用于多晶硅还原炉的底盘、底盘组件和还原炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114349008A(43)申请公布日2022.04.15(21)申请号202210270853.1(22)申请日2022.03.18(71)申请人中国恩菲工程技术有限公司地址100038北京市海淀区复兴路12号(72)发明人石何武汪绍芬杨永亮万烨张升学陈辉汤传斌严大洲(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201代理人孙诗惠(51)Int.Cl.C01B33/035(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图2页(54)发明名称用于多晶硅还原炉的底盘、底盘组件和还原炉(57)摘要本发明提出一种用于多晶硅还原炉的底盘、底盘组件和还原炉。本发明的用于多晶硅还原炉的底盘包括：盘体，盘体具有第一进气孔组，第一进气孔组包括至少一个第一进气孔，每个第一进气孔沿盘体的轴向贯穿盘体；电极孔组，电极孔组包括沿盘体的周向间隔设置的多个电极孔，每个电极孔沿盘体的轴向贯穿盘体；多个出气孔，每个出气孔沿盘体的轴向贯穿盘体，多个出气孔沿盘体的周向间隔设置，多个出气孔在内外方向上位于第一进气孔组和电极孔组之间。因此，根据本发明的用于多晶硅还原炉的底盘具有可使得还原炉内的气体反应更加充分、节省物料和提高硅棒质量的优点。CN114349008ACN114349008A权利要求书1/2页1.一种用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，包括：盘体，所述盘体具有第一进气孔组，所述第一进气孔组包括至少一个第一进气孔，每个所述第一进气孔沿所述盘体的轴向贯穿所述盘体；电极孔组，所述电极孔组包括沿所述盘体的周向间隔设置的多个电极孔，每个所述电极孔沿所述盘体的轴向贯穿所述盘体；多个出气孔，每个所述出气孔沿所述盘体的轴向贯穿所述盘体，多个所述出气孔沿所述盘体的周向间隔设置，其中所述电极孔组为一个，多个所述出气孔在内外方向上位于所述第一进气孔组和所述电极孔组之间；或者，所述电极孔组为多个，多个所述电极孔组沿所述内外方向间隔设置，多个所述出气孔在内外方向上位于所述第一进气孔组和至少一个所述电极孔组之间。2.根据权利要求1所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，所述电极孔组为多个，多个所述出气孔在内外方向上位于多个所述电极孔组的内侧；所述盘体还具有至少一个第二进气孔组，每个所述第二进气孔组包括多个第二进气孔，每个所述第二进气孔组沿所述盘体的轴向贯穿所述盘体，多个所述第二进气孔组沿所述盘体的周向间隔设置，每个所述第二进气孔组在所述内外方向上位于相邻的两个所述电极孔组之间。3.根据权利要求2所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，所述第一进气孔组包括一个第一进气孔，所述第一进气孔位于所述盘体的轴心位置；所述电极孔组为两个，所述电极孔组包括第一电极孔组和第二电极孔组，所述第一电极孔组在所述内外方向上位于所述第二电极孔组的内侧；所述第二进气孔组为一个，所述第二进气孔组在所述内外方向上位于所述第一电极孔组和所述第二电极孔组之间。4.根据权利要求3所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，多个所述第二进气孔和所述第一电极孔组的多个所述电极孔在内外方向上一一相对，所述第二电极孔组包括多个第二电极孔子组，每个所述第二电极孔子组包括多个电极孔，多个第二电极孔子组和多个所述第二进气孔在所述盘体的周向上一一交替设置。5.根据权利要求2所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，多个所述出气孔均匀地分布在以所述盘体的轴心为圆心的第一圆周上，所述第一圆周的直径在150mm至400mm之间；每个所述电极孔组中相邻两个所述电极孔的圆心之间的距离在230mm至280mm之间；每个所述电极孔组中的多个所述电极孔均匀地在以所述盘体的中心位置为圆心的一个圆周上，相邻两个所述电极孔组中的一者的多个所述电极孔所分布的圆周与相邻两个所述电极孔组中的另一者的多个所述电极孔所分布的圆周的直径之差为600mm，位于最内侧的所述电极孔组中的多个所述电极孔所分布的圆周的直径在600mm至800mm之间。6.根据权利要求3所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，所述出气孔的数量为3个、4个或6个；所述第一电极孔组的所述电极孔的数量为8个；所述第二电极孔组的所述电极孔的数量为16个；2CN114349008A权利要求书2/2页所述第二进气孔组的所述第二进气孔的数量为4个、6个或8个。7.根据权利要求3所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，每个所述第一进气孔和每个第二进气孔内均设有进气喷嘴，所述进气喷嘴的上表面位于所述盘体的上表面的上方；每个所述出气孔内均设有出气喷嘴，所述出气喷嘴的上表面与所述盘体的上表面在同一水平面上。8.一种底盘组件，其特征在于，包括：上述权利要求1‑7中任一项所述用于多晶硅还原炉的底盘和电极端子组，每个所述电极孔组具有与其