一种石墨烯导电薄膜及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108727749A(43)申请公布日2018.11.02(21)申请号201810492049.1(22)申请日2018.05.22(71)申请人温州市赢创新材料技术有限公司地址325011浙江省温州市龙湾区状元街道乐清路21号(72)发明人张德胜(51)Int.Cl.C08L27/18(2006.01)C08L79/04(2006.01)C08K13/02(2006.01)C08K3/04(2006.01)C08K5/521(2006.01)C08K5/3492(2006.01)C08J5/18(2006.01)C08G73/06(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称一种石墨烯导电薄膜及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种石墨烯导电薄膜，它是由下述重量份的原料组成的：石墨烯7-10、改性吡咯单体10-14、过氧化二苯甲酰0.2-0.3、磷酸三乙酯1-2、月桂基二甲基氧化胺0.5-1、异氰尿酸三缩水甘油酯1-2、聚四氟乙烯80-90。本发明将该石墨烯改性聚吡咯与聚四氟乙烯基体共混，可以起到很好的分散相容效果，不仅可以赋予成品薄膜一定的导电性能，而且可以提高成品薄膜的力学强度和稳定性。CN108727749ACN108727749A权利要求书1/1页1.一种石墨烯导电薄膜，其特征在于，它是由下述重量份的原料组成的：石墨烯7-10、改性吡咯单体10-14、过氧化二苯甲酰0.2-0.3、磷酸三乙酯1-2、月桂基二甲基氧化胺0.5-1、异氰尿酸三缩水甘油酯1-2、聚四氟乙烯80-90。2.根据权利要求1所述的一种石墨烯导电薄膜，其特征在于，所述的改性吡咯单体是由下述重量份的原料组成的：吡咯30-40、蓖麻油酸2-3、三羟甲基丙烷4-5、8-羟基喹啉0.1-0.2、对甲基苯磺酸0.08-0.1；所述改性吡咯单体的制备方法，包括以下步骤：（1）取8-羟基喹啉，加入到其重量5-7倍的无水乙醇中，搅拌均匀，加入三羟甲基丙烷，升高温度为50-55℃，保温搅拌10-20分钟，得醇分散液；（2）取吡咯，加入到上述醇分散液中，超声1-2小时，整理除去乙醇，得预处理吡咯；（3）取蓖麻油酸，加入到其重量10-16倍的去离子水中，搅拌均匀，加入上述预处理吡咯，送入到反应釜中，调节反应釜温度为90-95℃，加入对甲基苯磺酸，保温反应5-6小时，出料冷却，得改性吡咯单体。3.一种如权利要求1所述的石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）取月桂基二甲基氧化胺，加入到其重量20-30倍的去离子水中，搅拌均匀，加入石墨烯，超声10-14分钟，得石墨烯分散液；（2）取过氧化二苯甲酰，加入到其重量6-9倍的异丙醇中，搅拌均匀，得引发剂溶液；（3）取上述石墨烯分散液、改性吡咯单体混合，搅拌均匀，送入到反应釜中，通入氮气，调节反应釜温度为70-75℃，加入上述引发剂溶液，保温搅拌3-4小时，出料，得石墨烯改性聚吡咯溶液；（4）取磷酸三乙酯，加入到上述石墨烯改性聚吡咯溶液中，搅拌均匀，加入聚四氟乙烯，超声1-2小时，过滤，将沉淀水洗，真空50-55℃下干燥40-50分钟，得石墨烯改性聚吡咯；（5）取上述石墨烯改性聚吡咯，与剩余各原料混合，搅拌均匀，送入到挤出机中，流延成膜，即得所述石墨烯导电薄膜。2CN108727749A说明书1/3页一种石墨烯导电薄膜及其制备方法技术领域[0001]本发明属于薄膜领域，具体涉及一种石墨烯导电薄膜及其制备方法。背景技术[0002]聚四氟乙烯具有杰出的优良综合性能，耐高温，耐腐蚀、不粘、自润滑、优良的介电性能、很低的摩擦系数。用作工程塑料，可制成聚四氟乙烯管、棒、带、板、薄膜等，一般应用于性能要求较高的耐腐蚀的管道、容器、泵、阀以及制雷达、高频通讯器材、无线电器材等。在PTFE中加入任何可以承受PTFE烧结温度的填充剂，机械性能可获得大大的改善，同时保持PTFE其它优良性能。填充的品种有玻璃纤维、金属、金属化氧化物、石墨、二硫化钼、碳纤维、聚酰亚胺等，其长期使用温度200-260℃，在-100℃时仍柔软；能耐王水和一切有机溶剂；在塑料中最佳的老化寿命；具有塑料中最小的摩擦系数；具有固体材料中最小的表面张力而不粘附任何物质；优异的电气性能，是理想的C级绝缘材料，报纸厚的一层就能阻挡1500V的高压；比冰还要光滑。因此聚四氟乙烯材料广泛应用在国防军工、原子能、石油、无线电、电力机械、化学工业等重要部门；而聚四氟乙烯薄膜广泛用于电容器介质，作导线绝缘，电器仪表绝缘，密封衬垫，其几乎是作为绝缘材料使用的，而随着社会的不断发展，如果将其赋予一定的导电性能，相信也可以改变其传统使用方式，以将其应用于更多的领域。发明内容[0003]本发明的