硅单晶拉制方法.pdf
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硅单晶拉制方法.pdf
一种硅单晶拉制方法包括如下步骤:全熔稳定,将坩埚内的硅料熔化,待所述硅料完全熔化后将功率降至引晶功率;然后将所述坩锅转开至引晶转速稳定熔体;引晶,高温熔接,采用Dash缩颈排除位错法引晶;放肩;转肩;等径,手动控制晶体等径生长至所需长度,待直径控制均匀、拉速稳定后自动控制所述晶体生长;收尾;以及停炉。采用本发明的方法拉制的硅单晶,单晶头部空位团明显减少,头部氧含量也较现有方法制备的单晶低,采用本发明的方法拉制硅单晶制备的电池不会出现黑心片问题。
直拉硅单晶炉装置及硅单晶拉制方法.pdf
本发明提供了一种提高单晶硅纯度的直拉单晶硅炉装置以及单晶硅拉制方法,该单晶炉装置的特征在于,在炉腔(16)中硅熔体(14)的上方设置一个两端开口长筒形的罩体(5),所述罩体(5)的上端设置于炉腔的上部,开口正对着副室,或设置于副室(1)内,罩体(5)与硅熔体(14)液面接近的一端与硅熔体(14)液面具有一间距。在单晶硅拉制过程中,将惰性气体从副室(1)流向罩体(5),再沿着罩体(5)从其下端流出,最终经排气口(12)排出。利用带有罩体的单晶炉装置以及拉制方法所得的单晶硅的纯度比现有技术的方法所得单晶的纯度
区熔硅单晶收尾方法和拉制方法.pdf
本申请涉及一种区熔硅单晶收尾方法和拉制方法,其中收尾方法包括:在当前生长单晶体的工艺达到结束等径生长并开启收尾的条件时,关闭等径生长操作,控制拉制单晶体的区熔单晶炉的上轴和下轴停止下降,并降低功率;在单晶固液交界面开始收缩时,控制下轴开启下降,并在单晶收尾腰开始变细时,控制上轴开启下降,并继续降低功率预设时间;反复执行上述操作,直至达到预设条件后,控制上轴开始上升,并在单晶固液交界面的直径缩小至第一预设数值时,将多晶原料与单晶体分离。其相较于相关技术中的慢收尾方式,既可以有效解决单晶位错的问题,同时还可以
重掺硼硅单晶棒的拉制方法.pdf
本发明公开了一种重掺硼硅单晶棒的拉制方法,其特征在于,使用封闭热场拉制硅单晶棒,封闭热场内设置有石英坩埚,所述石英坩埚尺寸为14寸,每次拉制投料量为22kg-27kg;封闭热场内氩气流量为50-60L/min;炉内压力为10-15Torr;坩埚转速为5-15rpm。本发明中的重掺硼硅单晶棒的拉制方法,晶棒头部的氧含量低于26ppma;尾部氧含量低于23.9ppma。
一种区熔硅单晶的拉制方法.pdf
本发明提供一种区熔硅单晶的拉制方法,包括装炉、化料、引晶、细颈生长、放肩、等径生长、收尾、冷却、拆炉等过程,在对多晶硅进行加热前,向区熔炉内充入氩气和氮气的混合气体,其中氮气与氩气的体积比为0.05%-20%,收尾后停止充入氩气和氮气。本发明在有效防止高温下气体电离造成的线圈打火击穿的同时,降低了硅单晶的生产成本;氮原子可降低区熔硅单晶的缺陷密度,钉扎晶体中的位错移动,能够增加区熔硅单晶的机械强度,从而提高后续器件的性能;可以通过调整氩气的比例得到不同机械性能的硅单晶,有利于扩大硅单晶的应用范围及领域。