电池扩散后处理工艺.pdf

本发明公开了一种电池扩散后处理工艺，在炉管扩散之后，通过光照快速热处理，对硅片进行氧化处理，在硅片表面生成一层氧化膜。本发明采用扩散后的过氧化，能够将严重的死层变成氧化层，在随后的湿化学清洗中，这部分氧化层被HF腐蚀剥离，这样有效地去除了部分扩散死层，能够降低电池表面少数载流子的复合；同时，炉管扩散之后的过氧化处理，使微观上局部不均匀的磷(或硼)浓度分布得到改善，提高p-n结的均匀性，从而提升电池效率。而且本发明采用低温快速氧化，氧化层在很短的时间内形成，不会导致硅片体内产生缺陷，也不会明显影响磷掺杂曲线

2023-06-19

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晶体硅太阳能电池的扩散后处理工艺.pdf

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的扩散后处理工艺，在炉管扩散之后，通过光照快速热处理，对硅片进行氧化处理，在硅片表面生成一层氧化膜。本发明采用扩散后的过氧化，能够将严重的死层变成氧化层，在随后的湿化学清洗中，这部分氧化层被HF腐蚀剥离，这样有效地去除了部分扩散死层，能够降低电池表面少数载流子的复合；同时，炉管扩散之后的过氧化处理，使微观上局部不均匀的磷（或硼）浓度分布得到改善，提高p-n结的均匀性，从而提升电池效率。而且本发明采用低温快速氧化，氧化层在很短的时间内形成，不会导致硅片体内产生缺陷，也不会明显

2023-06-19

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一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺.pdf

本发明公开了一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺，属于太阳能电池片生产设备技术领域，一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺，包括将单晶硅电池片置入快速平衡高温加热炉内，开启快速平衡高温加热炉，将炉体内温度升高至700‑800℃并快速达到温度平衡状态，通入含有POC13的氮气和氧气，进行扩散等步骤，可以实现将单晶硅电池片的扩散和扩散后处理氧化工艺同时在快速平衡高温加热炉内进行，快速平衡高温加热炉内设置的多个温度调节机构和导热机构可以快速加工炉体内的温度调节至平衡状态，保证炉体内部各个不问温度均

2023-06-15

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晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉.pdf

本发明提供了一种晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉，包括扩散炉主体，扩散炉主体的前侧设有两左右对称设置的炉口组，炉口组包括圆形炉口，圆形炉口的外侧配合安装有炉盖，炉盖与扩散炉主体铰接，通过第一搭扣与扩散炉主体活动连接，炉口组的外侧还配合安装有统一封盖组件，统一封盖组件包括封盖板，封盖板与扩散炉主体铰接，通过搭扣组与扩散炉主体活动连接，封盖板上均布有炉盖口，炉盖口与炉盖外形相适配，并与封盖板远离扩散炉主体中部的一侧连通，封盖板的前侧外自上而下均布有与炉盖口数量相同且位置相对应的炉盖卡扣组件。本发明在保留原有

2023-06-15

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N型电池硼扩散工艺.pdf

本发明公开了一种N型电池硼扩散工艺，包括以下步骤：（1）抽气：将清洗制绒后的硅片置于扩散炉炉管内，抽气至管内呈负压状态；（2）硼扩散沉积：将温度升至硼扩散沉积温度设定值后，通入氮气、硼源和氧气进行硼扩散沉积；（3）推阱：停止硼源和干氧的通入，继续通入氮气，将温度升至推阱温度设定值进行推阱；（4）取样：升压降温，取样，完成扩散过程。本发明的N型电池硼扩散工艺，能得到结深浅、方块电阻值为75Ω/□～85Ω/□和方阻均匀性较好的硼扩散pn结。

2023-06-19

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