一种制备石墨烯透明导电薄膜的方法.pdf
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一种制备石墨烯透明导电薄膜的方法.pdf
本发明公开了一种制备石墨烯透明导电薄膜的方法,属于导电薄膜生产技术领域。该方法包括步骤A.涂覆溶液制备将5~10份石墨烯薄片、5~10份氧化石墨烯薄片、30~40份苯丙乳液、10~15份纳米银粉末、55~65份水置于离心试管中,超声振荡15~25min后备用;B.涂覆、干燥:将步骤A制得的涂覆溶液,在干燥的玻璃板上涂覆,涂覆厚度为100~200μm,涂覆后干燥,备用;C、还原和修复:将步骤B得到的半成品置于炉中,通入气体并打开真空泵;将炉升温至500‑800℃,打开电源,并调整电源功率,在炉内产生等离子体
一种石墨烯透明导电薄膜、其制备方法及应用.pdf
本发明涉及导电薄膜生产技术领域,尤其涉及一种石墨烯透明导电薄膜、其制备方法及应用。本发明提供了一种石墨烯透明导电薄膜,包括:柔性基底;在所述柔性基底的一面复合高透硅胶层;在所述高透硅胶层上复合石墨烯薄膜层;在所述柔性基底的另一面复合OCA光学胶层。本发明提供的石墨烯透明导电薄膜的清洁度和表面平整度较优,同时,可以保持较好的完整性和优异的光电性能,透光率较优。适用于柔性电容器、传感器、触摸屏、太阳能电池和有机发光二极管等器件的制备。实验表明,所述石墨烯透明导电薄膜中,石墨烯薄膜层的表面电阻率不超过630oh
一种利用高温处理制备石墨烯透明导电薄膜的方法.pdf
本发明公开了一种利用高温处理制备超高导电石墨烯透明薄膜的方法,包括:在室温条件下,将石英片清洗,干燥,表面氧化处理;在室温条件下,将由低温下制备而成的超大片氧化石墨烯和碘化氢按照一定质量比配制成分散溶液,然后在60‑80℃恒温处理5‑15min;石英片在分散液中进行提拉处理,得到处理后的石英片;将装有处理后的石英片的容器放入容器中,涂上凡士林进行密封,在85℃条件下,恒温处理12‑24h后,置于高温炉中,以氢气充满环境,在1500℃高温下,处理30min,既得。本发明的制备方法简单,产量大;薄膜的透过率高
一种石墨烯导电薄膜及其制备方法.pdf
本发明公开了一种石墨烯导电薄膜,它是由下述重量份的原料组成的:石墨烯7‑10、改性吡咯单体10‑14、过氧化二苯甲酰0.2‑0.3、磷酸三乙酯1‑2、月桂基二甲基氧化胺0.5‑1、异氰尿酸三缩水甘油酯1‑2、聚四氟乙烯80‑90。本发明将该石墨烯改性聚吡咯与聚四氟乙烯基体共混,可以起到很好的分散相容效果,不仅可以赋予成品薄膜一定的导电性能,而且可以提高成品薄膜的力学强度和稳定性。
一种基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜及其制备方法.pdf
本发明公开了一种基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜,包括石墨烯薄膜,和铟锡氧化物半导体透明导电膜,碎裂为若干碎片的所述铟锡氧化物半导体透明导电膜贴合于所述石墨烯薄膜的表面。本发明还公开了一种复合柔性透明导电薄膜的制备方法,包括以下步骤:在衬底上生长石墨烯薄膜;将生长好石墨烯薄膜的衬底的石墨烯面,贴在胶膜上;将衬底与石墨烯薄膜剥离开来;将石墨烯薄膜与铟锡氧化物半导体透明导电膜贴合在一起,然后加压使铟锡氧化物半导体透明导电膜碎裂并附着在石墨烯薄膜的表面,完成复合柔性透明导电薄膜的制备。本发明将碎裂的铟锡氧化物半