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直拉硅单晶炉装置及硅单晶拉制方法.pdf
2023-06-20
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直拉硅单晶炉装置及硅单晶拉制方法.pdf
本发明提供了一种提高单晶硅纯度的直拉单晶硅炉装置以及单晶硅拉制方法，该单晶炉装置的特征在于，在炉腔(16)中硅熔体(14)的上方设置一个两端开口长筒形的罩体(5)，所述罩体(5)的上端设置于炉腔的上部，开口正对着副室，或设置于副室(1)内，罩体(5)与硅熔体(14)液面接近的一端与硅熔体(14)液面具有一间距。在单晶硅拉制过程中，将惰性气体从副室(1)流向罩体(5)，再沿着罩体(5)从其下端流出，最终经排气口(12)排出。利用带有罩体的单晶炉装置以及拉制方法所得的单晶硅的纯度比现有技术的方法所得单晶的纯度
2023-06-20
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单晶炉重锤、单晶炉、硅单晶的直拉方法及硅单晶.pdf
本发明公开了一种单晶炉重锤、单晶炉、硅单晶的直拉方法及硅单晶。该单晶炉重锤包括重锤本体，设有籽晶连接端；遮挡片，靠近重锤本体的籽晶连接端固定设置在重锤本体上。该单晶炉重锤通过在重锤本体上设置遮挡片，能够有效减缓硅熔体表面的散热速度。散热速度的减缓能够降低硅熔体表面的径向温度梯度，进而降低硅熔体表面的热对流速度。热对流速度的降低能够减缓硅熔体对石英坩埚中氧原子的输送速度，这就使得硅单晶头部的氧含量有所下降，进而减少了硅单晶头部因氧原子而导致的各种缺陷，保证了硅单晶头部光电转换效率。
2023-06-19
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直拉硅单晶炉.pdf
本发明涉及单晶硅生产技术领域，提供直拉硅单晶炉，包括：炉体；坩埚，位于所述炉体内部；籽晶杆，位于炉体内部，籽晶杆沿着自身轴向相对坩埚可升降，且在转动状态籽晶杆以设定转速差相对坩埚沿着同一方向转动。本发明的拉硅单晶炉，由于坩埚与籽晶杆朝着同一方向转动，进而可以在坩埚和籽晶杆均具有高转速的情况下，将坩埚与籽晶杆的转速差控制在合理的范围内，保证拉晶更高效和更高质量的完成。其中，转速差可以视具体情况而定，一般转速差过大或者过小都不利于拉晶的质量和效率。其中，坩埚具有高转速的情况下，熔融硅内部可以产生较大的离心力，
2023-06-16
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本发明涉及一种直拉硅单晶的收尾方法，其包括如下步骤：S1、将炉温的设置参数调大至预定的收尾温度，并控制晶体等径生长；S2、在炉温的设置参数调大后的20～30min后，控制并降低埚升为1～3mm/hr，使晶体进入第一段收尾生长；S3、在第一段收尾生长结束后，将晶体的拉速降低，同时控制坩埚静止，使晶体进入第二段收尾生长；S4、在第二段收尾生长结束后，将晶体的拉速提高到所述第一段收尾生长时晶体拉速的90％～120％，使晶体进入第三段收尾生长，直至晶体收尖脱离液面。上述直拉硅单晶的收尾方法，减小晶体收尾长度，增大
2023-06-18
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用于直拉硅单晶炉的热屏装置.pdf
本发明涉及一种用于直拉硅单晶炉的热屏装置，包括外筒、隔热层和内筒，还包括热反射层、隔热垫I、隔热垫II，热反射层置于外筒与隔热层之间；隔热层置于热反射层与内筒之间；隔热垫I设置在热屏装置上端的外筒和内筒之间，隔热垫I的一端与隔热层相接紧配合，隔热垫II设置在热屏装置底端的外筒和内筒之间，隔热垫II的一端与隔热层相接紧配合。本发明的特点是：有效防止钼片热反射层反射的热辐射对晶体的作用，更大程度加大了晶体的散热，提高了晶体生长速度。实现了对熔硅更强的保温，进一步降低了开炉功耗，节省了生产成本。成本低廉、容易实
2023-06-20
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