用于多晶硅还原炉的底盘组件和多晶硅还原炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106044775A(43)申请公布日2016.10.26(21)申请号201610587490.9(22)申请日2016.07.22(71)申请人中国恩菲工程技术有限公司地址100038北京市海淀区复兴路12号(72)发明人石何武汪绍芬严大洲石涛杨永亮姚心(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201代理人宋合成(51)Int.Cl.C01B33/021(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图1页(54)发明名称用于多晶硅还原炉的底盘组件和多晶硅还原炉(57)摘要本发明公开了一种用于多晶硅还原炉的底盘组件和多晶硅还原炉，用于多晶硅还原炉的底盘组件包括：底盘本体，底盘本体内限定有冷却腔；多个电极，多个电极设在底盘本体上且在底盘本体上排列成多圈，每圈电极等间距设置且中心位于底盘本体的中心轴线上；多个进气端管，多个进气端管设在底盘本体上且位于相邻圈电极之间以及底盘本体的中心处；多个出气端管，多个出气端管设在底盘本体上且位于最外圈电极与最内圈电极之间；至少一个进气管，每个进气管与至少一个进气端管相连。至少一个出气管，每个出气管与至少一个出气端管相连。根据本发明实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件具有结构紧凑、节能高效、集成大型化、单炉产量高等优点。CN106044775ACN106044775A权利要求书1/2页1.一种用于多晶硅还原炉的底盘组件，其特征在于，包括：底盘本体，所述底盘本体内限定有冷却腔；多个电极，多个所述电极设在所述底盘本体上且在所述底盘本体上排列成多圈，每圈电极等间距设置且中心位于所述底盘本体的中心轴线上，多圈电极沿所述底盘本体的径向间隔设置；多个进气端管，多个所述进气端管设在所述底盘本体上且位于相邻圈电极之间以及所述底盘本体的中心处；多个出气端管，多个所述出气端管设在所述底盘本体上且位于最外圈电极与最内圈电极之间；至少一个进气管，每个所述进气管与至少一个所述进气端管相连。至少一个出气管，每个所述出气管与至少一个所述出气端管相连。2.根据权利要求1所述的用于多晶硅还原炉的底盘组件，其特征在于，所述底盘本体的内直径为2800mm-3000mm，所述电极为48对。3.根据权利要求1所述的用于多晶硅还原炉的底盘组件，其特征在于，所述电极为48对且在所述底盘本体上排列成4-6圈。4.根据权利要求3所述的用于多晶硅还原炉的底盘组件，其特征在于，所述电极分布在沿所述底盘本体的径向由外至内的第一至第四圈上，所述第一圈上分布有18对电极，所述第二圈上分布有14对电极，所述第三圈上分布有10对电极，所述第四圈上分布有6对电极。5.根据权利要求1所述的用于多晶硅还原炉的底盘组件，其特征在于，每个所述电极包括：电极座，所述电极座设在所述底盘本体上；电极本体，所述电极本体设在所述电极座上，其中，每圈电极的相邻两个电极本体的正负极反向设置且相邻两对电极通过电极板连接。6.根据权利要求1所述的用于多晶硅还原炉的底盘组件，其特征在于，所述进气端管为20-50个，其中，一个进气端管设在所述底盘本体的中心处且其余进气端管排列成多圈，多圈进气端管设在相邻圈电极之间以及最内圈电极与所述底盘本体的中心之间。7.根据权利要求6所述的用于多晶硅还原炉的底盘组件，其特征在于，所述其余进气端管分布在沿所述底盘本体的径向由外至内的第一至第四圈，所述第一圈上分布有20个进气端管，所述第二圈上分布有15个进气端管，所述第三圈上分布有6个进气端管，所述第四圈上分布有4个进气端管。8.根据权利要求1所述的用于多晶硅还原炉的底盘组件，其特征在于，多个所述出气端管在所述底盘本体上排列成至少一圈，每圈出气端管的相邻出气端管之间设有进气端管。9.根据权利要求1-8中任一项所述的用于多晶硅还原炉的底盘组件，其特征在于，所述底盘本体包括：底盘法兰；上底板，所述上底板设在所述底盘法兰内；下底板，所述下底板设在所述底盘法兰内且位于所述上底板下方，所述下底板与所述上底板和所述底盘法兰限定出所述冷却腔；多个导流板，多个所述导流板设在所述冷却腔内且在所述冷却腔内限定出多个螺旋流2CN106044775A权利要求书2/2页道。10.根据权利要求9所述的用于多晶硅还原炉的底盘组件，其特征在于，还包括：多个进液管，多个所述进液管设在所述底盘本体上且每个所述进液管分别与多个所述螺旋流道连通，多个所述进液管位于最外圈电极与最内圈电极之间以及所述底盘本体的中心处；多个出液管，多个所述出液管设在所述底盘本体上且每个所述出液管分别与多个所述螺旋流道连通，多个所述出液管在所述底盘本体的径向上位于最外圈电极的外侧。11.根据权利要求10所述的用于多晶硅还原炉的底盘组件，其特征在于，多个所述进液管分别嵌套在所述