硅晶片的电阻率测量方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109307804A(43)申请公布日2019.02.05(21)申请号201810833673.3(22)申请日2018.07.26(30)优先权数据2017-1440602017.07.26JP(71)申请人环球晶圆日本股份有限公司地址日本新澙县(72)发明人斋藤广幸木村珠美松村尚(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司72001代理人殷超刘林华(51)Int.Cl.G01R27/02(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图5页(54)发明名称硅晶片的电阻率测量方法(57)摘要本发明准确地求出仅掺杂剂的电阻率。具备：求出硅晶片（W）具有的氧浓度与热施主量的关系式的步骤；对于收容在纵型船形容器（1）中的制造对象的硅晶片（W）实施通过用纵型热处理炉（2）进行热处理而将热施主消除的施主消除处理、将前述纵型船形容器从前述纵型热处理炉以前述既定速度出炉后、测量硅晶片的电阻率和氧浓度的步骤；根据前述测量出的硅晶片的电阻率求出包括掺杂剂和热施主的载流子浓度的步骤；根据前述测量出的硅晶片的氧浓度借助前述关系式求出前述硅晶片具有的热施主量的步骤；求出从前述求出的载流子浓度减去前述求出的热施主量后的掺杂剂量的步骤；以及将前述求出的掺杂剂量变换为电阻率的步骤。CN109307804ACN109307804A权利要求书1/1页1.一种硅晶片的电阻率测量方法，该硅晶片具有既定的电阻率和氧浓度，其特征在于，具备：求出前述硅晶片具有的氧浓度与热施主量的关系式的步骤；对于被收容在纵型船形容器中的制造对象的硅晶片实施通过用纵型热处理炉进行热处理而将热施主消除的施主消除处理、在将前述纵型船形容器从前述纵型热处理炉以前述既定速度出炉后、测量硅晶片的电阻率和氧浓度的步骤；根据前述测量出的硅晶片的电阻率求出包括掺杂剂和热施主的载流子浓度的步骤；根据前述测量出的硅晶片的氧浓度、借助前述关系式求出前述硅晶片具有的热施主量的步骤；求出从前述求出的载流子浓度减去前述求出的热施主量后的掺杂剂量的步骤；以及将前述求出的掺杂剂量变换为电阻率的步骤。2.如权利要求1所述的硅晶片的电阻率测量方法，其特征在于，求出前述硅晶片具有的氧浓度与热施主量的关系式的步骤具备：将分别具有不同的氧浓度水平的多个硅晶片积载到前述纵型船形容器上、在实施施主消除处理后以既定速度出炉、测量受到了热施主的影响的多个硅晶片的第一电阻率群的步骤；对于与前述分别具有不同的氧浓度水平的多个硅晶片同样的条件的多个硅晶片、进行与前述施主消除处理相同的最高温度和保持时间下的热处理后、在出炉时急冷、测量不受到热施主的影响的硅晶片的第二电阻率群的步骤；以及基于针对每个氧浓度水平的前述第一电阻率与前述第二电阻率的差异、求出再生热施主量相对于各氧浓度水平的前述关系式的步骤。3.如权利要求1所述的硅晶片的电阻率测量方法，其特征在于，被积载在前述纵型船形容器上的前述硅晶片被积载到实施施主消除处理并出炉后的电阻率为相同的沿着前述纵型船形容器的上下方向的积载范围中。4.如权利要求1所述的硅晶片的电阻率测量方法，其特征在于，前述施主消除处理中的最高温度至少是650℃，保持时间至少是30min。5.如权利要求1所述的硅晶片的电阻率测量方法，其特征在于，从前述纵型热处理炉的出炉速度至少是100mm/min。6.如权利要求1所述的硅晶片的电阻率测量方法，其特征在于，如果设热施主量为TD，设氧浓度为Oi，设系数为A，设指数为B，则前述关系式可以用下述式（1）表示TD=A×［Oi］B･･･（1）。2CN109307804A说明书1/6页硅晶片的电阻率测量方法技术领域[0001]本发明涉及硅晶片的电阻率测量方法，例如涉及能够高精度地求出大口径且高电阻的硅晶片的电阻率的硅晶片的电阻率测量方法。背景技术[0002]以往以来，关于硅晶片的电阻率，对在结晶培育时由450℃附近的受热历程形成的热施主通过在650℃以上的温度下进行热处理而消除（以下，称作施主消除处理），求出仅剩下的掺杂剂的电阻率。但是，已知，特别地在200Ω･cm以上的高电阻晶片的情况下，由于在从施主消除处理温度向室温温度下降时经历的450℃受热历程产生的热施主的影响，电阻率较大地变化。[0003]例如在日本特开2003－240689号公报中，提出了使用单片式的高速急冷热处理（RTA）炉进行650℃以上的热处理、将热施主消除后进行急冷直到300℃的方法。[0004]但是，在日本特开2003－240689号公报所公开的高速急冷热处理（RTA）炉中，由于是单片处理，所以有作业效率下降的问题。[0005]为了不使作业效率下降，在以往进行的由650℃以上的热处理进行的施主消除处理时，例如在6英寸以下的小口径晶片的