少东周厉颖(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275代理人陶金龙张磊(51)Int.Cl.C21D1/00(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图5页(54)发明名称一种用于快速降温的炉体(57)摘要本发明涉及半导体工艺设备技术领域，尤其涉及一种用于快速降温的炉体，在所述炉体的保温层内设有分别沿所述炉体轴向和周向延伸的纵向风道和横向风道，所述炉体底部的保温块上设有环形凹槽状的进风环，所述进风环上设有进风口，所述纵向风道连通所述进风口；所述横向风道的一端连通所述纵向风道，另一端连通所述炉体的炉膛，所述炉膛与所述出风口连通。通过纵向风道和横向风道可以获得较快的降温速率，使得工艺时间变短，保证了片子成膜的质量，降低了生产成本。CN104561456ACN104561456A权利要求书1/1页1.一种用于快速降温的炉体，其特征在于，所述炉体底部的保温块上设有环形凹槽状的进风环，所述进风环上设有进风口，所述炉体的顶部设有出风口，所述炉体的保温层内设有分别沿所述炉体轴向和周向延伸的纵向风道和横向风道，所述纵向风道连通所述进风环；所述横向风道的一端连通所述纵向风道，另一端连通所述炉体的炉膛，所述炉膛与所述出风口连通。2.根据权利要求1所述的炉体，其特征在于，所述炉体的保温层内设有多个并排设置的所述横向风道，从所述炉体顶部至底部方向，相邻两个横向风道之间的间距逐渐变大。3.根据权利要求1或2所述的炉体，其特征在于，所述横向风道与所述炉体的轴心呈预设夹角分布。4.根据权利要求1所述的炉体，其特征在于，还包括进排风阀门控制单元，所述出风口处设有排风阀门，所述进风口处设有进风阀门，所述排风阀门的出风口与所述进排风阀门控制单元的排风管道对接，所述进风阀门的进风口与所述进排风阀门控制单元的供风管道对接。5.根据权利要求4所述的炉体，其特征在于，所述排风阀门由排风阀门驱动单元驱动，由位置开关检测排风阀门的阀门板的位置，以反馈所述排风阀门的开闭状态。6.根据权利要求4所述的炉体，其特征在于，所述进风阀门由进风阀门驱动单元驱动，由位置开关检测进风阀门的阀门板位置，以反馈所述进风阀门的开闭状态；所述进风阀门驱动单元为进风阀门驱动气缸，该进风阀门驱动气缸通过联轴器与所述进风阀门的转轴连接。7.根据权利要求4所述的炉体，其特征在于，所述进排风阀门控制单元包括排风气缸、不少于一个的进风气缸；所述排风气缸的通过调速阀、第一换向电磁阀与所述排风管道连通；所述进风气缸通过第二换向电磁阀与所述供风管道连通。2CN104561456A说明书1/4页一种用于快速降温的炉体技术领域[0001]本发明涉及半导体工艺设备技术领域，尤其涉及一种可以对炉体内的晶圆进行快速降温的炉体。背景技术[0002]在半导体的快速降温的热处理工艺中，需要对晶圆进行快速降温。现有技术中，通常将晶圆放置于炉体的晶舟内，通过炉体对晶圆进行降温处理。[0003]现有技术中，用于降温处理的炉体通常包括加热丝、工艺管、晶舟和温控热偶，该炉体的底部设有工艺门，温控热偶固定安装在工艺管上。可见这种炉体不具有快速降温的功能，通过自然降温对晶圆进行降温，自然降温速率慢，造成工艺时间长，片子成膜的质量不易保证，成产成本高等缺点。[0004]而且，由于温控热偶固定安装在工艺管上，由于炉体降温时温度变化梯度大，温控热偶与晶圆的真实温度相差大，对工艺过程控制不利。[0005]因此，如何对炉体内的晶圆进行快速降温，已成为本领域技术人员亟待解决的技术难题。发明内容[0006]本发明目的是提供一种用于快速降的炉体，可以快速对晶圆进行快速降温。[0007]为了实现上述目的，本发明提供了一种用于快速降温的炉体，所述炉体底部的保温块上设有环形凹槽状的进风环，所述进风环上设有进风口，所述炉体的顶部设有出风口，所述炉体的保温层内设有分别沿所述炉体轴向和周向延伸的纵向风道和横向风道，所述纵向风道连通所述进风环；所述横向风道的一端连通所述纵向风道，另一端连通所述炉体的炉膛，所述炉膛与所述出风口连通。[0008]优选的，所述炉体的保温层内设有多个并排设置的所述横向风道，从所述炉体顶部至底部方向，相邻两个横向风道之间的间距逐渐变大。[0009]优选的，所述横向风道与所述炉体的轴心呈预设夹角分布。[0010]优选的，还包括进排风阀门控制单元，所述出风口处设有排风阀门，所述进风口处设有进风阀门，所述排风阀门的出风口