还原炉底盘及多晶硅还原炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110937607A(43)申请公布日2020.03.31(21)申请号201911407824.X(22)申请日2019.12.31(71)申请人亚洲硅业(青海)股份有限公司地址810000青海省西宁市城东区经济技术开发区金硅路1号申请人青海省亚硅硅材料工程技术有限公司(72)发明人丁小海宗冰吉红平杨明财王体虎(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463代理人毕翔宇(51)Int.Cl.C01B33/035(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图2页(54)发明名称还原炉底盘及多晶硅还原炉(57)摘要本发明涉及多晶硅生产技术领域，尤其是涉及一种还原炉底盘及多晶硅还原炉。还原炉底盘包括底盘主体，底盘主体上安装有多圈电极组；底盘主体包括相对间隔设置的第一底盘、第二底盘和第三底盘，以及位于第二底盘和第一底盘之间的多个导流环板；第三底盘上开设有进气孔，用于向进气腔室内通气；导流环板形成环形的导流通道且导流通道的两端分别与进气腔室和还原炉相连通；多个导流环板呈同心间隔分布于任意相邻的两圈电极组之间。原料气体经由环形的导流通道均匀地进入到还原炉内，从而在一定程度上提高原料气体在还原炉内的流场分布及温度分布，原料气体能够更均匀地沉积在硅棒上生成多晶硅，进而也在一定程度上避免倒棒、硅棒偏心等现象的发生。CN110937607ACN110937607A权利要求书1/1页1.一种还原炉底盘，其特征在于，包括底盘主体；所述底盘主体用于安装包括多个呈同心间隔分布的电极组；所述底盘主体包括相对间隔设置的第一底盘、第二底盘和第三底盘；所述第一底盘和所述第二底盘之间形成冷却腔室，所述第二底盘和所述第三底盘之间形成进气腔室；所述第三底盘形成进气孔，用于向所述进气腔室通气；所述冷却腔室内设置导流环板，所述导流环板的数量为多个，多个所述导流环板呈同心间隔设置于任意相邻的两个所述电极组之间；所述导流环板形成导流通道，所述导流通道的一端与所述进气腔室相连通，所述导流通道的另一端能够与还原炉相连通。2.根据权利要求1所述的还原炉底盘，其特征在于，所述第一底盘形成多个第一环隙，所述第二底盘形成多个第二环隙；多个第一环隙和多个第二环隙分别与多个导流环板一一对应，所述导流环板内的所述导流通道的一端与所述第二环隙相连通；所述导流环板的另一端通过所述第一环隙穿过所述第一底盘，以伸入到所述还原炉内预定高度。3.根据权利要求2所述的还原炉底盘，其特征在于，所述导流环板位于所述还原炉内的一端的端部设置有挡板，用于遮挡所述导流通道的部分；所述挡板的数量为多个，多个所述挡板间隔分布。4.根据权利要求2所述的还原炉底盘，其特征在于，所述导流环板位于所述还原炉内的一端还设置有换向环板；所述换向环板形成换向通道，所述换向通道的一端与所述导流通道相连通，所述换向通道的另一端与所述导流通道具有预定的倾斜角度。5.根据权利要求2所述的还原炉底盘，其特征在于，所述导流环板位于所述还原炉内的一端还连接有延长环板；所述延长环板形成延长通道，且所述延长通道的一端与所述导流通道相连通。6.根据权利要求1所述的还原炉底盘，其特征在于，每个所述电极外均设置有套筒，且所述第一底盘、所述第二底盘和所述底盘上对应所述电极的安装位置处开设有安装孔；所述套筒的一端与所述第一底盘上的所述安装孔相连通，所述套筒的另一端穿过所述第二底盘上的所述安装孔并与所述第三底盘上的所述安装孔相连通。7.根据权利要求1所述的还原炉底盘，其特征在于，还包括冷却水循环管；所述冷却水循环管均匀分布于所述冷却腔室内。8.根据权利要求1所述的还原炉底盘，其特征在于，所述底盘主体上还设置有排气管，用于排出所述还原炉内的反应尾气。9.根据权利要求1所述的还原炉底盘，其特征在于，所述进气孔的数量为多个，多个所述进气孔间隔分布。10.一种多晶硅还原炉，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的还原炉底盘。2CN110937607A说明书1/6页还原炉底盘及多晶硅还原炉技术领域[0001]本发明涉及多晶硅生产技术领域，尤其是涉及一种还原炉底盘及多晶硅还原炉。背景技术[0002]目前多晶硅的制备多采用改良西门子法，即从还原炉底部的底盘上设置的喷嘴向还原炉内通入三氯氢硅和氢气，然后在通电的硅棒上进行气相沉积反应生成多晶硅；硅棒通过设置于电极上而实现通电。电极一般呈蜂窝状或同心圆排布于底盘上，多个独立的喷嘴临近电极分布，然而通过独立的喷嘴对临近的硅棒直接吹扫物料，会使还原炉内物料气体的流场及温度分布不均匀，导致硅棒底部出现偏心的现象，影响硅棒的垂直度，进而导致倒棒现象。发明内容[0003]本发明的目的在于提供一种还原炉底盘及多晶硅还原炉，以使原料气体更均