一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法.pdf
猫巷****正德
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一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法.pdf
本发明涉及一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法,其方法如下:(1)通过金刚线切片机将多晶硅锭切割成多晶硅片;(2)预清,清除多晶硅片表面残留物,随后烘干;(3)将多晶硅片至于喷砂流水线,进行喷砂粗糙处理,将碳化硅均匀喷涂于多晶硅片表面,使多晶硅片表面形成厚度为2um~6um的单面粗糙面;(4)化学清洗清除多晶硅片表面金属离子残留;(5)由自动分选机筛选;本发明利于提高金刚线多晶硅片光电转换效率,降低电池制造端的投入成本。
硅片表面长多晶的方法.pdf
本发明公开了一种硅片表面长多晶的方法,其包括如下步骤:a)、将硅片放置于晶舟上,所述晶舟上设置有多个容置槽,所述多个容置槽之间的间距为2.5‑3.5mm;b)、将放置有硅片的晶舟放入长晶炉内长多晶。本发明中的硅片表面长多晶的方法,将容置槽之间的间距调整为2.5mm‑3.5mm,增加了产能,可将产能提升40%。容置槽的槽壁表面粗糙度设置为为Ra:降低了崩边不良率,可由原有不良率5%降低为1%以下。
一种多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法.pdf
本发明公开了一种成本较低且能够形成较好绒面的多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法。本发明所述的多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法利用压缩空气携带砂料经喷枪射向多晶硅片表面5‑25秒,所述压缩空气的气压为0.05‑0.1Mpa,喷砂结束后即可去除50‑80%的多晶硅片表面金刚线切割损伤层,利用该方法得到的多晶硅片绒面均匀、反射率低,绒面质量较好,而且,该工艺流程简单,成本非常低,可以大大降低多晶硅片的生产成本。适合在硅片加工技术领域推广应用。
一种金刚石线锯切割单、多晶硅片的清洗方法.pdf
本发明涉及一种金刚石线锯切割单、多晶硅片的清洗方法。该方法包括下列步骤:步骤一:酸洗液、碱煮液的准备,操作人员准备氢氟酸、硝酸、氢氧化钠以及纯水,留以待用;步骤二:硅料分选,操作人员把硅料分成A类硅料、B类硅料、C类硅料、D类硅料、E类硅料以及F类硅料,留以待用;步骤三:A类硅料酸洗;步骤四:B类硅料酸洗;步骤五:C类硅料酸洗;步骤六:D类硅料酸洗;步骤七:E类硅料酸洗;步骤八:F类硅料酸洗;步骤九:已清洗的硅料烘干。由于操作人员将硅料分成A类硅料、B类硅料、C类硅料、D类硅料、E类硅料和F类硅料,操作人
一种多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除装置.pdf
本发明公开了一种成本较低且能够形成较好绒面的多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除装置。该去除装置,包括支架、无头皮带、主动轮、从动轮,无头皮带绕过主动轮、从动轮并被主动轮和从动轮绷紧,无头皮带水平设置且在位于上层的无头皮带和位于下层的无头皮带之间设置有支撑平台,支撑平台的上表面为光滑的平面,所述位于上层的无头皮带与支撑平台的上表面相接触,所述支撑平台的上方设置有喷砂装置,利用该喷砂装置可以有效去除的多晶硅片表面金刚线切割损伤层,保证最后得到的硅片绒面均匀、反射率低,绒面质量较好,而且,该装置可以实现流水化作