一种高频高磁导的纳米晶磁芯及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115274244A(43)申请公布日2022.11.01(21)申请号202210959227.3(22)申请日2022.08.11(71)申请人常德智见新材料有限公司地址415001湖南省常德市常德经济技术开发区海德路189号（智见精密公司1号厂房一楼）(72)发明人姜永涨李林罡柯群威汪勇李平王嘉林(74)专利代理机构杭州浙科专利事务所(普通合伙)33213专利代理师汤明(51)Int.Cl.H01F1/153(2006.01)H01F41/02(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称一种高频高磁导的纳米晶磁芯及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种高频高磁导的纳米晶磁芯及其制备方法，包括如下步骤：在非晶纳米晶带材表面涂覆氧化镁；将经过处理后的带材送入管式隧道热处理炉前段烘干区进行快速烘干预处理，带材表面形成绝缘保护膜；将经过步骤烘干后的带材收卷成盘带存放；将所得盘带通过分卷方式卷绕成所需的非晶纳米晶磁芯尺寸；将所得非晶纳米晶磁芯进行磁场热处理，测试高频磁导率性能。本发明通过在带材上涂覆氧化镁溶液，使带材层与层之间的绝缘层能有效最大化隔绝层间短接，提升高频磁导率，降低涡流损耗。CN115274244ACN115274244A权利要求书1/1页1.一种高频高磁导的纳米晶磁芯的制备方法，其特征在于包括如下步骤：S1：将非晶纳米晶带材浸入质量浓度30%‑50%的氧化镁溶液中，使氧化镁覆着在非晶纳米晶带材上；S2：将经过步骤S1处理后的带材送入管式隧道热处理炉前段烘干区进行快速烘干预处理，带材表面形成绝缘保护膜；S3：将经过步骤S2预处理后的带材收卷成盘带存放；S4:将所得盘带通过分卷方式卷绕成所需的非晶纳米晶磁芯尺寸；S5：将步骤S4所得非晶纳米晶磁芯进行磁场热处理，测试高频磁导率性能。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述纳米晶带材为1K107铁基纳米晶带材。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1的具体过程为：将氧化镁粉末放入纯水中，用叶轮机构不停搅拌，使溶液始终处于浑浊状态，将氧化镁溶液均匀涂覆在非晶纳米晶带材上。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2的烘干温度为250℃‑350℃。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S3中将快速烘干非晶纳米晶带材用同步电机进行收卷成盘带。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S5中所述磁场热处理的具体操作步骤为：将预处理分卷完成后的非晶纳米晶磁芯放入立式气氛一体保护炉中，以80‑200℃/h速度快速升温至400‑420℃，保温0.5‑1h，保温结束后以50‑100℃/h速度升温至460‑480℃，保温0.5‑1h，保温结束后以20‑60℃/h速度升温至500‑520℃，保温0.2‑0.5h，保温结束后以30‑80℃/h速度升温至540‑570℃，保温0.5‑1h，保温结束后开始随炉冷却，同时开启磁场，炉温达到250℃以下时，关闭磁场。7.一种采用如权利要求1‑6任一所述的制备方法制备得到的高频高磁导的纳米晶磁芯，其特征在于其在100KHz的高频下的磁导率大于32000H/m。2CN115274244A说明书1/3页一种高频高磁导的纳米晶磁芯及其制备方法技术领域[0001]本发明属于磁芯制备技术领域，具体涉及一种高频高磁导的纳米晶磁芯及其制备方法。背景技术[0002]铁基非晶纳米晶带材作为一种新材料，具有高磁饱和、高磁导率、高居里温度、高的温度稳定性、低损耗等特性，作为电感器、电抗器、隔磁片等重要组成部分应用于电力系统、新能源汽车系统、电子元器件等领域；随着市场需求增加，对于高频高磁导率需求增加，目前常规工艺制备得到的纳米晶磁芯的高频（100KHz）磁导率很难达到32000H/m。发明内容[0003]针对上述问题情况，本发明的目的在于提供一种高频高磁导的纳米晶磁芯及其制备方法，解决铁基纳米晶磁芯高频（100KHZ）高磁导率合格率低问题。[0004]为实现上述目的，采取以下技术方案：一种高频高磁导的纳米晶磁芯的制备方法，包括如下步骤：S1：将非晶纳米晶带材浸入质量浓度30%‑50%的氧化镁溶液，使氧化镁覆着在非晶纳米晶带材上；S2：将经过步骤S1处理后的带材送入管式隧道热处理炉前段烘干区进行快速烘干预处理，使带材层与层之间存在绝缘薄膜层；S3：将经过步骤S2预处理后的带材收卷成盘带存放；S4:将所得盘带通过分卷方式卷绕成所需的非晶纳米晶磁芯尺寸；S5：将步骤S4所得非晶纳米晶磁芯进行磁场热处理，测试高频磁导率性能。[0005]进一步地，所述纳米晶带材为1K107铁基纳米晶带材。[0006]进一步地，步骤S1的具体过程为：将氧化镁粉末放入纯水中，