一种高效节能还原炉底盘和多晶硅还原炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108773846A(43)申请公布日2018.11.09(21)申请号201811028733.0(22)申请日2018.08.31(71)申请人内蒙古通威高纯晶硅有限公司地址014000内蒙古自治区包头市昆都仑区金属深加工园区荣华大街1号(72)发明人王亚萍甘居富彭中游书华罗周庹如刚张聪张杰余涛晏涛刘斌(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人王学强罗满(51)Int.Cl.C01B33/035(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图4页(54)发明名称一种高效节能还原炉底盘和多晶硅还原炉(57)摘要本发明公开一种高效节能还原炉底盘，包括底盘，所述底盘上设有中心进料口、n个电极圈层和n-1个进料圈层，其中n≥4且n为正整数；所述电极圈层和进料圈层以中心进料口为圆心间隔设置；每个所述进料圈层设有不少于4个进料口；所述电极圈层从内向外计数，第n电极圈层设有4n对电极；同一电极圈层内相邻两个电极之间等间距设置；第n个所述电极圈层外设有出料圈层，所述出料圈层设有至少两个出料口，所述出料口等间距设置在出料圈层上。重新设计还原炉底盘上电极和进料口的布局，从而改进还原炉中进行反应的温场和气场，同时提高原料转换率，降低生产成本。本申请还提供一种包括上述高效节能还原炉底盘的多晶硅还原炉。CN108773846ACN108773846A权利要求书1/1页1.一种高效节能还原炉底盘，包括底盘本体，其特征在于，所述底盘本体上设有中心进料口、n个电极圈层和n-1个进料圈层，其中n≥4且n为正整数；所述电极圈层和进料圈层以中心进料口为圆心间隔设置；每个所述进料圈层设有不少于4个进料口；所述电极圈层从内向外计数，第一电极圈层设有4对电极，第二电极圈层设有8对电极，第三电极圈层设有12对电极……第n电极圈层设有4n对电极；同一电极圈层内相邻两个电极之间等间距设置；第n个所述电极圈层外设有出料圈层，所述出料圈层设有至少两个出料口，所述出料口等间距设置在出料圈层上。2.如权利要求1所述的高效节能还原炉底盘，其特征在于，第n电极圈层包括第一电极组和第二电极组，所述第一电极组和第二电极组分别包括2n对电极；所述第一电极组和第二电极组轴对称设置；所述第一电极组和第二电极组接入不同的供电电源。3.如权利要求2所述的高效节能还原炉底盘，其特征在于，第n-1电极圈层包括第三电极组和第四电极组，所述第三电极组和第四电极组分别包括2(n-1)对电极；所述第三电极组和第四电极组呈轴对称设置；所述第三电极组和第四电极组接入不同的供电电源。4.如权利要求1所述的高效节能还原炉底盘，其特征在于，所述进料圈层上的进料口的内径相同且小于中心进料口的内径。5.如权利要求1所述的高效节能还原炉底盘，其特征在于，所述出料圈层上出料口的数量为2x个，其中x≥2且x为正整数。6.如权利要求1所述的高效节能还原炉底盘，其特征在于，在所述底盘本体上以所述中心进料口为极点，过所述第三电极圈层上任意一个电极引射线为极轴，建立极坐标系；第3y电极圈层上至少有一个电极位于极轴上，第3y-1电极圈层的电极和第3y-2电极圈层的电极对称分布在极轴两侧，其中y为正整数且3y≤n。7.如权利要求6所述的高效节能还原炉底盘，其特征在于，n＝4，第一电极圈层上初始电极的极坐标角度为22.5°，第二电极圈层上初始电极的极坐标角度为11.25°，第四电极圈层上初始电极的极坐标角度为5.625°。8.如权利要求6所述的高效节能还原炉底盘，其特征在于，所述进料圈层从内向外依次包括第一进料圈层、第二进料圈层和第三进料圈层；所述第一进料圈层等间距设有4个内圈进料口，所述内圈进料口的初始进料口的极坐标角度为45°；所述第二进料圈层等间距设有12个中圈进料口，所述中圈进料口的初始进料口的极坐标角度为0°；所述第三进料圈层设有8个外圈进料口，所述外圈进料口的极坐标角度分别为15°、75°、105°、165°、195°、255°、285°、345°。9.一种多晶硅还原炉，包括如权利要求1-8任意一项所述的高效节能还原炉底盘，其特征在于，所述底盘本体外设有钟罩形炉壁，所述钟罩形炉壁包括分离设置的外炉壁和内炉壁；所述内炉壁为低辐射系数的材质制备的炉壁，所述外炉壁和内炉壁之间通有冷却水。2CN108773846A说明书1/5页一种高效节能还原炉底盘和多晶硅还原炉技术领域[0001]本发明涉及多晶硅生产领域，具体涉及一种高效节能还原炉底盘和多晶硅还原炉。背景技术[0002]目前主流的多晶硅生产工艺技术为改良西门子法：采用与电极相连的硅芯作为沉积基底，采用高温还原工艺，以高纯的三氯氢硅在氢气气氛中还原沉积而生成多晶硅。[0003]理论上，多晶硅