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区熔硅单晶收尾方法和拉制方法.pdf
2023-06-16
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区熔硅单晶收尾方法和拉制方法.pdf
本申请涉及一种区熔硅单晶收尾方法和拉制方法，其中收尾方法包括：在当前生长单晶体的工艺达到结束等径生长并开启收尾的条件时，关闭等径生长操作，控制拉制单晶体的区熔单晶炉的上轴和下轴停止下降，并降低功率；在单晶固液交界面开始收缩时，控制下轴开启下降，并在单晶收尾腰开始变细时，控制上轴开启下降，并继续降低功率预设时间；反复执行上述操作，直至达到预设条件后，控制上轴开始上升，并在单晶固液交界面的直径缩小至第一预设数值时，将多晶原料与单晶体分离。其相较于相关技术中的慢收尾方式，既可以有效解决单晶位错的问题，同时还可以
2023-06-16
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一种区熔硅单晶的拉制方法.pdf
本发明提供一种区熔硅单晶的拉制方法，包括装炉、化料、引晶、细颈生长、放肩、等径生长、收尾、冷却、拆炉等过程，在对多晶硅进行加热前，向区熔炉内充入氩气和氮气的混合气体，其中氮气与氩气的体积比为0.05%-20%，收尾后停止充入氩气和氮气。本发明在有效防止高温下气体电离造成的线圈打火击穿的同时，降低了硅单晶的生产成本；氮原子可降低区熔硅单晶的缺陷密度，钉扎晶体中的位错移动，能够增加区熔硅单晶的机械强度，从而提高后续器件的性能；可以通过调整氩气的比例得到不同机械性能的硅单晶，有利于扩大硅单晶的应用范围及领域。
2023-06-19
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一种区熔硅单晶的收尾方法.pdf
本发明公开了一种区熔硅单晶的收尾方法，包括以下步骤：(1)当多晶尾料剩余10kg时，继续保持等径生长，直至多晶尾料剩余2kg时，均匀降低多晶尾料速度直至多晶尾料速度归零后快速提断，晶体拉速和加热功率保持不变，此过程单晶直径将缓慢减小；(2)当多晶尾料提断后，保持多晶尾料向提拉的方向移动，开启自动程序控制加热功率曲线和晶体拉速曲线，功率曲线先均匀快速地下降至初始功率值的75％‑85％，再缓慢均匀增加，最高不超过初始功率值；晶体拉速匀速降低至0，直至单晶熔体完全结晶后停炉冷却即可。本发明的方法可将单晶尾部损失
2023-06-11
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硅单晶拉制方法.pdf
一种硅单晶拉制方法包括如下步骤：全熔稳定，将坩埚内的硅料熔化，待所述硅料完全熔化后将功率降至引晶功率；然后将所述坩锅转开至引晶转速稳定熔体；引晶，高温熔接，采用Dash缩颈排除位错法引晶；放肩；转肩；等径，手动控制晶体等径生长至所需长度，待直径控制均匀、拉速稳定后自动控制所述晶体生长；收尾；以及停炉。采用本发明的方法拉制的硅单晶，单晶头部空位团明显减少，头部氧含量也较现有方法制备的单晶低，采用本发明的方法拉制硅单晶制备的电池不会出现黑心片问题。
2023-06-19
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一种大直径区熔硅单晶自动收尾方法及系统.pdf
本发明提供了一种大直径区熔硅单晶自动收尾方法及系统，包括：S1、根据单晶规格计算需求多晶料剩余长度，当多晶料剩余长度达到设定值后，打开收尾程序，使单晶直径逐渐从205mm收细到160‑180mm；S2、当单晶直径收细到160‑180mm后，调节单晶下速和多晶上速、以及功率，使单晶熔体与多晶硅熔体液面逐渐脱离；S3、单晶熔体与多晶硅熔体液面脱离后，降低功率设定值，单晶下速与所述步骤S2中的调节后的单晶下速保持一致，对多晶上速进行调节；S4、进行降温处理，到达设定时间后开启炉门，拆取单晶。本发明所述的大直径区
2023-06-17
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