硅晶片的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102034698A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102034698A(43)申请公布日2011.04.27(21)申请号201010293644.6(22)申请日2010.09.26(30)优先权数据228986/20092009.09.30JP(71)申请人诺利塔克股份有限公司地址日本爱知县申请人株式会社诺利塔克涂覆磨料(72)发明人冈孝幸若山隆史园田朗(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所11247代理人段承恩常殿国(51)Int.Cl.H01L21/304(2006.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书1页说明书11页附图8页(54)发明名称硅晶片的制造方法(57)摘要本发明提供一种硅晶片的制造方法，其在由硅锭制造硅晶片时，可以改善成品率并可以防止生产效率的降低。在硅块表面的研磨中，通过使用环形研磨带(30)(金刚石研磨布)作为研磨工具，可以大幅度缩短硅块表面的研磨所需时间。另外，用环形研磨带(30)(金刚石研磨布)进行的研磨与用金刚石砂轮进行的研磨不同，可实现弹性研磨，因此，可以减轻研磨中进入硅块表面的微小的裂纹。CN10234698ACCNN110203469802034701A权利要求书1/1页1.一种硅晶片的制造方法，通过将硅锭分割成预定大小的硅块，并对该硅块表面进行研磨之后切断成薄板状来制造硅晶片，该制造方法的特征在于，所述硅块表面的研磨使用金刚石研磨布作为研磨工具。2.根据权利要求1所述的硅晶片的制造方法，其特征在于，所述金刚石研磨布形成为环形带状；所述硅块表面的研磨使用使该金刚石研磨布以卷绕于1个轮的外周面或者跨绕于至少2个以上的轮上的状态进行旋转的带研磨机。3.根据权利要求2所述的硅晶片的制造方法，其特征在于，所述轮的1个为对形成为所述环形带状的所述金刚石研磨布赋予预定的弹性的由橡胶材料形成的触轮。4.根据权利要求3所述的硅晶片的制造方法，其特征在于，在所述触轮的外周面沿周向交替地设置有凸部和凹槽。2CCNN110203469802034701A说明书1/11页硅晶片的制造方法技术领域[0001]本发明涉及用于太阳能电池面板的硅晶片(シリコンウエハ一，硅片)的制造方法，特别是涉及改善硅晶片的成品率并且提高制造效率的技术。背景技术[0002]若简单说明作为太电能电池的面板使用的硅晶片的制造方法，则在多晶硅的情况下，以下述方式进行制造，所述方式为：使用带锯等将被制造成四棱柱状的硅锭(siliconingot)切制成预定的大小，使用多线锯将切制出的坯材(硅块，siliconblcok)切薄。图13中简单示出了由多晶硅锭制造出硅晶片的制造工序的每道工序。首先，用成形模具等制造四棱柱状的锭200，使用带锯等将制造出的锭200(a)去除外周部，将内部分割成预定的块(b)，由此，制造硅块202(c)。通过用多线锯将该制造出的硅块202切断成为薄板状，制造硅晶片204(d)。另外，即使为单晶硅锭，也仅是最初制造的硅锭为圆形，基本的制造方法没有特别不同。[0003]在此，用多线锯将硅块切断成薄板状来制造硅晶片时，若以微小的裂纹进入了硅块的表面的状态被切断，例如像图13(d)所示，则在切断期间在硅晶片表面产生裂缝(裂纹)206从而降低成品率(生产率)，这已为公众所知。与此相对，在专利文献1的硅晶片的加工方法中，公开了如下技术：通过研磨硅块来除去存在于表面的微小的裂纹、使表面平坦化，由此来改善成品率。另外，在专利文献2的半导体晶片(硅晶片)的制造方法中，公开了如下技术：通过研磨硅块表面，使表面的粗糙度Rmax为2.5μm以下，并且对块端面进行倒角，对该倒角了的端面缘部的表面也通过研磨使粗糙度Rmax为2.5μm以下，改善硅晶片的成品率。[0004]专利文献1：日本特开2002-176014号公报[0005]专利文献2：日本特开2002-237476号公报发明内容[0006]然而，在专利文献1的硅晶片的制造方法中，具体来说，实施用金刚石砂轮(diamondwheel)实现的对硅块的表面研磨。另外，在专利文献2的半导体晶片的制造方法中，使用旋转刷(金刚石刷等)研磨硅块表面。[0007]但是，用上述金刚石砂轮或金刚石刷(ダイヤモンドブラシ)进行研磨的情况下，分别发生如下的问题。在用金刚石砂轮实施研磨的情况下，虽然可得到加工精度，但由于金刚石砂轮为刚性体，还容易进入加工损伤(微小的裂纹)，为了除去该加工损伤，要求进行用金刚石刷等实现的进一步的精加工。作为结果，在研磨上耗费时间，生产率降低。另一方面，虽然用金刚石刷实现的精加工为高弹性，因此由研磨所导致的加工损伤难以进入，但由于用金刚石刷实现的磨削量小，因此在研磨上耗费时间，生产效率降低。另外，金刚石刷柔软性高且