利用全封闭式坩埚制备溴化镧晶体的方法.pdf
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利用全封闭式坩埚制备溴化镧晶体的方法.pdf
本发明提供一种利用全封闭式坩埚制备溴化镧晶体的方法,根据坩埚形状,与晶体生长炉温场分布,通过设计一种呈凸面型的石英盖片,与溴化镧石英坩埚构成一种全封闭的生长环境,此种环境隔绝了溴化镧熔体与坩埚上部真空层部分,使熔体四周处于相对平衡的温场环境。另外,通过设计凸面型的石英盖片可以使固液界面呈现微凸界面的形式,有利于晶体内应力的释放。
利用温场可调的晶体生长装置制备溴化镧铈晶体的方法.pdf
本发明提供一种利用温场可调的晶体生长装置制备溴化镧铈晶体的方法,采用一种可调节尺寸,容易更换的保温材料层,且只需要一段式加热,无需晶转和平台上升下降系统。通过调节保温材料层的尺寸,使炉子温场适合于溴化镧铈晶体生长。本发明采用无运动机构完全静态的方法进行晶体生长。克服了以往坩埚下降法对下降系统精密度要求高,炉子之间差异较大不好批量复制,占用空间大等缺点。溴化镧铈晶体易实现程序化生长,对溴化镧铈晶体生长面控制极为有利,生长环境稳定,可有效避免晶体缺陷。晶体生长装置的制作简单,方便维护清理。
掺铈溴化镧的制备方法和装置.pdf
本发明提供了一种掺铈溴化镧的制备装置,包括:由高温区、低温区以及位于高温区与低温区之间的梯度区构成的水平炉,和用于生长晶体的全封闭式坩埚。本发明提供了一种掺铈溴化镧的制备方法,掺铈溴化镧的化学组成为Ce
一种溴化镧闪烁晶体的生长方法及所得晶体.pdf
本发明提供一种溴化镧闪烁晶体的生长方法,包括以下操作:将原料装入坩埚内,放置于下降炉中进行加热熔化,然后坩埚不动,炉体缓慢移动,从而使坩埚通过温度梯度区,使原料在坩埚底部结晶,随着炉体的连续移动,晶体沿着与炉体运动相同的方向逐渐长大。利用本发明提出的生长方法,坩埚不动,靠炉体的移动实现晶体生长,可有效避免传统LaBr
程序升温法制备高纯无水溴化镧或溴化铈.pdf
本发明涉及一种程序升温法制备高纯无水溴化镧或溴化铈,属于稀土材料制备领域。本发明是用氯根含量为<20ppm的碳酸镧或碳酸铈,用40%氢溴酸溶解,碳酸镧或碳酸铈与氢溴酸的重量比1∶1.6,经浓缩、结晶得到LaBr3·6H2O或CeBr3·6H2O;LaBr3·6H2O或CeBr3·6H2O与NH4Br按重量比1∶0.8在混料机中混合,用水喷射泵抽真空,当真空度达到0.08Pa时,设定升温程序开始加热,温度在室温~410℃,控制分段升温速度和保温时间,得到的无水溴化镧或溴化铈经分析检测含水量小于0.1%,加入