降低钕铁硼磁体碳含量的烧结方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106601459A(43)申请公布日2017.04.26(21)申请号201611129075.5(22)申请日2016.12.09(71)申请人京磁材料科技股份有限公司地址101300北京市顺义区仁和镇顺通路31号(72)发明人姜华(74)专利代理机构北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369代理人史霞(51)Int.Cl.H01F41/02(2006.01)H01F1/057(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图1页(54)发明名称降低钕铁硼磁体碳含量的烧结方法(57)摘要本发明公开了一种降低钕铁硼磁体碳含量的烧结方法，其包括：将钕铁硼生坯放入烧结炉中进行真空烧结，在烧结炉升温至一预设值时，通入氢气且氢气的含量控制在其爆炸点之外，所述预设值范围为200-800℃。本发明所述降低钕铁硼磁体碳含量的烧结方法能够有效降低磁体的碳含量，提高钕铁硼磁体的磁性能和耐腐蚀性。CN106601459ACN106601459A权利要求书1/2页1.一种降低钕铁硼磁体碳含量的烧结方法，其特征在于，包括：将钕铁硼生坯放入烧结炉中进行真空烧结，在烧结炉升温至一预设值时，通入氢气且氢气的含量控制在其爆炸点之外，所述预设值范围为200-800℃。2.如权利要求1所述的降低钕铁硼磁体碳含量的烧结方法，其特征在于，所述烧结炉的升温过程为：第一阶段：升温到200℃-300℃，进行保温1-3h；第二阶段：升温到500℃-650℃，进行保温1-3h；第三阶段：升温到800℃-900℃，进行保温3-4h；第四阶段：继续升温，达到预烧结温度后保温3-5h；第五阶段：最后升至磁体的烧结温度，保温5-7h。3.如权利要求2所述的降低钕铁硼磁体碳含量的烧结方法，其特征在于，所述第一阶段和第二阶段的升温速率为4-8℃/min；第三阶段和第四阶段的升温速率为2-5℃/min；第五阶段的升温速率为2-3℃/min。4.如权利要求1所述的降低钕铁硼磁体碳含量的烧结方法，其特征在于，还包括：所述烧结炉在升温前进行抽真空，真空度达到0.4-0.6Pa。5.如权利要求4所述的降低钕铁硼磁体碳含量的烧结方法，其特征在于，还包括：所述钕铁硼生坯在入炉前处于保护气体中，所述保护气体为氮气或者惰性气体。6.如权利要求5所述的降低钕铁硼磁体碳含量的烧结方法，其特征在于，还包括：在烧结结束后，通入氩气至-0.03-0Pa，开风机冷却至80℃-100℃出炉。7.如权利要求5所述的降低钕铁硼磁体碳含量的烧结方法，其特征在于，所述钕铁硼生坯的压坯密度为3.5-5g/cm3。8.如权利要求7所述的降低钕铁硼磁体碳含量的烧结方法，其特征在于，所述钕硼铁生坯由钕铁硼原料粉末经过熔炼、制粉、压制成型；所述钕铁硼原料包括按质量百分比计算的以下组分：Pr-Nd，28％-33％；Dy，0-10％；Tb，0-10％；Nb，0-5％；Al：0-1％；B，0.5％-2.0％；Cu，0-1％；Co，0-3％；Ga，0-2％；Gd，0-2％；Ho，0-2％；Zr，0-2％；余量为Fe。9.如权利要求1所述的降低钕铁硼磁体碳含量的烧结方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，利用真空熔炼技术将钕铁硼磁体原料在中频感应加热的条件下熔化金属，获得钕铁硼合金；所述钕铁硼磁体原料按质量百分比组成包括：Pr-Nd：28％-33％；Dy：0-10％；Tb：0-10％；Nb：0-5％；Al：0-1％；B：0.5％-2.1％；Cu：0-1.3％；Co：0-3.2％；Ga：0-2％；Gd：0-2％；Ho：0-2％；Zr：0-2％；余量为Fe；步骤二，将所述钕铁硼合金在氢破炉中吸氢脱氢破碎，中碎机进一步破碎，再通过气流磨用氮气保护磨制成钕铁硼粉末；步骤三，将钕铁硼粉末压制成型，在等静压机进行冷等静压；步骤四，在氮气保护下，送入烧结炉，烧结炉抽真空至真空度到0.4-0.6Pa以下；步骤五，将烧结炉升温至200℃-300℃，进行保温1-3h，继续升温到500℃-650℃，进行保温1-3h，继续升温到800℃-900℃，进行保温3-4h，继续升温，达到预烧结温度后保温3-5h，最后升至磁体的烧结温度，保温5-7h；其中，在烧结炉升温至某一预设值时，通入氢气且氢气的含量控制在其爆炸点之外，所述预设值范围为200-800℃；2CN106601459A权利要求书2/2页步骤六，关闭加热器，充氩气至-0.03-0Pa，开风机冷却至80℃-100℃出炉，再经过时效处理，得到钕铁硼毛坯；采用时效工艺处理，得到钕铁硼磁体。10.如权利要求2所述的降低钕铁硼磁体碳含量的烧结方法，其特征在于，所述磁体的烧结温度为1000-1150℃。3CN106601459A说明书1/6页降