一种多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107971933A(43)申请公布日2018.05.01(21)申请号201610919642.0(22)申请日2016.10.21(71)申请人乐山新天源太阳能科技有限公司地址614000四川省乐山市高新区建业大道9号(72)发明人陈五奎刘强冯加保黄振华徐文州陈磊(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232代理人李玉兴(51)Int.Cl.B24C1/04(2006.01)B24C7/00(2006.01)B24C9/00(2006.01)B24C11/00(2006.01)权利要求书3页说明书7页附图4页(54)发明名称一种多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法(57)摘要本发明公开了一种成本较低且能够形成较好绒面的多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法。本发明所述的多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法利用压缩空气携带砂料经喷枪射向多晶硅片表面5-25秒，所述压缩空气的气压为0.05-0.1Mpa，喷砂结束后即可去除50-80％的多晶硅片表面金刚线切割损伤层，利用该方法得到的多晶硅片绒面均匀、反射率低，绒面质量较好，而且，该工艺流程简单，成本非常低，可以大大降低多晶硅片的生产成本。适合在硅片加工技术领域推广应用。CN107971933ACN107971933A权利要求书1/3页1.一种多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法，其特征在于包括以下步骤：A、制备目数为80-1500目的砂料；B、利用压缩空气携带砂料经喷枪射向多晶硅片表面5-25秒，所述压缩空气的气压为0.05-0.1Mpa，喷砂结束后即可去除50-80％的多晶硅片表面金刚线切割损伤层。2.如权利要求1所述的多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法，其特征在于：所述砂料的目数为200目。3.如权利要求1所述的多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法，其特征在于：在步骤B中，所述压缩空气携带砂料经喷枪射向多晶硅片表面的持续时间为5-15秒。4.如权利要求1所述的多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法，其特征在于：所述砂料为石英砂、碳化硅、金刚砂、刚玉中任意一种或几种的混合物。5.如权利要求1所述的多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法，其特征在于：所述砂料为200目的碳化硅。6.如权利要求5所述的多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除方法，其特征在于：所述200目的碳化硅采用如下分选装置制备得到，所述分选装置包括依次设置的空气加热装置(1)、第一级分离装置(2)、第二级分离装置(3)、第三级分离装置(4)、第四级分离装置(5)、粉尘回收装置(6)；所述空气加热装置(1)包括托架(101)，所述托架(101)上设置有柱状壳体(102)，所述柱状壳体(102)水平设置，所述柱状壳体(102)的左端通过盖板(103)封闭，所述盖板(103)上设置有进风口，所述柱状壳体(102)的右端设置有锥形壳体(104)，所述锥形壳体(104)的大径端直径与柱状壳体(102)的左端口直径相同且锥形壳体(104)的大径端与柱状壳体(102)的左端口密封连接，所述锥形壳体(104)的小径端为出风口，所述柱状壳体(102)内设置有多个加热管(105)；所述第一级分离装置(2)包括第一支架(201)，所述第一支架(201)上设置有第一支撑板(202)，所述第一支撑板(202)水平设置，所述第一支撑板(202)的上表面设置有第一筒体(203)，所述第一筒体(203)竖直设置，所述第一筒体(203)的下端与第一支撑板(202)的上表面密封连接，所述第一筒体(203)的上端密封，所述第一筒体(203)内设置有第一旋转轴(204)和第二旋转轴(205)，所述第一旋转轴(204)的下端穿过第一支撑板(202)，第一旋转轴(204)的下端设置有驱动第一旋转轴(204)转动的驱动轮(206)，所述第一支架(201)上设置有使驱动轮(206)转动的驱动装置，所述第一旋转轴(204)上套设有第一转盘(207)，所述第一转盘(207)位于第一筒体(203)内，所述第一转盘(207)的下表面围绕第一转盘(207)的中心轴线设置有多个第一叶片(208)，所述第一叶片(208)与第一支撑板(202)之间存在间隙，当第一转盘(207)转动时，第一叶片(208)吹动第一转盘(207)下方的空气向下旋转运动，所述第一支撑板(202)上设置有排料孔(209)，所述排料孔(209)的中心轴线与第一转盘(207)下方的空气的旋转方向相切，第一旋转轴(204)的上端与第二旋转轴(205)的下端通过反向器(210)相连，所述第一旋转轴(204)的转动方向与第二旋转轴(205)的转动方向相反，所述第二旋转轴(205)上套设有第二转盘(211)，