程序升温法制备高纯无水溴化镧或溴化铈.pdf
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程序升温法制备高纯无水溴化镧或溴化铈.pdf
本发明涉及一种程序升温法制备高纯无水溴化镧或溴化铈,属于稀土材料制备领域。本发明是用氯根含量为<20ppm的碳酸镧或碳酸铈,用40%氢溴酸溶解,碳酸镧或碳酸铈与氢溴酸的重量比1∶1.6,经浓缩、结晶得到LaBr3·6H2O或CeBr3·6H2O;LaBr3·6H2O或CeBr3·6H2O与NH4Br按重量比1∶0.8在混料机中混合,用水喷射泵抽真空,当真空度达到0.08Pa时,设定升温程序开始加热,温度在室温~410℃,控制分段升温速度和保温时间,得到的无水溴化镧或溴化铈经分析检测含水量小于0.1%,加入
程序升温法制备高纯无水氯化镧或氯化铈.pdf
本发明涉及一种程序升温法制备高纯无水氯化镧或氯化铈,属于稀土材料制备领域。本发明是用LaCl3·7H2O或CeCl3·7H2O和氯化铵按重量比4∶1混合,用水喷射泵抽真空,当真空度达到0.08Pa时,设定升温程序开始加热,温度在室温~360℃,控制分段升温速度和保温时间,得到的无水氯化镧或氯化铈经分析检测含水量小于0.1%,加入到水中立刻溶解,溶解后水溶液清亮透明,产品纯度大于99%。该法已应用在工业规模的程序升温炉每批产无水氯化镧或氯化铈100kg生产线上。
掺铈溴化镧的制备方法和装置.pdf
本发明提供了一种掺铈溴化镧的制备装置,包括:由高温区、低温区以及位于高温区与低温区之间的梯度区构成的水平炉,和用于生长晶体的全封闭式坩埚。本发明提供了一种掺铈溴化镧的制备方法,掺铈溴化镧的化学组成为Ce
利用温场可调的晶体生长装置制备溴化镧铈晶体的方法.pdf
本发明提供一种利用温场可调的晶体生长装置制备溴化镧铈晶体的方法,采用一种可调节尺寸,容易更换的保温材料层,且只需要一段式加热,无需晶转和平台上升下降系统。通过调节保温材料层的尺寸,使炉子温场适合于溴化镧铈晶体生长。本发明采用无运动机构完全静态的方法进行晶体生长。克服了以往坩埚下降法对下降系统精密度要求高,炉子之间差异较大不好批量复制,占用空间大等缺点。溴化镧铈晶体易实现程序化生长,对溴化镧铈晶体生长面控制极为有利,生长环境稳定,可有效避免晶体缺陷。晶体生长装置的制作简单,方便维护清理。
程序升温法制备高纯无水氯化镨或氯化钕.pdf
本发明涉及一种程序升温法制备高纯无水氯化镨或氯化钕,属于稀土材料制备领域。本发明是用PrCl3·6H2O或NdCl3·6H2O和氯化铵按重量比2∶1混合,用水喷射泵抽真空,当真空度达到0.08Pa时,设定升温程序开始加热,温度在室温~350℃,控制分段升温速度和保温时间,得到的无水氯化镨或氯化钕经分析检测含水量小于0.1%,加入到水中立刻溶解,溶解后水溶液清亮透明,产品纯度大于99.9%。该法已应用在工业规模的程序升温炉每批产无水氯化镨或氯化钕90kg生产线上。