一种陶瓷基覆铜板的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110484877A(43)申请公布日2019.11.22(21)申请号201910953983.3C23C28/02(2006.01)(22)申请日2019.10.09(71)申请人安徽鸿海新材料股份有限公司地址246100安徽省安庆市怀宁县工业园月山大道(72)发明人苏晓渭刘强李勇军(74)专利代理机构芜湖金钥匙专利代理事务所(普通合伙)34151代理人谢建华(51)Int.Cl.C23C14/34(2006.01)C23C14/18(2006.01)C23C14/02(2006.01)C25D3/38(2006.01)C23C18/38(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种陶瓷基覆铜板的制备方法(57)摘要本发明公开了一种陶瓷基覆铜板的制备方法，涉及覆铜板制造领域，包括以下步骤在陶瓷基片表面溅射一层活性金属层、在所述活性金属层上覆盖一层焊料层、在所述焊料层表面溅射一层铜箔层、在所述铜箔层表面溅射一层加厚铜箔层，得到陶瓷基覆铜板样品、将所述陶瓷基覆铜板样品放入真空炉中烧制焊接成型，制得陶瓷基覆铜板成品，本发明通过在陶瓷基片表面预先溅射一活性金属层，活性金属层可活化陶瓷片表面，确保陶瓷片具有较强的活性，便于与焊料的再次焊接，使得陶瓷基片与铜箔的附着力提升，使得得到的铜箔与陶瓷基片的结合更加稳固可靠。CN110484877ACN110484877A权利要求书1/1页1.一种陶瓷基覆铜板的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：在陶瓷基片表面溅射一层活性金属层；在所述活性金属层上覆盖一层焊料层；在所述焊料层表面溅射一层铜箔层；在所述铜箔层表面溅射一层加厚铜箔层，得到陶瓷基覆铜板样品；将所述陶瓷基覆铜板样品放入真空炉中烧制焊接成型，制得陶瓷基覆铜板成品。2.根据权利要求1所述的一种陶瓷基覆铜板的制备方法，其特征在于：在陶瓷基片表面溅射一层活性金属层之前，还包括：依次对陶瓷基片进行化学处理和物理处理。3.根据权利要求2所述的一种陶瓷基覆铜板的制备方法，其特征在于：所述化学处理包括对陶瓷基片进行脱脂除油，然后清洗烘干，去除陶瓷基片表面的杂质和污渍，所述物理处理包括对陶瓷基片等离子处理、表面拉丝和表面打磨。4.根据权利要求1所述的一种陶瓷基覆铜板的制备方法，其特征在于：所述溅射的方式为采用真空电镀的方式。5.根据权利要求4所述的一种陶瓷基覆铜板的制备方法，其特征在于：所述真空电镀时真空度小于0.5Pa，加速电压5-500V,工艺温度为常温-200℃。6.根据权利要求1所述的一种陶瓷基覆铜板的制备方法，其特征在于：所述陶瓷基片为氧化铝陶瓷、氮化铝陶瓷、氧化铍陶瓷、氮化硅陶瓷、玻璃陶瓷或蓝宝石陶瓷。7.根据权利要求1所述的一种陶瓷基覆铜板的制备方法，其特征在于：所述焊料层为银基、镍基或钴基中的一种或多种。8.根据权利要求1所述的一种陶瓷基覆铜板的制备方法，其特征在于：所述加厚铜箔层采用硫酸盐镀铜、焦磷酸盐镀铜或化学镀铜。9.根据权利要求1所述的一种陶瓷基覆铜板的制备方法，其特征在于：所述陶瓷基覆铜板样品在真空炉中的烧制焊接条件设置为5-50mpa，100-900℃，10-200分钟。2CN110484877A说明书1/3页一种陶瓷基覆铜板的制备方法技术领域[0001]本发明涉及覆铜板制造领域，具体涉及一种陶瓷基覆铜板的制备方法。背景技术[0002]陶瓷基覆铜板既具有陶瓷的高导热系数、高耐热、高电绝缘性、高机械强度、与硅芯片相近的热膨胀系数以及低介质损耗等特点，又具有无氧铜的高导电性和优异焊接性能，是当今电力电子领域功率模块封装、连接芯片与散热衬底的关键材料，广泛应用于各类电气设备及电子产品。现有技术中，多采用真空溅镀工艺对陶瓷进行金属化。在真空溅镀过程中，先溅射一层钛层后溅射一铜层，然而在实际应用中，由于钛金属具有容易钝化的特性，这样溅射之后的镀铜层会不够致密,导致铜箔与陶瓷片之间的附着力较差。因此，现有技术还有待于改进和发展。[0003]发明内容[0004]根据以上现有技术的不足，本发明所要解决的技术问题是提出一种陶瓷基覆铜板的制备方法，通过在陶瓷基片表面预先溅射一活性金属层，活性金属层可活化陶瓷片表面，确保陶瓷片具有较强的活性，便于与焊料的再次焊接，使得陶瓷基片与铜箔的附着力提升，使得得到的铜箔与陶瓷基片的结合更加稳固可靠。[0005]一种陶瓷基覆铜板的制备方法，包括以下步骤：在陶瓷基片表面溅射一层活性金属层；在所述活性金属层上覆盖一层焊料层；在所述焊料层表面溅射一层铜箔层；在所述铜箔层表面溅射一层加厚铜箔层，得到陶瓷基覆铜板样品；将所述陶瓷基覆铜板样品放入真空炉中烧制焊接成型，制得陶瓷基覆铜板成品。[0006]可选的，在陶瓷基片表