多晶硅还原炉的底盘、底盘组件以及还原炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112960674A(43)申请公布日2021.06.15(21)申请号202110286578.8(22)申请日2021.03.17(71)申请人中国恩菲工程技术有限公司地址100038北京市海淀区复兴路12号(72)发明人石何武汪绍芬石涛杨永亮严大洲(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201代理人杜德海(51)Int.Cl.C01B33/035(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图3页(54)发明名称多晶硅还原炉的底盘、底盘组件以及还原炉(57)摘要本发明公开多晶硅还原炉的底盘、底盘组件以及还原炉，包括盘体，所述盘体具有多个进气口组和多个还原尾气出口组；和多个电极基座组，多个所述电极基座组沿所述盘体的径向间隔开地设在所述盘体上，每个所述电极基座组包括沿所述盘体的周向间隔开的多个电极基座，其中多个所述电极基座组和多个所述进气口组沿所述盘体的径向交替设置，一个所述还原尾气出口组位于多个所述电极基座组的外侧，其余的每个所述还原尾气出口组在所述盘体的径向上位于相邻两个所述电极基座组之间。通过进气口组和还原尾气出口组的设置，使得多晶硅还原炉内的温度场均匀，从而不仅可以有利于硅棒的沉积，从而改善硅棒的表面质量。CN112960674ACN112960674A权利要求书1/2页1.一种用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，包括：盘体，所述盘体具有多个进气口组和多个还原尾气出口组，每个所述进气口组包括至少一个进气口，每个所述还原尾气出口组包括沿所述盘体的周向间隔开的多个所述还原尾气出口，其中多个所述进气口组沿所述盘体的径向间隔开地设置，多个所述还原尾气出口组沿所述盘体的径向间隔开地设置；和多个电极基座组，多个所述电极基座组沿所述盘体的径向间隔开地设在所述盘体上，每个所述电极基座组包括沿所述盘体的周向间隔开的多个电极基座，其中多个所述电极基座组和多个所述进气口组沿所述盘体的径向交替设置，一个所述还原尾气出口组位于多个所述电极基座组的外侧，其余的每个所述还原尾气出口组在所述盘体的径向上位于相邻两个所述电极基座组之间。2.根据权利要求1所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，所述盘体还具有中心进气口，所述中心进气口位于最内侧的所述电极基座组的内侧，可选地，最外侧的所述电极基座组位于最外层的所述进气口组的外侧，最内侧的所述电极基座组位于最内侧的所述进气口组的内侧。3.根据权利要求1所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，一个所述进气口组和一个所述尾气出口组位于第一圆周上，所述第一圆周上的所述进气口组的多个所述进气口和所述还尾气出口组的多个所述还原尾气出口在所述第一圆周上交替设置，所述第一圆周的周向与所述底盘的周向一致。4.根据权利要求3所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，所述第一圆周上的多个所述进气口和多个所述还原尾气出口构成多个进气出气组，多个所述进气出气组在所述底盘的径向上两两相对，每个所述进气出气组包括两个所述进气口和一个所述还原尾气出口，每个所述进气出气组的所述还原尾气出口在所述第一圆周的周向上位于相应的所述进气出气组的两个所述进气口之间；可选地，位于所述电极基座组的外侧的所述还原尾气出口组的多个所述还原尾气出口在底盘的径向上两两相对。5.根据权利要求1所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，每个所述电极基座组的多个所述电极基座在所述底盘的周向上等间距地设置，每个所述电极基座组的相邻两个所述电极基座在所述底盘的周向上的间距为210mm‑240mm。6.根据权利要求1‑5任一项所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，所述进气口组为4个，所述还原尾气出口组为2个，所述电极基座组为5个，可选地，一个所述还原尾气出口组与从内向外的第三个所述进气口组位于第一圆周上。7.根据权利要求1‑6任一项所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，从内向外，5个所述电极基座组分别包括8个所述电极基座、16个所述电极基座、24个所述电极基座、32个所述电极基座、40个所述电极基座；4个所述进气口组分别包括4个所述进气口、4个所述进气口、8个所述进气口，12个所述进气口；2个所述还原尾气出口组分别包括3‑4个所述还原尾气出口、6‑8个所述还原尾气出口。8.根据权利要求1所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，所述底盘包括第一盘体和第二盘体，所述第一盘体设在所述第二盘体上，所述第一盘体与所述第二盘体之间限定2CN112960674A权利要求书2/2页出冷却腔，所述第一盘体具有多个所述进气口组和多个所述还原尾气出口组。9.一种底盘组件，其特征在于，包括：上述权利要求1‑8中任一项所述底盘和多个电极，多个所述电极一一对应地设在所述底盘的多个所述电极基座下方。1