一种石墨烯生长装置及其生长石墨烯的方法.pdf
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一种石墨烯生长装置及其生长石墨烯的方法.pdf
本发明涉及一种石墨烯生长装置及其生长石墨烯的方法,包括石墨烯沉积系统、沉积炉和小车;石墨烯沉积系统的石墨烯模具和石墨烯基底设置在内石英管内部,内石英管开口端外部设有密闭法兰,密闭法兰上设有进气口和抽气口;沉积炉炉体右侧设有炉口,加热系统为空腔形,水平滑轨固定在炉口下侧,水平滑轨上滑动连接有石英管夹持装置;小车车体内设有水平升降台和水平夹持装置。本发明的石墨烯基底和模具放置于内石英管中,沉积后可随内石英管拉出快速降温冷却;炉体保温效果良好可直接保持在较高的温度,节约了升降温的时间,也避免了能源的浪费;设备配
石墨烯及石墨烯杂化材料的控制生长.docx
石墨烯及石墨烯杂化材料的控制生长石墨烯是由碳原子构成的二维材料,具有优异的物理和化学特性,如高导电性、高强度和超薄透明等。这些特性使石墨烯在许多领域具有广泛的应用前景,包括电子器件、光电器件、储能器件以及生物医学等领域。然而,石墨烯的制备技术仍然是一个重要的研究领域。石墨烯的制备方法主要包括化学气相沉积法、电化学剥离法、机械剥离法和热剥离法等。其中,化学气相沉积法(CVD)被认为是制备高质量石墨烯的主流方法之一。CVD法利用金属催化剂,如镍、铜、铱等金属催化石墨烯的生长,该方法具有高效性、可重复性和适用性
一种石墨烯生长保护装置.pdf
本发明公开了一种石墨烯生长保护装置,包括底座,所述底座的上端固定有炉体,所述炉体的内部设有空腔,所述空腔内从上至下依次设有加热器、传热网与冷却器,所述加热器的内部设有石英管,所述石英管的两端均贯穿加热器并分别连接有真空法兰与连接法兰,所述连接法兰远离石英管的一端连通有输气管、冷却气体出管、冷却气体进管与压力表,所述石英管的两端套设有第一安装板与第二安装板,所述炉体的两侧均通过锁紧螺钉固定有支撑板,两个所述支撑板的上端均固定有安装架。该石墨烯生长保护装置冷却保护措施完善,提高石墨烯的品质,且石英管拆卸方便,
一种用于石墨烯生长的载具以及制备石墨烯的方法.pdf
本发明涉及一种用于石墨烯生长的载具以及制备石墨烯的方法,载具包括立方体框架,立方体框架的底端上设有底挡板,立方体框架相对的两个侧面的内侧上均设有侧挡板,两个侧挡板相互朝向的一面上均设有若干均匀排布的侧挡板槽,两个侧挡板上的侧挡板槽分别一一对应,在立方体框架设有侧挡板的两个侧面的顶边上均设有若干固定槽,立方体框架的顶端设有若干横向石英棒,相邻的两个横向石英棒之间设有碳碳复合材料薄板,碳碳复合材料薄板的两侧边分别设在两个侧挡板的侧挡板槽内。将生长基底铺设在碳碳复合材料薄板上,将纵向石英棒依次穿过碳碳复合材料薄
生长单层石墨烯的工艺方法.pdf
本发明涉及材料制备技术领域,具体涉及一种生长单层石墨烯的工艺方法,其包括以下步骤:步骤1,将铜箔固定在阴极并置于酸性电解液中,在工作电极和对电极之间施加电压V<base:Sub>0</base:Sub>,对铜箔进行处理,持续时间t<base:Sub>0</base:Sub>;步骤2,将步骤1得到的铜箔依次置于去离子水和酒精中清洗,并用氮气吹干铜箔;步骤3,将步骤2得到的铜箔置在两层石墨片之间,采用化学气相沉积法,在铜箔两侧生长单层石墨烯;本发明的工艺方法,其制备的单层石墨烯纯净度高。