一种基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107134321A(43)申请公布日2017.09.05(21)申请号201710292102.9(22)申请日2017.04.28(71)申请人成都川烯科技有限公司地址610000四川省成都市高新区天仁路259号1栋7层716号(72)发明人周培邓广才朱小英(74)专利代理机构北京天奇智新知识产权代理有限公司11340代理人杨春(51)Int.Cl.H01B13/00(2006.01)H01B5/14(2006.01)H01B1/04(2006.01)H01B1/08(2006.01)权利要求书2页说明书3页附图1页(54)发明名称一种基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜，包括石墨烯薄膜，和铟锡氧化物半导体透明导电膜，碎裂为若干碎片的所述铟锡氧化物半导体透明导电膜贴合于所述石墨烯薄膜的表面。本发明还公开了一种复合柔性透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：在衬底上生长石墨烯薄膜；将生长好石墨烯薄膜的衬底的石墨烯面，贴在胶膜上；将衬底与石墨烯薄膜剥离开来；将石墨烯薄膜与铟锡氧化物半导体透明导电膜贴合在一起，然后加压使铟锡氧化物半导体透明导电膜碎裂并附着在石墨烯薄膜的表面，完成复合柔性透明导电薄膜的制备。本发明将碎裂的铟锡氧化物半导体透明导电膜与石墨烯薄膜复合在一起，在保留石墨烯薄膜原有优点的基础上有效降低了方阻。CN107134321ACN107134321A权利要求书1/2页1.一种基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜，包括石墨烯薄膜，其特征在于：还包括铟锡氧化物半导体透明导电膜，碎裂为若干碎片的所述铟锡氧化物半导体透明导电膜贴合于所述石墨烯薄膜的表面。2.一种如权利要求1所述的基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)通过化学气相沉积法，在衬底上生长石墨烯薄膜；(2)将生长好石墨烯薄膜的衬底的石墨烯面，贴在胶膜上；(3)将衬底与石墨烯薄膜剥离开来，使石墨烯薄膜附着在胶膜上；(4)将石墨烯薄膜与铟锡氧化物半导体透明导电膜贴合在一起，然后加压使铟锡氧化物半导体透明导电膜碎裂为若干碎片并附着在石墨烯薄膜的表面，完成复合柔性透明导电薄膜的制备。3.根据权利要求2所述的基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，所述衬底的材料为包括但不限于Pt、Ni、Cu、Co、Ir、Ru、Au、Ag及其合金导体中的一种或多种，或者为包括但不限于Si、SiO2、Al2O3半导体中的一种或多种，或者上述导体和半导体中的一种或多种的复合材料。4.根据权利要求3所述的基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述衬底的材料为Cu或Ni。5.根据权利要求2所述的基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中，所述胶膜为包括但不限于热释放胶带、热减粘胶膜、有机硅胶膜、UV减粘膜中的一种或多种，所述胶膜的厚度为1μm至2mm。6.根据权利要求5所述的基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述胶膜为热释放胶带或有机硅胶模，所述胶膜的厚度为10μm至200μm。7.根据权利要求2所述的基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中，剥离衬底与石墨烯薄膜的方法为包括但不限于化学法腐蚀衬底法、电化学法腐蚀衬底法、机械剥离法、鼓泡法中的一种或多种。8.根据权利要求7所述的基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：剥离衬底与石墨烯薄膜的方法为化学法腐蚀衬底法。9.根据权利要求2所述的基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中，所述铟锡氧化物半导体透明导电膜的厚度为1nm至10μm。10.根据权利要求9所述的基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述铟锡氧化物半导体透明导电膜的厚度为30nm至100nm。11.根据权利要求2-10中任何一项所述的基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中，将碎裂为若干碎片的铟锡氧化物半导体透明导电膜附着在石墨烯薄膜的表面的处理条件为：下述条件中，至少包括其中的压力条件：压力条件：压力控制在10MPa-1000000MPa；温度条件：温度控制在-100℃-200℃；紫外光条件：紫外光的辐照能量波长控制在10nm-400nm，紫外光的辐照能量控制在0.1mj/cm2-10000mj/cm2。12.根据权利要求11所述的基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述压力条件中，压力控制在1000MPa-10000MPa；所述温度条件中，温度控制在50℃-13