一种一维氮化硅纳米粉体及其制备方法.pdf

本发明涉及一种一维氮化硅纳米粉体及其制备方法。其技术方案是：将90～99wt％的单质硅粉和1～10wt％的铬粉混合均匀，在压力为20～60MPa条件下压制成型；再将成型后的坯体置入管式电阻炉内，在氮气气氛中以2～10℃/min的速率升温至1200～1400℃，保温2～8小时，即得一维氮化硅纳米粉体。其中：所述单质硅粉中的Si含量≥95wt％，粒径≤88μm；所述铬粉中的Cr含量≥95wt％，粒径≤10μm。本发明具有反应温度低、成本低、合成工艺简单、产物形貌易于控制和产率高的特点；所制备的一维氮化硅纳米粉

2023-06-19

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一种制备高纯度氮化硅微纳米粉体的方法.pdf

本发明公开了一种制备高纯度氮化硅微纳米粉体的方法，其包括（1）以氮气作为载气的气流，将四氯化硅与氨气通入内壁有氮化硅衬底的管式垂直反应器（2）将所得混合物质于液氨中冷却，除液氨得亚氨基硅初级粉体；（3）将初级粉体在氨气中纯化后再精制；（4）将精制粉体与氨气混合通入管式炉收集粉尘即得高纯氮化硅微纳米粉体。本发明通过气相法降低了亚氨基硅颗粒粒径，并经过液氨的反复纯化获得高纯的亚氨基硅，然后分解亚氨基硅获得了高纯氮化硅微纳米粉体，其可以用作多晶硅铸锭坩埚的衬底材料，还可以用于高端电子和半导体封装及零部件的制造，

2023-06-20

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一种氮化硅镁粉体及其制备方法.pdf

本发明涉及一种氮化硅镁粉体及其制备方法。其技术方案是：以10~15wt%的镁粉、15~25wt%的二氧化硅和65~75wt%的无机盐为原料，混合0.5~1h；然后在0.1~1MPa和氮气气氛条件下，以5~10℃/min的速率升温至中间温度；再以3~5℃/min的速率升温至烧成温度，保温1~7h，随炉冷却，洗涤，干燥，制得氮化硅镁粉体。其中：所述烧成温度为900~1300℃，中间温度与烧成温度的温度差为100~200℃。本发明具有生产工艺简单、生产周期短、原料资源丰富和生产成本低廉的特点；所制备的氮化硅镁粉

2023-06-18

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一种氮化硅粉体及其制备方法.pdf

本发明具体涉及一种氮化硅粉体及其制备方法。其技术方案是：先将硅粉与蒸馏水以固液质量比为1︰(50~80)混合，搅拌，超声分散，制得悬浮液；以Si与Co的质量比为1︰(0.005~0.05)向所述悬浮液中加入0.88mol/L水溶性钴盐，制得混合液；然后在氮气气氛和冰水浴的条件下向所述混合液中加入还原剂，还原剂与Co的摩尔比为(2~5)︰1，搅拌；再将还原后的混合液抽滤，真空干燥，制得混合粉体；最后将所述混合粉体置于管式气氛炉内，在氮气气氛下升温至1200~1350℃，保温2~8h，即得氮化硅粉体。本发明具

2023-06-19

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一种铝酸锌纳米粉体及其制备方法.pdf

本发明提供了一种铝酸锌纳米粉体及其制备方法，所述制备方法包括：1)将可溶性铝盐和锌盐加入水溶液中，搅拌下升温至40～70℃，水浴恒温20min～60min，得到混合溶液；2)向步骤1)得到的混合溶液中加入形貌控制剂，并在搅拌下使形貌控制剂溶解，所述形貌控制剂浓度为0.01?2mol/L；3)向步骤2)得到的混合溶液中加入尿素，在40～70℃下恒温1～5h；所述形貌控制剂与尿素的摩尔比例为1:100～1:10；4)将步骤3)得到的混合溶液转移到高压反应釜中，并在120～180℃反应2～8h后，将所得产物洗涤

2023-08-18

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