一种石墨烯生长保护装置.pdf
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一种石墨烯生长保护装置.pdf
本发明公开了一种石墨烯生长保护装置,包括底座,所述底座的上端固定有炉体,所述炉体的内部设有空腔,所述空腔内从上至下依次设有加热器、传热网与冷却器,所述加热器的内部设有石英管,所述石英管的两端均贯穿加热器并分别连接有真空法兰与连接法兰,所述连接法兰远离石英管的一端连通有输气管、冷却气体出管、冷却气体进管与压力表,所述石英管的两端套设有第一安装板与第二安装板,所述炉体的两侧均通过锁紧螺钉固定有支撑板,两个所述支撑板的上端均固定有安装架。该石墨烯生长保护装置冷却保护措施完善,提高石墨烯的品质,且石英管拆卸方便,
一种石墨烯生长装置及其生长石墨烯的方法.pdf
本发明涉及一种石墨烯生长装置及其生长石墨烯的方法,包括石墨烯沉积系统、沉积炉和小车;石墨烯沉积系统的石墨烯模具和石墨烯基底设置在内石英管内部,内石英管开口端外部设有密闭法兰,密闭法兰上设有进气口和抽气口;沉积炉炉体右侧设有炉口,加热系统为空腔形,水平滑轨固定在炉口下侧,水平滑轨上滑动连接有石英管夹持装置;小车车体内设有水平升降台和水平夹持装置。本发明的石墨烯基底和模具放置于内石英管中,沉积后可随内石英管拉出快速降温冷却;炉体保温效果良好可直接保持在较高的温度,节约了升降温的时间,也避免了能源的浪费;设备配
一种石墨烯薄膜连续生长系统.pdf
本发明公开了一种石墨烯薄膜连续生长系统,包括机体和反应框,机体的进料口固定连接有进料架,机体的出料口固定连接有出料架,机体的一侧设置有用于将反应框从出料架内取出或将反应框装入进料架的辅助装置,反应框包括位于反应框底部的底板、固定于底板上的架体以及固定于支架上的反应盒,出料架和进料架均包括支撑板,两个支撑板上均固定连接有垫块,垫块的顶面用于与底板的底面相抵触,辅助装置包括底座板,底座板的顶面上固定有支柱,支柱顶部固定连接有安装板,安装板的顶面上滑动设置支撑杆,支撑杆上设置有阻碍底板脱离支撑杆的第一卡接机构。
一种用于石墨烯生长的载具以及制备石墨烯的方法.pdf
本发明涉及一种用于石墨烯生长的载具以及制备石墨烯的方法,载具包括立方体框架,立方体框架的底端上设有底挡板,立方体框架相对的两个侧面的内侧上均设有侧挡板,两个侧挡板相互朝向的一面上均设有若干均匀排布的侧挡板槽,两个侧挡板上的侧挡板槽分别一一对应,在立方体框架设有侧挡板的两个侧面的顶边上均设有若干固定槽,立方体框架的顶端设有若干横向石英棒,相邻的两个横向石英棒之间设有碳碳复合材料薄板,碳碳复合材料薄板的两侧边分别设在两个侧挡板的侧挡板槽内。将生长基底铺设在碳碳复合材料薄板上,将纵向石英棒依次穿过碳碳复合材料薄
一种低温生长石墨烯的方法.pdf
本发明公开了一种低温生长石墨烯的方法,包括如下步骤:1)以结晶状氯化钠(NaCl)为衬底,在其上事先采用磁控溅射方法预沉积一层厚度为10nm的Zn薄膜。2)‑将上述预沉积有Zn膜的NaCl衬底置于管式电阻炉中,加热至300‑350℃,通入H2‑CH4‑N2为反应气体,反应3.5小时。3)反应结束后,关闭电源,继续通入H2气,利用H2气冷却,使样品快速冷却至室温,得到所需的产物石墨烯。根据上述低温生长方法制得的石墨烯,为二维层状结构,竖直生长在衬底上,并互相连接形成多孔结构,形貌结构均匀。本发明生长温度降低