一种石墨烯透明导电薄膜、其制备方法及应用.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110517809A(43)申请公布日2019.11.29(21)申请号201910870735.2H01L51/52(2006.01)(22)申请日2019.09.16(71)申请人中国科学院宁波材料技术与工程研究所地址315201浙江省宁波市镇海区庄市大道519号(72)发明人张志坤王作智夏连连汪伟刘兆平(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人刘猛(51)Int.Cl.H01B5/14(2006.01)H01B13/00(2006.01)H01L51/44(2006.01)权利要求书1页说明书10页附图2页(54)发明名称一种石墨烯透明导电薄膜、其制备方法及应用(57)摘要本发明涉及导电薄膜生产技术领域，尤其涉及一种石墨烯透明导电薄膜、其制备方法及应用。本发明提供了一种石墨烯透明导电薄膜，包括：柔性基底；在所述柔性基底的一面复合高透硅胶层；在所述高透硅胶层上复合石墨烯薄膜层；在所述柔性基底的另一面复合OCA光学胶层。本发明提供的石墨烯透明导电薄膜的清洁度和表面平整度较优，同时，可以保持较好的完整性和优异的光电性能，透光率较优。适用于柔性电容器、传感器、触摸屏、太阳能电池和有机发光二极管等器件的制备。实验表明，所述石墨烯透明导电薄膜中，石墨烯薄膜层的表面电阻率不超过630ohm/sq，石墨烯薄膜层结构完整、表面光滑平整、干净、无残留。CN110517809ACN110517809A权利要求书1/1页1.一种石墨烯透明导电薄膜，其特征在于，包括：柔性基底；在所述柔性基底的一面复合高透硅胶层；在所述高透硅胶层上复合石墨烯薄膜层；在所述柔性基底的另一面复合OCA光学胶层。2.根据权利要求1所述的石墨烯透明导电薄膜，其特征在于，所述柔性基底的组分选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺和聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种或几种。3.根据权利要求1所述的石墨烯透明导电薄膜，其特征在于，所述高透硅胶层的厚度为30nm～1000μm；所述柔性基底的厚度为10～300μm；所述OCA光学胶层的厚度为30nm～1000μm。4.一种石墨烯透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：A)采用化学气相沉积法在金属箔的上表面生长石墨烯薄膜，得到石墨烯薄膜层；在柔性基底的一面涂布高透硅胶，得到高透硅胶层/柔性基底复合层；B)将所述高透硅胶层与所述石墨烯薄膜层贴合，进行加压，得到石墨烯薄膜层/高透硅胶层/柔性基底复合层；C)在所述柔性基底的另一面涂布OCA光学胶，得到OCA光学胶层；D)通过刻蚀法或电化学法去除所述金属箔，得到石墨烯复合体，经清洗和干燥后，得到石墨烯透明导电薄膜。5.根据权利要求4所述的石墨烯透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤B)中，所述加压的压力为0.1～20MPa，所述加压的时间为1s～30h。6.根据权利要求4所述的石墨烯透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤D)中，所述刻蚀法采用的刻蚀液为盐酸与双氧水的混合溶液、氯化铁的水溶液和过硫酸铵的水溶液中的一种。7.根据权利要求6所述的石墨烯透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述刻蚀液的浓度为0.1～10mol/L；所述盐酸与双氧水的体积比为1～9：1～9。8.根据权利要求4所述的石墨烯透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤D)中，所述电化学法采用的电解液包括硫酸溶液、盐酸溶液、硝酸溶液、甲磺酸的水溶液、柠檬酸的水溶液、氢氧化钠的水溶液、氢氧化钾的水溶液、氯化钠的水溶液和氯化钾的水溶液中的一种；所述电解液的浓度为0.1～10mol/L。9.根据权利要求4所述的石墨烯透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤D)中，所述清洗采用的清洗剂为去离子水。10.权利要求1～3任意一项所述的石墨烯透明导电薄膜或权利要求4～9任意一项所述的制备方法制备的石墨烯透明导电薄膜作为光电器件的透明电极的应用。2CN110517809A说明书1/10页一种石墨烯透明导电薄膜、其制备方法及应用技术领域[0001]本发明涉及导电薄膜生产技术领域，尤其涉及一种石墨烯透明导电薄膜、其制备方法及应用。背景技术[0002]石墨烯(Graphene)具有优异的透光、导电、导热和力学性能，作为新一代透明导电薄膜，可广泛地用于传感器、电容器、触摸屏、太阳能电池、有机发光二极管和传感器等领域。目前，化学气相沉积(CVD)法是制备大面积石墨烯薄膜的主要方法，但石墨烯通常在金属箔(铜、铂、镍等)基体上生长，为实现其表征和应用，需要将其转移到其它基体(硅片、玻璃片、塑料等)上。然而，已有的卷对卷(RolltoRoll)、机械剥离等转移过程容易造成石墨烯破损，严重影响转移后石墨烯的性能。利用转移介质的方法，能够减少这种破损，但目前使用的转移介质通常