一种太阳能级多晶硅片表面处理方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107785455A(43)申请公布日2018.03.09(21)申请号201610731965.7(22)申请日2016.08.26(71)申请人镇江荣德新能源科技有限公司地址212200江苏省镇江市扬中市经济开发区港隆路998号(72)发明人包剑余刚张涛(74)专利代理机构南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249代理人张耀文(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)H01L21/304(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称一种太阳能级多晶硅片表面处理方法(57)摘要本发明公开了一种太阳能级多晶硅片表面处理方法，采用粒度直径在12-16nm的粗碳化硼对多晶硅片表面进行机械粗研磨；采用粒度直径在1.5-2.5nm的细碳化硼对经过粗研磨的多晶硅片表面进行机械细研磨；将经过细研磨后的多晶硅片中放入抛光液中进行腐蚀抛光，去除多晶硅片表面的研磨产生的损伤层；用强碱弱酸盐对得到的多晶硅片表面表面残留的抛光液中和掉；将得到的多晶硅片放入旋转桶内进行边缘抛光；用强碱弱酸盐对得到的多晶硅片表面表面残留的抛光液中和掉；对得到的多晶硅片进行清洗和烘干。本发明得到的多晶硅片硬度高、表面光滑。CN107785455ACN107785455A权利要求书1/1页1.一种太阳能级多晶硅片表面处理方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，采用粒度直径在12-16nm的粗碳化硼对多晶硅片表面进行机械粗研磨；步骤2，采用粒度直径在1.5-2.5nm的细碳化硼对经过粗研磨的多晶硅片表面进行机械细研磨；步骤3，将经过细研磨后的多晶硅片中放入抛光液中进行腐蚀抛光，去除步骤2中多晶硅片表面的研磨产生的损伤层；所述抛光液为硝酸、氢氟酸、磷酸的混合液；步骤4，用强碱弱酸盐对步骤3得到的多晶硅片表面表面残留的抛光液中和掉；步骤5，将步骤4得到的多晶硅片放入旋转桶内进行边缘抛光；步骤6，用强碱弱酸盐对步骤3得到的多晶硅片表面表面残留的抛光液中和掉；步骤7，对步骤6得到的多晶硅片进行清洗和烘干。2.根据权利要求1所述的太阳能级多晶硅片表面处理方法，其特征在于：所述硝酸、氢氟酸、醋酸的质量比为4.5：3.5：8。3.根据权利要求1所述的太阳能级多晶硅片表面处理方法，其特征在于：所述步骤1中的粗研磨时间为20-30分钟。4.根据权利要求1所述的太阳能级多晶硅片表面处理方法，其特征在于：所述步骤2中的细研磨时间10-20分钟。5.根据权利要求1所述的太阳能级多晶硅片表面处理方法，其特征在于：所述步骤3中每面的腐蚀厚度在0.03-0.05毫米。6.根据权利要求1所述的太阳能级多晶硅片表面处理方法，其特征在于：所述步骤5中旋转桶内设置有抛光衬垫和抛光液。2CN107785455A说明书1/3页一种太阳能级多晶硅片表面处理方法技术领域[0001]本发明涉及太阳能级半导体单晶硅片加工领域，尤其涉及一种太阳能级多晶硅片表面处理方法。背景技术[0002]在太阳能级半导体单晶硅片加工过程中，经线锯开方生成的多晶硅片由于表面粗糙，且线痕严重，不能直接对其进行切片。[0003]在对多晶硅片进行切片之前，需要先对多晶硅片表面的线痕进行处理，现有专利201110121543.5，公开了一种太阳能级多晶硅片表面处理方法，使用金钢石磨轮对多晶硅片表面进行物理法机械研磨处理，以除去多晶硅片表面的线痕。然而在处理多晶硅片表面线痕时会在多晶硅片表面形成新的损伤层，容易导致切片后单晶硅片边缘产生蹦边等缺陷和不良，其采用碱腐蚀的方法对该损伤层进行腐蚀，但其在进行腐蚀时，容易造成硅片边缘有腐蚀坑，使得硅片应力不集中，硬度较差。发明内容[0004]发明目的：为了克服现有技术中存在的不足，本发明提供一种硬度高，表面光滑的太阳能级多晶硅片表面处理方法。[0005]技术方案：为实现上述目的，本发明采用的技术方案为：一种太阳能级多晶硅片表面处理方法，包括以下步骤：步骤1，采用粒度直径在12-16nm的粗碳化硼对多晶硅片表面进行机械粗研磨；步骤2，采用粒度直径在1.5-2.5nm的细碳化硼对经过粗研磨的多晶硅片表面进行机械细研磨；步骤3，将经过细研磨后的多晶硅片中放入抛光液中进行腐蚀抛光，去除步骤2中多晶硅片表面的研磨产生的损伤层；步骤4，用强碱弱酸盐对步骤3得到的多晶硅片表面表面残留的抛光液中和掉；步骤5，将步骤4得到的多晶硅片放入旋转桶内进行边缘抛光；步骤6，用强碱弱酸盐对步骤3得到的多晶硅片表面表面残留的抛光液中和掉；步骤7，对步骤6得到的多晶硅片进行清洗和烘干。[0006]所述抛光液为硝酸、氢氟酸、磷酸的混合液。[0007]优选的：所述硝酸、氢氟酸、醋酸的质量比为4.5：3.5：8。[0008]优选的：所述步骤1