重掺硼硅单晶棒的拉制方法.pdf
一条****淑淑
在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便
相关资料
重掺硼硅单晶棒的拉制方法.pdf
本发明公开了一种重掺硼硅单晶棒的拉制方法,其特征在于,使用封闭热场拉制硅单晶棒,封闭热场内设置有石英坩埚,所述石英坩埚尺寸为14寸,每次拉制投料量为22kg-27kg;封闭热场内氩气流量为50-60L/min;炉内压力为10-15Torr;坩埚转速为5-15rpm。本发明中的重掺硼硅单晶棒的拉制方法,晶棒头部的氧含量低于26ppma;尾部氧含量低于23.9ppma。
硼和轻掺磷的补掺方法及晶棒合并拉制、转晶向拉制方法.pdf
一种硼和轻掺磷的补掺方法,包括以下步骤,根据A段晶棒电阻率计算首次投掺量,并以相同的方式计算B段晶棒需求的补掺量;首次投掺量在投料时熔于坩埚,补掺量留做备用,用于在补掺时使用;在完成A晶棒拉制后,手动引晶一定直径及长度,在向下给定一定拉速进行放肩;在放肩至一定直径后,以一定拉速引上至副室冷却一定时间后取出;通过副室操作取出,并把所需的补掺量放至肩上,再放入炉内与肩部一起熔化于坩埚内。本发明通过上述方法在晶棒合并拉制及转晶向拉制时,对硼和轻掺磷进行补掺,可保证拉制出的晶棒电阻率匹配、合格,从而降低产品不良率
超重掺As的晶棒拉制方法.pdf
本发明公开了一种超重掺As的晶棒拉制方法,其特征在于,拉晶时,保持炉筒内压力为55~80Torr。本发明通过选择合适的拉晶工艺的参数,在保持长晶速度符合要求的情况下,降低As的挥发速率,减少As的挥发损失,提高晶棒中的As掺杂浓度,生产的晶棒电阻率最低可达到0.00178欧姆·厘米。引晶过程,选择合适的石英坩埚的转速,可以改善熔汤内的热对称性,并使得熔汤温度更容易平衡,从而缩短引晶过程到实现等径生长的过程时间,也可减少As的挥发损失,提高晶棒中的As的掺杂浓度。电阻率小于0.0022欧姆·厘米部分晶棒良率
一种重掺砷大直径低阻硅单晶的拉制方法.pdf
本发明公开了一种重掺砷大直径低阻硅单晶的拉制方法,等径过程中炉内压力变化如下:(1)等径前期:炉内压力保持为75?105Torr之间某一值不变或由75?105Torr均匀升高到90?160Torr;(2)等径中期:从等径前期的炉内压力均匀下降到85?65Torr或维持在等径前期的炉内压力不变;(3)等径后期:维持在等径中期的炉内压力不变或从等径中期的炉内压力均匀下降到75?50Torr后再维持最低压力不变;晶体拉速的变化如下:(1)等径前期:晶体拉速从45?65mm/hr均匀降到40?25mm/hr;(2
硅单晶拉制方法.pdf
一种硅单晶拉制方法包括如下步骤:全熔稳定,将坩埚内的硅料熔化,待所述硅料完全熔化后将功率降至引晶功率;然后将所述坩锅转开至引晶转速稳定熔体;引晶,高温熔接,采用Dash缩颈排除位错法引晶;放肩;转肩;等径,手动控制晶体等径生长至所需长度,待直径控制均匀、拉速稳定后自动控制所述晶体生长;收尾;以及停炉。采用本发明的方法拉制的硅单晶,单晶头部空位团明显减少,头部氧含量也较现有方法制备的单晶低,采用本发明的方法拉制硅单晶制备的电池不会出现黑心片问题。