一种陶瓷基PCB覆铜板及覆铜方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108966489A(43)申请公布日2018.12.07(21)申请号201810697550.1B32B37/10(2006.01)(22)申请日2018.06.29B32B37/06(2006.01)B32B38/00(2006.01)(71)申请人南京大学地址210093江苏省南京市鼓楼区汉口路22号(72)发明人张军然徐永兵张勇王倩(74)专利代理机构南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249代理人陈建和(51)Int.Cl.H05K1/03(2006.01)H05K3/02(2006.01)B32B9/00(2006.01)B32B9/04(2006.01)B32B15/20(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种陶瓷基PCB覆铜板及覆铜方法(57)摘要本发明公开了一种陶瓷基PCB覆铜板及覆铜方法，主要包括：采用电子束蒸镀的方法在烧结打磨好的陶瓷片的上下两个表面先蒸镀一层金属薄膜，然后将得到的样品的上下两面放上铜箔，放到热压炉中进行压合覆铜，其中金属薄膜可以是钛薄膜，也可以是镍薄膜，根据所覆薄膜选择合适的蒸镀条件。由于陶瓷片比普通的半固化片更耐高温，因此非常适合此种方法。通过此方法得到的陶瓷基PCB覆铜板的铜箔剥离强度明显提高，为5G时代对PCB板的更高要求打下基础。CN108966489ACN108966489A权利要求书1/1页1.一种陶瓷基PCB覆铜板，其特征在于，包括陶瓷片(1)、铜箔(3)，上下两层铜箔(3)之间设有陶瓷片(1)，且陶瓷片(1)与铜箔(3)之间有一层用电子束蒸镀方法得到的金属薄膜(2)。2.根据权利要求1所述的一种陶瓷基PCB覆铜板，其特征在于，所述金属薄膜(2)为金属钛薄膜或者金属镍薄膜，且金属钛薄膜的生长厚度为200-500nm，金属镍薄膜的生长厚度为150-300nm。3.根据权利要求1所述的一种陶瓷基PCB覆铜板，其特征在于，所述上下两层铜箔(3)与夹在铜箔(3)间的上下两层金属薄膜(2)、陶瓷片(1)之间对齐压合连接。4.根据权利要求1-3任意一项所述陶瓷基PCB覆铜板的覆铜方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：按重量比，称量97-99份Al2O3粉体、1-2份MgO粉体、0.5-1份CaO粉体、0.5-1份SiO2粉体放入行星混合球磨机中，加入200ml酒精，以200-300r/min速度，球磨10-12小时；S2：将步骤S1中球磨得到的混合物烘干后，采用干压成型机以4-6MPa的压力干压成为陶瓷坯体；S3：将步骤S2中得到的陶瓷坯体放置于马弗炉中，以900-950℃烧结10-12小时；S4：将步骤S3中烧结得到的陶瓷切割至所需要的厚度，依次用2000目和4000目砂纸打磨至光滑；S5：将步骤S4得到的陶瓷片放置于电子束蒸镀腔体中，进行金属薄膜蒸镀；S6：将步骤S5中得到的样品的上下两面放上铜箔，放到热压炉中进行热压；S7：待步骤S6过程结束后，自然降温至室温，然后以小于0.1MPa/s的卸压速度卸压，将压合好的陶瓷基PCB覆铜板从热压炉中取出，得到最后所要的样品。5.根据权利要求4所述的一种陶瓷基PCB覆铜板的覆铜方法，其特征在于，所述步骤S1中各粉体的粒径小于200纳米。6.根据权利要求4所述的一种陶瓷基PCB覆铜板的覆铜方法，其特征在于，所述步骤S5中，生长金属钛薄膜时，生长前，腔体真空度抽到1×10-7mbar以下，生长速度为0.1nm/s，生长厚度为200-500nm，陶瓷片温度为350-400℃。7.根据权利要求4所述的一种陶瓷基PCB覆铜板的覆铜方法，其特征在于，所述步骤S5中，生长金属镍薄膜时，生长前，腔体真空度抽到1×10-7mbar以下，生长速度为0.7nm/s，生长厚度为150-300nm，陶瓷片温度为450-500℃。8.根据权利要求4所述的一种陶瓷基PCB覆铜板的覆铜方法，其特征在于，所述步骤S6中的热压条件为：真空度抽到大于1×10-3mbar后，开始升温，升温过程为先用30-50分钟快速升到150℃，然后用90-100分钟时间升温到380-405℃，最后保温120-180分钟；对应加压的过程分为两步，升温过程施加压力为2-3MPa，保温过程施加压力为2.5-3.5MPa。2CN108966489A说明书1/4页一种陶瓷基PCB覆铜板及覆铜方法技术领域[0001]本发明涉及一种陶瓷基PCB覆铜板及覆铜方法，属于PCB覆铜板的制备领域。背景技术[0002]印制电路板(PrintedCircuitBoard，PCB)，是重要的电子部件，是电子元器件的支撑体，是电子元器件电气连接的载体。随着电子信息技术发展的不断进步，电子设备高频化是发展趋势，尤其