N型电池硼扩散工艺.pdf

本发明公开了一种N型电池硼扩散工艺，包括以下步骤：（1）抽气：将清洗制绒后的硅片置于扩散炉炉管内，抽气至管内呈负压状态；（2）硼扩散沉积：将温度升至硼扩散沉积温度设定值后，通入氮气、硼源和氧气进行硼扩散沉积；（3）推阱：停止硼源和干氧的通入，继续通入氮气，将温度升至推阱温度设定值进行推阱；（4）取样：升压降温，取样，完成扩散过程。本发明的N型电池硼扩散工艺，能得到结深浅、方块电阻值为75Ω/□～85Ω/□和方阻均匀性较好的硼扩散pn结。

2023-06-19

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一种N型太阳能电池多步硼扩散工艺.pdf

本发明公开一种N型太阳能电池多步硼扩散工艺，包括如下步骤：(a)、选取N型硅片作为基底材料，在硅片表面通过碱腐蚀形成金字塔绒面；(b)、对处理后硅片表面进行RCA清洗并烘干；(c)、将烘干后N型硅片放置与扩散炉管中，通过多步硼扩散工艺在表面形成PN结；(d)、再对硅片进行后续N型电池制程处理。本发明提出一种硼扩散工艺的新方法，解决N型电池片表面PN结制备的难题，可制备出均匀性好，接触性能优良的PN结，降低电池片横向接触电阻；同时，可以通过调整携带硼源的氮气流量及驱入的时间及温度等参数的调节，得到不同表面掺

2023-06-17

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一种N型太阳能电池硼扩散方法.pdf

本发明提供一种N型太阳能电池硼扩散方法，包括将制绒的硅片装入石英舟中，推入扩散炉石英管中；同时通入BCl

2023-06-16

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N型电池.doc

N型晶硅太阳电池简介我们现在所做的p型硅基底材料的太阳电池构造是n+pp+,受光面是n+面，利用磷扩散形成发射极。对于n型硅基底材料的同质结太阳电池结构主要有两种，一种是n+np+，一种是p+nn+。对于n+np+结构太阳电池主要是靠印刷铝形成发射极（即p+层），n+层由磷扩散形成，n+面用SiO2或SiNx做钝化，p+面用等离子气相沉积（PECVD）α-Si（非晶硅）或原子层沉积（ALD）Al2O3做钝化。因为铝的不透光性，n+面为受光面。对于p+nn+结构太阳电池主要是靠扩散硼形成发射极（即p+层），

2024-03-08

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N型电池.doc

N型晶硅太阳电池简介我们现在所做的p型硅基底材料的太阳电池构造是n+pp+,受光面是n+面，利用磷扩散形成发射极。对于n型硅基底材料的同质结太阳电池结构主要有两种，一种是n+np+，一种是p+nn+。对于n+np+结构太阳电池主要是靠印刷铝形成发射极（即p+层），n+层由磷扩散形成，n+面用SiO2或SiNx做钝化，p+面用等离子气相沉积（PECVD）α-Si（非晶硅）或原子层沉积（ALD）Al2O3做钝化。因为铝的不透光性，n+面为受光面。对于p+nn+结构太阳电池主要是靠扩散硼形成发射极（即p+层），

2024-03-08

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