一种取向高硅钢薄带及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106282779A(43)申请公布日2017.01.04(21)申请号201610862524.0(22)申请日2016.09.29(71)申请人武汉科技大学地址430081湖北省武汉市青山区建设一路(72)发明人刘静程朝阳甘章华向志东林希峰张凤泉(74)专利代理机构武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222代理人张火春(51)Int.Cl.C22C38/02(2006.01)C22C38/16(2006.01)C22C38/06(2006.01)C21D8/12(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称一种取向高硅钢薄带及其制备方法(57)摘要本发明涉及一种取向高硅钢薄带及其制备方法。其技术方案是：取向高硅钢薄带的化学成分是：Si为5.5~6.8wt%；Cu为0.3~0.6wt%；Al为0.1~0.3wt%；S为0.01~0.015wt%；N为0.005~0.01wt%；其余为Fe和不可避免的杂质。按取向高硅钢薄带的化学成分冶炼，在1300~1650℃浇铸成板坯，将板坯在1000~1200℃热轧成厚度为0.8~1.5mm的热轧板。将热轧板常化处理，在150~450℃温轧至0.3~0.6mm，在室温条件下冷轧至0.1~0.3mm，在700~1200℃保温1~16h，随炉冷却，即得取向高硅钢薄带。所述常化处理的温度为900~1100℃，保温3~15min，冷却方式为水淬。本发明具有工艺简单和流程短的特点；所制备的取向高硅钢薄带铁损低、磁感高。CN106282779ACN106282779A权利要求书1/1页1.一种取向高硅钢薄带的制备方法，其特征在于所述取向高硅钢薄带的化学成分是：Si为5.5~6.8wt%，Cu为0.3~0.6wt%，Al为0.1~0.3wt%，S为0.01~0.015wt%，N为0.005~0.01wt%，其余为Fe和不可避免的杂质；所述取向高硅钢薄带的制备方法是：按所述取向高硅钢薄带的化学成分冶炼，在1300~1650℃条件下浇铸成板坯，将所述板坯在1000~1200℃条件下热轧成厚度为0.8~1.5mm的热轧板；将所述热轧板进行常化处理，常化处理后的热轧板在150~450℃条件下温轧至0.3~0.6mm，即得温轧板；将所述温轧板在室温条件下冷轧至0.1~0.3mm，即得高硅钢薄带；将所述高硅钢薄带在700~1200℃条件下保温1~16h，随炉冷却，即得取向高硅钢薄带。2.根据权利要求1所述取向高硅钢薄带的制备方法，其特征在于所述常化处理的温度为900~1100℃，常化处理的保温时间为3~15min；常化处理的冷却方式为水淬。3.一种取向高硅钢薄带，其特征在于所述取向高硅钢薄带是根据权利要求1~2项中任一项所述的取向高硅钢薄带的制备方法所制备的取向高硅钢薄带。2CN106282779A说明书1/4页一种取向高硅钢薄带及其制备方法技术领域[0001]本发明属于高硅钢薄带技术领域。具体涉及一种取向高硅钢薄带及其制备方法。技术背景[0002]高硅钢一般特指Si含量为6.5wt%的铁硅合金。高硅钢由于具有电阻率高、磁致伸缩系数低、高频下铁损低等优异的磁性能，特别适用于制作高速高频电机、变压器、电抗器和屏蔽部件等，有利于实现设备的小型化、高速化、低能耗和低噪音。但是，根据Fe-Si相图可知，当Si含量超过4.5wt%时，会出现B2和D03两种有序结构，使得合金的塑性急剧下降，难以轧制成形，使得高硅钢难以采用轧制法进行工业化生产。[0003]目前，国际上仅日本的JFE公司利用化学气相沉积法（CVD）工业化生产高硅钢，其高硅钢产品有梯度高硅钢（JNHF-Core）和全厚度高硅钢（JNEX-Core）两种，这两种高硅钢均为无取向。由于CVD方法工艺复杂、设备腐蚀和环境污染严重，而轧制法制备的薄板具有成分均匀和表面质量好等优点，具有很高的工业应用价值，故轧制法引起本了领域技术人员的关注。[0004]近年来，有关轧制法制备高硅钢主要为无取向高硅钢，但对取向高硅钢制备鲜有报道。这是因为取向硅钢制备工艺复杂，合金成分控制严格，抑制剂粒子的尺寸、分布、数量的准确控制，特别是织构控制达到了极致水平。而提高硅含量会延缓或阻碍二次再结晶的发展，初次晶粒长大需要更强的抑制剂来抑制，这无疑增加了取向高硅钢的制备难度，因此不能完全套用传统取向硅钢的生产工艺，需要在原工艺的基础上加以改进。[0005]“一种轧制制备取向高硅钢板的方法”（CN104120233A），通过添加C元素，同时添加多种抑制剂元素，采用冶炼、热轧、常化处理、一次轧制、脱碳退火和中间退火，获得取向高硅钢板。该方法通过添加多种抑制剂制备处理取向高硅钢，但是由于所添加抑制剂种类