一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114744072A(43)申请公布日2022.07.12(21)申请号202110015868.9(22)申请日2021.01.07(71)申请人徐州中辉光伏科技有限公司地址210000江苏省徐州市沛县经济开发区昆明路南侧(72)发明人王泉龙李琪孙珠珠周国栋(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图6页(54)发明名称一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺(57)摘要本发明公开了一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺，属于太阳能电池片生产设备技术领域，一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺，包括将单晶硅电池片置入快速平衡高温加热炉内，开启快速平衡高温加热炉，将炉体内温度升高至700‑800℃并快速达到温度平衡状态，通入含有POC13的氮气和氧气，进行扩散等步骤，可以实现将单晶硅电池片的扩散和扩散后处理氧化工艺同时在快速平衡高温加热炉内进行，快速平衡高温加热炉内设置的多个温度调节机构和导热机构可以快速加工炉体内的温度调节至平衡状态，保证炉体内部各个不问温度均匀，不仅有效节约了能源，平衡的温度还可以有效提升单晶硅电池片的扩散和氧化效果。CN114744072ACN114744072A权利要求书1/2页1.一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺，其特征在于：包括以下步骤：S1、将单晶硅电池片置入快速平衡高温加热炉内，准备进行扩散提效；S2、开启快速平衡高温加热炉，将炉体内温度升高至700‑800℃并快速达到温度平衡状态，通入含有POC13的氮气和氧气，进行第一次扩散；S3、将快速平衡高温加热炉的炉体内温度升高至800‑850℃并快速达到温度平衡状态，通入含有POC13的氮气和氧气，进行第二次扩散；S4、将快速平衡高温加热炉的炉体内温度降至780‑795℃并快速达到温度平衡状态，通入含有POC13的氮气和氧气，进行第三次扩散；S5、将快速平衡高温加热炉的炉体内温度降至500‑600℃，通入氧化气体，对扩散后的单晶硅电池片进行氧化处理，在单晶硅电池片的表面生成一层氧化膜；S6、通过湿化学清洗，将单晶硅电池片表面的氧化膜腐蚀剥离，完成整个处理工艺。2.根据权利要求1所述的一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺，其特征在于：所述S2中，含有POC13的氮气为500‑550sccm，通入的氧气为850‑850sccm；所述S3中，含有POC13的氮气为680‑840sccm，通入的氧气为640‑690sccm；所述S4中，含有POC13的氮气为550‑600sccm，通入的氧气为550‑590sccm。所述S5中，氧化处理时间为5‑8min，氧化气体为水蒸汽，且氧化气体内还包括有氯气。3.根据权利要求1所述的一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺，其特征在于：所述S5中，氧化处理时间为5‑8min，氧化气体为水蒸汽，且氧化气体内还包括有氯气。4.根据权利要求1所述的一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺，其特征在于：所述快速平衡高温加热炉包括炉体（1），所述炉体（1）内部设有扩散和氧化工作区，所述炉体（1）的内壁上固定有多个等间距分布的高温炉嘴（2），所述炉体（1）的内部中心处插接有搅动轴（3），所述搅动轴（3）的顶端贯穿炉体（1）设置，所述炉体（1）的内底部中心处固定有轴承座（7），所述搅动轴（3）底端与轴承座（7）连接，所述炉体（1）的上表面固定有电机支架（4），所述电机支架（4）的顶端固定有驱动电机（5），所述驱动电机（5）的输出端与搅动轴（3）的顶端相连接，所述驱动电机（5）的外壁上固定有多组呈环形分布的扰流板（6），所述扰流板（6）上开设有扰流孔（8），所述扰流孔（8）为一端孔径大于另一端的喇叭状，相邻扰流板（6）上的所述扰流孔（8）反向设置，所述炉体（1）的左右两侧内壁上固定有多组水平设置的限位杆组（11），且每组限位杆组（11）包括两根平行设置的限位杆，每组所述限位杆组（11）上支撑有两个滚动调温球（12）。5.根据权利要求4所述的一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺，其特征在于：所述滚动调温球（12）包括第一柔性耐高温导热球体（13），所述第一柔性耐高温导热球体（13）的外壁上固定呈球面分布的第一导热石墨纤维（14），所述第一柔性耐高温导热球体（13）的侧壁上开设有多个容纳腔，且容纳腔内部固定有球面磁铁（15），所述炉体（1）的左右两侧侧壁上均开设有空腔（9），且空腔（9）内部设有交流电磁铁（10），所述第一柔性耐高温导热球体（13）的内部中心处设有固定球（16），且固定球（16）的外壁上固定有多个沿其球面均匀分布的感温伸缩调节机构（