晶体硅太阳能电池的扩散后处理工艺.pdf

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的扩散后处理工艺，在炉管扩散之后，通过光照快速热处理，对硅片进行氧化处理，在硅片表面生成一层氧化膜。本发明采用扩散后的过氧化，能够将严重的死层变成氧化层，在随后的湿化学清洗中，这部分氧化层被HF腐蚀剥离，这样有效地去除了部分扩散死层，能够降低电池表面少数载流子的复合；同时，炉管扩散之后的过氧化处理，使微观上局部不均匀的磷（或硼）浓度分布得到改善，提高p-n结的均匀性，从而提升电池效率。而且本发明采用低温快速氧化，氧化层在很短的时间内形成，不会导致硅片体内产生缺陷，也不会明显

2023-06-19

10

305KB

晶体硅太阳能电池的扩散工艺.pdf

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺，包括炉管扩散步骤，在炉管扩散之前，通过光照快速热处理，对硅片进行氧化处理，在硅片表面生成一层均匀的氧化膜。本发明晶体硅太阳能电池的扩散工艺，能在硅片制绒后、磷或硼原子沉积前形成一层均匀氧化层，从而提高扩散后p-n结的均匀性，从而提升硅片方阻的片内和片间均匀性，有效提高电池效率；且当扩散方阻提升至90Ω/□以上时，方阻均匀性也能有效控制；同时，该均匀氧化层有效的保护了制绒绒面，防止硅片被空气中的颗粒或是人为接触形成污染；而且氧化过程中可以预清理掉制绒时添加剂带来的

2023-06-19

10

384KB

晶体硅太阳能电池的硼扩散方法.pdf

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的硼扩散方法，包括如下步骤：(1)将制绒清洗后的硅片放入扩散炉管内，升温至900~1100℃，通氮气以及较大流量的硼源、氧气进行硼扩散，扩散时间为5~60min；(2)保持步骤(1)中的温度通入氮气以及较低流量的硼源、氧气进行硼扩散，扩散时间为15~80min；(3)保持步骤(1)中的温度或升温至910~1100℃，通入氮气、以及较大流量的硼源、氧气进行硼扩散，扩散时间为2~30min；(4)完成扩散过程。本发明的硼扩散方法在硅片表层较浅的深度范围内形成较高的杂质浓度，以利

2023-06-20

10

393KB

一种晶体硅太阳能电池扩散节能减排工艺.pdf

一种晶体硅太阳能电池扩散节能减排工艺。本发明提供一种降低太阳能电池扩散成本的工艺，包括如下步骤：(1)将制绒后的硅片放于扩散炉中，炉内各温区温度升至750-770℃，炉内环境为均匀的氮气气氛，氮气流量10slm；(2)待温度稳定后，同时通入携源气体三氯氧磷，流量为850-950sccm，及干氧，流量为350sccm，且保证炉内气体环境均匀，扩散20分钟；(3)停止通携源气体三氯氧磷，同步均匀提升炉内各区温度，升温至830℃，扩散20分钟；(4)通入氮气降温，完成扩散过程。本发明从工艺角度可以降低表面掺杂浓

2023-06-20

10

329KB

一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺.pdf

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺，包括以下步骤：S1.扩散炉预热并通氮气；S2.进舟，保持扩散炉的温度在750～780℃，同时通氮气；S3.通氧气、氮气，氧气与硅片表面的硅反应生成一层二氧化硅层；S4.第一次沉积三氯氧磷；S5.第二次沉积三氯氧磷，磷源浓度较步骤S4提高；S6.升温扩散推进；S7.高温下，第三次沉积三氯氧磷；S8.高温推进结深；S9.降温退火；S10.退舟。本发明沉积磷时，先低浓度后高浓度升温，采用递增渐变式进行扩散，有利于提高电池片的电性能，减小扩散极差。

2023-06-17

10

485KB