晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113604886A(43)申请公布日2021.11.05(21)申请号202110735778.7(22)申请日2021.06.30(71)申请人徐州中辉光伏科技有限公司地址221699江苏省徐州市沛县经济开发区昆明路南侧(72)发明人王天齐李种玉(74)专利代理机构南京众联专利代理有限公司32206代理人张天哲(51)Int.Cl.C30B31/00(2006.01)H01L21/223(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉(57)摘要本发明提供了一种晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉，包括扩散炉主体，扩散炉主体的前侧设有两左右对称设置的炉口组，炉口组包括圆形炉口，圆形炉口的外侧配合安装有炉盖，炉盖与扩散炉主体铰接，通过第一搭扣与扩散炉主体活动连接，炉口组的外侧还配合安装有统一封盖组件，统一封盖组件包括封盖板，封盖板与扩散炉主体铰接，通过搭扣组与扩散炉主体活动连接，封盖板上均布有炉盖口，炉盖口与炉盖外形相适配，并与封盖板远离扩散炉主体中部的一侧连通，封盖板的前侧外自上而下均布有与炉盖口数量相同且位置相对应的炉盖卡扣组件。本发明在保留原有各炉盖可单独启闭的功能下，可实现整体炉盖同时启闭，适应了加工过程中的不同需要。CN113604886ACN113604886A权利要求书1/1页1.一种晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉，其特征在于：包括扩散炉主体（1），所述扩散炉主体（1）的前侧设有两左右对称设置的炉口组，所述炉口组包括自上而下均匀分布的圆形炉口，所述圆形炉口的外侧配合安装有炉盖（2），所述炉盖（2）为与圆形炉口相适配的圆形结构，其靠近扩散炉主体（1）中部的一侧与扩散炉主体（1）铰接，另一侧通过第一搭扣（3）与扩散炉主体（1）活动连接，所述炉口组的外侧还配合安装有统一封盖组件，所述统一封盖组件包括封盖板（4），所述封盖板（4）为矩形板状结构，其靠近扩散炉主体（1）中部的一侧与扩散炉主体（1）铰接，另一侧通过搭扣组与扩散炉主体（1）活动连接，所述封盖板（4）上自上而下均布有炉盖口，所述封盖板（4）上的炉盖口数量与炉盖（2）数量相同，且位置相对应，所述炉盖口与炉盖（2）外形相适配，并与封盖板（4）远离扩散炉主体（1）中部的一侧连通，所述封盖板（4）的前侧外自上而下均布有与炉盖口数量相同且位置相对应的炉盖卡扣组件。2.根据权利要求1所述的一种晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉，其特征在于：所述炉盖卡扣组件包括设置在炉盖（2）外侧的固定套（5），所述固定套（5）为竖直设置的圆筒状结构，其靠近第一搭扣（3）一侧，所述固定套（5）内配合穿插有可上下滑动的L型插销（6），所述封盖板（4）的外侧设有L型插销定位件，所述L型插销定位件置于L型插销（6）的上部，包括两上下设置的定位套（7），所述定位套（7）的中部通孔与L型插销（6）相适配，且L型插销（6）可上下滑动的置于定位套中。3.根据权利要求1所述的一种晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉，其特征在于：所述炉口组中包括自上而下均匀分布的四个圆形炉口。4.根据权利要求3所述的一种晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉，其特征在于：所述炉盖口有四个，其中，炉盖口由圆形口和条形口组成，所述圆形口与炉盖（2）的外形相适配。5.根据权利要求1所述的一种晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉，其特征在于：所述搭扣组包括自上而下均匀分布的第二搭扣（8）。6.根据权利要求1所述的一种晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉，其特征在于：所述搭扣组中的第二搭扣（8）有三个。7.根据权利要求1所述的一种晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉，其特征在于：扩散炉主体（1）上设有与第一搭扣数量相同且位置相对应的第一搭头，所述第一搭头与第一搭扣（3）相适配。8.根据权利要求1所述的一种晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉，其特征在于：扩散炉主体（1）上设有与第二搭扣数量相同且位置相对应的第二搭头，所述第二搭头与第二搭扣（8）相适配。2CN113604886A说明书1/3页晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉技术领域[0001]本发明涉及扩散炉技术领域，尤其涉及晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉。背景技术[0002]扩散炉是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一，用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺，扩散炉由控制系统、进出舟系统、炉体加热系统和气体控制系统等组成。目前，现有的扩散炉的各个炉口都单独配备了炉盖，在使用时需要分别单独开启，一定程度上影响了工艺进行的效率。发明内容[0003]为解决上述问题，本发明公开了晶硅电池扩散低表面深结工艺用