氮化法生产高纯β相氮化硅的制备方法.pdf
岚风****55
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氮化法生产高纯β相氮化硅的制备方法.pdf
本发明涉及氮化法生产高纯β相氮化硅的制备方法,由硅粉在充有氮气的氮气炉中高温氮化而成。本发明在低压条件下反应,相对其他方法安全性更好;对原料气体都进行预处理保证产品纯度;添加氯化铵试剂;本发明采用智能控温系统,操作简便,反应稳定,产品质量稳定本发明设备简单,成本小,产量高。
一种高纯高α相氮化硅粉体的制备方法.pdf
本发明属于新材料领域,提供了一种高纯高α相氮化硅粉体的制备方法,依次按照以下步骤进行:(1)选用高纯度硅粉作为原料,对其表面进行活化处理;(2)由高纯硅粉与氮化硅粉混合均匀,压块,装炉;(3)抽真空达到(1.0~4.0)×10
一种高纯α相氮化硅粉末的制备方法及制备设备.pdf
一种高纯α相氮化硅粉末的制备方法及制备设备,涉及高熔点氮化物粉体制备技术领域。高纯硅粉物料和催化剂自进料斗进入进料仓中,通入高纯氮气,通过进料仓中气旋处理,使粉体物料以均匀气流粉体形态进入等离子体反应器中;启动等离子弧发生器,形成等离子电弧焰流,在催化剂的催化作用下,高纯硅粉物料粉体气流经过等离子电弧焰流快速反应,从而获得非晶态的氮化硅粉体;最后经过管式炉进行煅烧获得高纯α相氮化硅。本发明将经过等离子体气相反应生成的非晶态氮化硅直接进行煅烧,从而获得高纯α相氮化硅。其α相含量为90%左右,β相含量约为10
高α相氮化硅粉体的生产方法.pdf
高α相氮化硅粉体的生产方法,包括以下步骤:A:将硅粉研磨粉碎至D90为6μm;B:将研磨好的硅粉装入匣钵中,装料厚度在15‑30mm之间;C:将多个装好硅粉的匣钵上下叠放成一摞,叠放后的一摞中的各匣钵中硅粉的厚度总和小于等于300mm;D:将多摞装好硅粉的匣钵放入真空加热炉,多摞装好硅粉的匣钵中的硅粉的总重量为70‑100kg,多摞装好硅粉的匣钵呈阵列形式;E:将真空加热炉气压抽到100Pa以下;F:充入氮气至60kPa;G:升温反应。采用本方法规模化生产氮化硅,可以获得高α相含量。
一种高纯氮化硅粉末的制备方法.pdf
本发明提供了一种高纯氮化硅粉末的制备方法,包括如下步骤:将水溶性淀粉分散于水中,并加热至80℃,糊化45min得糊化物,然后将糊化物冷却至50℃,向糊化物中加入二氧化硅粉末和烧结助剂,搅拌至混合均匀,再经过滤、干燥、过筛即得前驱体,所述烧结助剂为纳米氮化硅;将所得前驱体放入烧结炉中,排除炉内空气,并通入氨气/氢气混合气作为反应气氛,烧结温度为1350~1450℃,烧结时间为5h,得到烧结产物;将所得烧结产物置于脱碳炉中,于700℃空气氛围下保温2h,即得到高纯氮化硅粉末。本发明方法在低温常压下即可制备得到