一种高频逆变纳米晶磁芯及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107256794A(43)申请公布日2017.10.17(21)申请号201710480271.5C22C38/12(2006.01)(22)申请日2017.06.22C22C38/16(2006.01)C22C38/14(2006.01)(71)申请人东莞市大忠电子有限公司C22C38/06(2006.01)地址523000广东省东莞市东城区温塘茶上工业大道16号(72)发明人孙灯红李经伟(74)专利代理机构东莞市华南专利商标事务所有限公司44215代理人姜华(51)Int.Cl.H01F41/02(2006.01)H01F1/153(2006.01)H01F1/24(2006.01)C22C38/02(2006.01)C22C38/32(2006.01)权利要求书2页说明书11页(54)发明名称一种高频逆变纳米晶磁芯及其制备方法(57)摘要本发明涉及高频逆变电源技术领域，具体涉及一种高频逆变纳米晶磁芯及其制备方法，包括如下步骤：将利用单辊熔体旋转快淬法制得的铁基纳米晶带材真空等温退火，然后水冷至室温；对所述铁基纳米晶带材进行破碎得到纳米晶金属粉末，对所述纳米晶金属粉末进行球磨整形，筛分成第一粉末和第二粉末；将经处理后的第一粉末和第二粉末混合均匀，压制成磁芯；将成型的纳米晶磁芯放入真空退火炉内进行热处理；再次进行热处理；将纳米晶磁芯进行浸胶固化处理。本发明的制备方法工艺简单，生产成本低，制备出来的磁芯成品具有高饱和磁感应强度、低高频损耗值、低矫顽力、耐高温等优点，其综合性能优良，不易破损，提高了产品的可靠性。CN107256794ACN107256794A权利要求书1/2页1.一种高频逆变纳米晶磁芯的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）将利用单辊熔体旋转快淬法制得的铁基纳米晶带材在温度为450-500℃、真空度为0.0005-0.0015Pa条件下真空等温退火1-2h，炉冷至250-350℃，保温0.5-1.5h，然后水冷至室温；（2）对所述铁基纳米晶带材进行破碎得到纳米晶金属粉末，对所述纳米晶金属粉末进行球磨整形，筛分成70%～90%的通过-200筛目的第一粉末和10%～30%的通过-150～+200筛目的第二粉末；（3）取第一粉末加入第一绝缘包覆剂，搅拌均匀后，再加入研磨助剂，球磨至粒径为30-50μm，烘干，粉碎，待用；（4）取第二粉末加入适量的水，制成质量分数为45%-55%的悬浮液，然后加入第二绝缘包覆剂，搅拌均匀，再通过胶体磨高剪切研磨至粒径为15-25μm，喷雾干燥成颗粒状粉体，待用；（5）将经步骤（3）处理后的第一粉末和步骤（4）处理后的第二粉末混合均匀，加入2%-4%的质量分数为10%-30%的铝酸钠水溶液，搅拌均匀，采用1.6-2.0GPa的压制压力压制成磁芯；（6）将成型的纳米晶磁芯放入真空退火炉内进行热处理；（7）将热处理后的纳米晶磁芯放入真空退火炉内再次进行热处理；（8）将再次进行热处理后的纳米晶磁芯进行浸胶固化处理。2.根据权利要求1所述的一种高频逆变纳米晶磁芯的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中，纳米晶带材为铁基纳米晶带材，所述铁基纳米晶带材包括如下重量百分比的元素：Si：14%-16%、B：7%-9%、Nb：1%-3%、Cu：1.6%-1.8%、Zr：4%-6%、Al：0.5%-1.5%，余量为Fe。3.根据权利要求2所述的一种高频逆变纳米晶磁芯的制备方法，其特征在于：所述铁基纳米晶带材还包括Ga：0.4%-0.8%、V：0.1%-0.5%、Ti：0.2%-0.6%、Mn：1%-3%、Cr：0.5%-1.5%、Mo：0.8%-1.2%、C：1.2%-1.4%、Ge：0.01%-0.05%、P：0.001%-0.005%、Vb：1.4%-1.8%、Ta：0.3%-0.7%和W：0.04%-0.08%。4.根据权利要求1所述的一种高频逆变纳米晶磁芯的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）中，第一绝缘包覆剂由0.4%-0.8%的聚异丁烯、0.5%-1.5%的木质素磺酸钙、1.2%-1.6%的异丙基三（二辛基焦磷酸酰氧基）钛酸酯和0.8%-1.2%的三聚磷酸钠组成。5.根据权利要求1所述的一种高频逆变纳米晶磁芯的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）中，研磨助剂由1.5%-2.5%的玻璃粉和0.5%-1.5%碳酸钙组成。6.根据权利要求1所述的一种高频逆变纳米晶磁芯的制备方法，其特征在于：所述步骤（4）中，第二绝缘包覆剂由0.1%-0.3%的苯并三氮唑、0.2%-0.4%的聚乙烯吡咯烷酮、0.15%-0.25%的羧甲基纤维素和0.05%-0.15%硬脂酸锌组成。7.根据权利要求1所述的一种高频逆变纳米晶磁芯的制备方法