硅片表面长多晶的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106601594A(43)申请公布日2017.04.26(21)申请号201611248634.4(22)申请日2016.12.29(71)申请人上海合晶硅材料有限公司地址201617上海市松江区贵南路500号(72)发明人江笠李敏(74)专利代理机构上海脱颖律师事务所31259代理人李强(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)C30B29/06(2006.01)C30B28/00(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图1页(54)发明名称硅片表面长多晶的方法(57)摘要本发明公开了一种硅片表面长多晶的方法，其包括如下步骤：a)、将硅片放置于晶舟上，所述晶舟上设置有多个容置槽，所述多个容置槽之间的间距为2.5-3.5mm；b)、将放置有硅片的晶舟放入长晶炉内长多晶。本发明中的硅片表面长多晶的方法，将容置槽之间的间距调整为2.5mm-3.5mm，增加了产能，可将产能提升40％。容置槽的槽壁表面粗糙度设置为为Ra：降低了崩边不良率，可由原有不良率5％降低为1％以下。CN106601594ACN106601594A权利要求书1/1页1.硅片表面长多晶的方法，其特征在于，包括如下步骤：a)将硅片放置于晶舟上，所述晶舟上设置有多个容置槽，所述多个容置槽之间的间距为2.5-3.5mm；b)将放置有硅片的晶舟放入长晶炉内长多晶。2.根据权利要求1所述的硅片表面长多晶的方法，其特征在于，所述容置槽的槽壁的表面粗糙度为3.根据权利要求1所述的硅片表面长多晶的方法，其特征在于，所述晶舟长度为1200-1300mm，容置槽个数为30-50个。2CN106601594A说明书1/2页硅片表面长多晶的方法技术领域[0001]本发明涉及一种硅片表面长多晶的方法。背景技术[0002]在现有技术中多晶硅薄膜生长装置，包括石英晶舟，硅片放置在晶舟上并放入多晶炉内生长多晶薄膜。但在实际生产过程中，一是产能低，二是存在崩边现象，崩边不良率达到5％以上，造成较大成本浪费。发明内容[0003]本发明的目的之一是为了克服现有技术中的不足，提供一种良率高的硅片表面长多晶的方法。[0004]为实现以上目的，本发明通过以下技术方案实现：[0005]硅片表面长多晶的方法，其特征在于，包括如下步骤：[0006]a)将硅片放置于晶舟上，所述晶舟上设置有多个容置槽，所述多个容置槽之间的间距为2.5-3.5mm；[0007]b)将放置有硅片的晶舟放入长晶炉内长多晶。[0008]根据本发明的技术方案，所述容置槽的槽壁的表面粗糙度为Ra：[0009]根据本发明的技术方案，所述晶舟长度为1200-1300mm，容置槽个数为30-50个。[0010]发明人经过研究发现，其中一种石英晶舟总长度121.45mm，包含50个容置槽，相邻容置槽间距为2.38mm，表面性质光滑。这种晶舟的缺点之一是50个容置槽无法全部排片，会导致气流无法顺利从片与片之间的间隙通过；另一缺点是硅片与晶舟接触部位在工艺过程中会粘结在一起，导致卸片的时候崩边。[0011]本发明中的硅片表面长多晶的方法，将容置槽之间的间距调整为2.5mm-3.5mm，增加了产能，可将产能提升40％。容置槽的槽壁表面粗糙度设置为为Ra：降低了崩边不良率，可由原有不良率5％降低为1％以下。附图说明[0012]图1为本发明中的晶舟结构示意图。具体实施方式[0013]下面结合附图对本发明进行详细的描述：[0014]硅片表面长多晶的方法，包括如下步骤：[0015]c)将硅片放置于晶舟上，如图1所示，所述晶舟1上设置有多个容置槽2，所述多个容置槽2之间的间距为2.5-3.5mm；所述容置槽2的槽壁的表面粗糙度为Ra：所述晶舟长度为1200-1300mm，容置槽个数为30-50个。[0016]d)将放置有硅片3的晶舟1放入长晶炉内长多晶。3CN106601594A说明书2/2页[0017]根据本发明的一个实施例，晶舟总长度121.45mm，设置有35个容置槽2，容置槽2间距3mm；表面粗糙度为Ra：将其用于在硅片表面生长多晶薄膜。经统计，产能提升40％。对硅片经检测，因崩边导致的不良率降为1％以下。[0018]发明人经过试验，所述多个容置槽2之间的间距为2.5-3.5mm，尤其是2.8mm-3.5mm；所述容置槽2的槽壁的表面粗糙度为Ra：所述晶舟长度为1200-1300mm，容置槽个数为30-50个，在以上数值范围内调整，均能达到本发明的目的，均能达到前述实例相同的效果。[0019]发明人经过研究发现，其中一种石英晶舟总长度121.45mm，包含50个容置槽，相邻容置槽间距为2.38mm，表面性质光滑。这种晶舟的缺点之一是50个容置槽无法全部排片，会导